一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法及装置制造方法及图纸

本申请公开了一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法及装置，申请人通过实验分析发现，由于不同状态的受干扰闪存单元的阈值电压不是交错呈现，而是与受干扰单元的阈值电压具有正相关关系，随着耦合强度增大受干扰闪存单元的阈值电压向右偏移越明显，也就是说闪存单元之间的阈值电压具有相关性，而CNN网络模型又能很好对相关性这种特征进行提取，因此本申请通过训练建立闪存信道的CNN网络模型来对闪存芯片信号进行检测；同时考虑到闪存信道是非稳定性的，因此计算出CNN网络模型的鲁棒性，为了测试CNN网络模型的更新时间，使得CNN网络模型能够准确地对NAND闪存芯片信号进行检测，解决了现有技术无法准确地对NAND闪存芯片信号进行检测的技术问题。行检测的技术问题。行检测的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法及装置


[0001]本申请涉及存储器
，尤其涉及一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法及装置。

技术介绍

[0002]闪存是一种层级结构的存储介质，闪存从高到低的存储层级结构分别为：芯片、晶圆、分组、块、字线、页、单元。随着NAND闪存存储的密度增加，NAND闪存面临着越来越多的数据可靠性的挑战，因此，提高NAND闪存的信号检测性能成为存储领域研究热点。
[0003]现有的NAND闪存芯片信号检测技术，需知信道分布偏移，再找出最优的判决阈值电压对闪存芯片信号进行检测。然而，在实际中闪存信道是一个非稳定信道，随数据失配保持时间的变化，信道偏移是未知，因此很难得到精确的闪存信道模型；而且现有技术忽略了闪存单元之间的干扰，导致无法准确地对NAND闪存芯片信号进行检测。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法及装置，用于解决现有技术无法准确地对NAND闪存芯片信号进行检测的技术问题。
[0005]有鉴于此，本申请第一方面提供了一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法，所述方法包括：
[0006]S1、设置闪存信道参数以及耦合强度因子；
[0007]S2、当闪存单元被编程后，读取闪存控制器的第一闪存字线的阈值电压，根据所述第一闪存字线的阈值电压获得LLR值，并对所述LLR值进行译码得到信息符号标签，将所述信息符号标签编码为一维序列；
[0008]S3、读取所述第一闪存字线的受干扰字线的阈值电压，将所述受干扰字线的阈值电压与所述第一闪存字线的阈值电压组成二维序列；
[0009]S4、通过所述一维序列和所述二维序列对CNN网络进行训练，得到所述闪存信道的CNN网络模型；
[0010]S5、获取所述闪存控制器的阈值电压量化值，根据预置的失配保持时间、失配擦除和编程循环次数生成失配测试集，通过所述失配测试集对所述CNN网络模型进行测试，得到所述CNN网络模型的鲁棒性。
[0011]可选地，步骤S4之后还包括：
[0012]基于所述CNN网络模型，对若干个预置阈值电压分别进行特征提取，得到各所述预置阈值电压的序列，并分别计算各所述预置阈值电压的序列的所属状态概率；
[0013]基于LLR值计算公式，根据各所述预置阈值电压的序列的所属状态概率计算所述闪存单元的LLR值。
[0014]可选地，所述LLR值计算公式为：
[0015][0016]其中，
[0017]式中，L(b
id
)为闪存单元中的比特位b
i
对应的LLR值，为所属状态为j的概率，θ
i
为softmax函数的权重参数，Z
i
为所述预置阈值电压的序列，m∈{1,2,...,M}，T为转置。
[0018]可选地，所述设置闪存信道参数包括：设置所述闪存信道的闪存结构为全位线结构。
[0019]可选地，步骤S2，具体包括：
[0020]当所述闪存单元被编程后，对所述闪存单元的阈值电压区间进行均匀量化，读取所述闪存控制器的第一闪存字线的阈值电压，根据所述第一闪存字线的阈值电压获得LLR值；
[0021]通过LDPC编码器对所述LLR值进行译码得到信息符号标签，对所述信息符号标签进行独热编码得到所述一维序列。
[0022]可选地，所述获取所述闪存控制器的阈值电压量化值，具体包括：
[0023]对所述闪存控制器进行感应和解码，得到所述闪存控制器的阈值电压和状态标签；
[0024]读取所述闪存控制器的阈值电压后，对所述闪存控制器的阈值电压进行计算得到阈值电压量化值。
[0025]本申请第二方面提供一种用于NAND闪存芯片信号检测的装置，所述装置包括：
[0026]设置单元，用于设置闪存信道参数以及耦合强度因子；
[0027]第一读取单元，用于当闪存单元被编程后，读取闪存控制器的第一闪存字线的阈值电压，根据所述第一闪存字线的阈值电压获得LLR值，并对所述LLR值进行译码得到信息符号标签，将所述信息符号标签编码为一维序列；
[0028]第二读取单元，用于读取所述第一闪存字线的受干扰字线的阈值电压，将所述受干扰字线的阈值电压与所述第一闪存字线的阈值电压组成二维序列；
[0029]训练单元，用于通过所述一维序列和所述二维序列对CNN网络进行训练，得到所述闪存信道的CNN网络模型；
[0030]测试单元，用于获取所述闪存控制器的阈值电压量化值，根据预置的失配保持时间、失配擦除和编程循环次数生成失配测试集，通过所述失配测试集对所述CNN网络模型进行测试，得到所述CNN网络模型的鲁棒性。
[0031]可选地，还包括：
[0032]计算单元，用于基于所述CNN网络模型，对若干个预置阈值电压分别进行特征提取，得到各所述预置阈值电压的序列，并分别计算各所述预置阈值电压的序列的所属状态概率；
[0033]基于LLR值计算公式，根据各所述预置阈值电压的序列的所属状态概率计算所述闪存单元的LLR值。
[0034]可选地，所述设置单元具体用于：
[0035]设置所述闪存信道的闪存结构为全位线结构并设置耦合强度因子。
[0036]可选地，所述第一读取单元，具体用于：
[0037]当所述闪存单元被编程后，对所述闪存单元的阈值电压区间进行均匀量化，读取所述闪存控制器的第一闪存字线的阈值电压，根据所述第一闪存字线的阈值电压获得LLR值；
[0038]通过BP译码器对所述LLR值进行译码得到信息符号标签，对所述信息符号标签进行独热编码得到所述一维序列。
[0039]从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：
[0040]本申请实施例中，提供了一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法，包括：设置闪存信道参数以及耦合强度因子；当闪存单元被编程后，读取闪存控制器的第一闪存字线的阈值电压，根据第一闪存字线的阈值电压获得LLR值，并对LLR值进行译码得到信息符号标签，将信息符号标签编码为一维序列；读取第一闪存字线的受干扰字线的阈值电压，将受干扰字线的阈值电压与第一闪存字线的阈值电压组成二维序列；通过一维序列和二维序列对CNN网络进行训练，得到闪存信道的CNN网络模型；获取闪存控制器的阈值电压量化值，根据预置的失配保持时间、失配擦除和编程循环次数生成失配测试集，通过失配测试集对CNN网络模型进行测试，得到CNN网络模型的鲁棒性。
[0041]本申请用于NAND闪存芯片信号检测的方法，申请人通过实验分析发现，不同状态的受干扰闪存单元不是交错呈现，而是与受干扰单元的阈值电压具有正相关关系，随着耦合强度增大受干扰闪存单元的阈值电压向右偏移越明显，也就是说闪存单元之间的阈值电压具有相关性，而CNN网络模型又能很好对相关性这种特征进行提取，因此本申请通过训练建立闪存信道的CNN网络模型来对闪存芯片信号进行检测；同时考本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法，其特征在于，包括：S1、设置闪存信道参数以及耦合强度因子；S2、当闪存单元被编程后，读取闪存控制器的第一闪存字线的阈值电压，根据所述第一闪存字线的阈值电压获得LLR值，并对所述LLR值进行译码得到信息符号标签，将所述信息符号标签编码为一维序列；S3、读取所述第一闪存字线的受干扰字线的阈值电压，将所述受干扰字线的阈值电压与所述第一闪存字线的阈值电压组成二维序列；S4、通过所述一维序列和所述二维序列对CNN网络进行训练，得到所述闪存信道的CNN网络模型；S5、获取所述闪存控制器的阈值电压量化值，根据预置的失配保持时间、失配擦除和编程循环次数生成失配测试集，通过所述失配测试集对所述CNN网络模型进行测试，得到所述CNN网络模型的鲁棒性。2.根据权利要求1所述的用于NAND闪存芯片信号检测的方法，其特征在于，步骤S4之后还包括：基于所述CNN网络模型，对若干个预置阈值电压分别进行特征提取，得到各所述预置阈值电压的序列，并分别计算各所述预置阈值电压的序列的所属状态概率；基于LLR值计算公式，根据各所述预置阈值电压的序列的所属状态概率计算所述闪存单元的LLR值。3.根据权利要求2所述的用于NAND闪存芯片信号检测的方法，其特征在于，所述LLR值计算公式为：其中，式中，L(b
id
)为闪存单元中的比特位b
i
对应的LLR值，为所属状态为j的概率，θ
i
为softmax函数的权重参数，Z
i
为所述预置阈值电压的序列，m∈{1,2,...,M}，T为转置。4.根据权利要求1所述的用于NAND闪存芯片信号检测的方法，其特征在于，所述设置闪存信道参数包括：设置所述闪存信道的闪存结构为全位线结构。5.根据权利要求1所述的用于NAND闪存芯片信号检测的方法，其特征在于，步骤S2，具体包括：当所述闪存单元被编程后，对所述闪存单元的阈值电压区间进行均匀量化，读取所述闪存控制器的第一闪存字线的阈值电压，根据所述第一闪存字线的阈值电压获得LLR值；通过BP译码器对所述LLR值进行译码得到信息符号标签，对所述信息符号标签进行独热编码得到所述一维...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩国军，胡海华，张孝谊，方毅，
申请(专利权)人：权利要求书二页说明书九页附图六页，
类型：发明
国别省市：