温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法及装置，申请人通过实验分析发现，由于不同状态的受干扰闪存单元的阈值电压不是交错呈现，而是与受干扰单元的阈值电压具有正相关关系，随着耦合强度增大受干扰闪存单元的阈值电压向右偏移越明显，也就是说...该专利属于权利要求书2页说明书9页附图6页所有，仅供学习研究参考，未经过权利要求书2页说明书9页附图6页授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种用于NAND闪存芯片信号检测的方法及装置，申请人通过实验分析发现，由于不同状态的受干扰闪存单元的阈值电压不是交错呈现，而是与受干扰单元的阈值电压具有正相关关系，随着耦合强度增大受干扰闪存单元的阈值电压向右偏移越明显，也就是说...