一种用于多晶硅加工废料的清洗设备制造技术

本实用新型专利技术涉及资源回收技术领域，具体是涉及一种用于多晶硅加工废料的清洗设备，包括水洗室、酸洗室和洗篮；水洗室的入口处设置有水洗室门，水洗室沿中心轴方向、自上而下依次设置有水洗喷头、水洗凹槽以及集液槽；酸洗室的入口处设置有酸洗室门，酸洗室沿中心轴方向、自上而下依次设置有输送装置和酸洗槽；洗篮呈筒型，是由洗篮盖、漏网式的洗篮筒和设置在洗篮筒中轴部、贯通洗篮筒底面的金属空心杆组成；本实用新型专利技术通过“双层门”设计，实现硅废料的清洗过程中，操作人员与酸液和酸雾的零接触，且本实用新型专利技术将酸洗、清洗和干燥工艺结合在同一个设备中，避免了清洁后硅废料的二次污染。染。染。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅加工废料的清洗设备


[0001]本技术涉及资源回收
，具体是涉及一种用于多晶硅加工废料的清洗设备。

技术介绍

[0002]随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。但对处理相对简单，低成本的可再利用料仍可以降低成本，这些主要是坩埚底料和半导体废片料等。
[0003]我们在对埚底料和半成品半导体硅片进行除石英和金属电路处理上通常采用洗篮和花篮静止泡洗12小时(根据酸的浓度和比例)。这种方法是最简易和节约成本的。问题在于静止过程中料的表面和酸反应、酸的处理能力需要长时间慢慢释放。在此种情况下，如果加入循环泵，用于搅拌酸液，缩短浸泡时间更能起到均匀处理的作用。
[0004]在生产单晶棒和多晶块时，使用的硅料的纯度须达到99.9999％以上。酸洗的目的主要是去除金属离子和氧化皮，原生多晶主要是在炸料时产生，头尾埚底及碎片主要是在切割时等情况产生。如今一般企业都采用二槽式手动酸洗产品，对操作人员要求相对较高，存在酸雾和酸液对操作人员的危害风险。
[0005]因此，设计一种能够避免多晶硅废料废料清洗过程中酸液和酸雾对于操作人员的危害的清洗设备具有实际意义。

技术实现思路

[0006]为实现以上目的，本技术提供了一种多晶硅废料清洗设备，通过“双层门”设计，能够实现对硅废料的清洗过程中，操作人员与酸液和酸雾的零接触，从根源上避免了酸液和酸雾对于操作人员健康的危害，具体的技术方案如下：
[0007]一种用于多晶硅加工废料的清洗设备，包括水洗室、酸洗室和洗篮，其具体的结构如下：
[0008]水洗室的入口处设置有水洗室门，水洗室沿中心轴方向、自上而下依次设置有水洗喷头、水洗凹槽以及集液槽。
[0009]在硅废料酸洗后，虽然经过了漂洗和冲洗，但在硅废料的表面或缝隙处仍有可能残留酸。如果直接干燥，残留酸会对硅废料进行氧化，因此还需在酸洗后进行漂洗。现在一般厂家采用酸洗后经过二级超声漂洗后，烘干、包装，还有一种是在超声漂洗后，再在ID水中养一段时间后烘干、包装。但是这些方法均需要将硅废料浸泡在纯水中，反复使用循环水冲洗，这就会导致循环水中的酸液浓度会逐渐上升，若不及时更换就会降低硅废料的清洁度。
[0010]为了解决以上问题，本技术设计了活水冲洗装置，使用水洗喷头直接对水洗凹槽上的洗篮进行冲洗，避免了冲洗水中的酸液存留在硅废料的表面或缝隙处。
[0011]酸洗室的入口处设置有酸洗室门，酸洗室沿中心轴方向、自上而下依次设置有输
送装置和酸洗槽。
[0012]在生产单晶棒和多晶块时，使用的硅料的纯度须达到.％以上。酸洗的目的主要是去除金属离子和氧化皮，原生多晶主要是在炸料时产生，头尾埚底及碎片主要是在切割时等情况产生。如今一般企业都采用二槽式手动酸洗产品，对操作人员要求相对较高，存在酸雾和酸液对操作人员的危害风险。
[0013]考虑到以上安全问题，本技术采用“双层门”(水洗室门、酸洗室门)轮流闭合的工作方式，从根源上避免了操作人员接触到酸液和酸液挥发出来的酸雾，既保障了操作人员的人身安全，也将酸洗过程和清洗过程完全隔离，保证了清洗后硅废料的清洗度。
[0014]洗篮呈筒型，是由洗篮盖、漏网式的洗篮筒和设置在洗篮筒中轴部、贯通洗篮筒底面的金属空心杆组成。
[0015]为了保证洗篮能够在操作人员无接触前提下完成在水洗室和酸洗室之间的移动，本技术在洗篮中设置有金属空心杆。当电磁铁杆通电带磁后，金属空心杆能够与之吸引结合，从而使输送装置能够带动洗篮进行移动。
[0016]进一步地，水洗凹槽底部设置有用以承接洗篮的滚轴，以及用输送装置在酸洗室顶面、沿洗篮进出方向设置有直线导轨，直线导轨下方接有在竖直方向运动的电动推杆，电动推杆的底端、沿洗篮进出方向通过转动电机连接有有电磁铁杆。
[0017]本技术设计的输送装置的主要功能为：使洗篮能够进出水洗室和酸洗室，而且能够在酸洗室中进行竖直方向上的位移，能够浸入浸出酸洗槽，全程无需操作人员接触，保证了操作人员的人身安全。
[0018]进一步地，水洗室靠近水洗室门的至少一个室壁上设置有排气扇；酸洗室靠近酸洗室门的至少一个室壁上设置有排气扇。
[0019]现有的清洗设备排气办法是顶部吸风，导致酸雾在上升过程中易膨胀，泄漏到车间。本技术采用侧方吸风的方法，在酸雾刚产生时就进行吸雾处理，避免酸雾泄漏。
[0020]进一步地，集液槽内设置有用以排出积液的出水口，酸洗槽内设置有用以输入酸液的酸液入口和用以排出酸液的酸液出口。
[0021]进一步地，酸洗室的入口处设置有用以控制酸洗室门开关的平移驱动轨，因此酸洗室门的开关无需操作人员手动操作。
[0022]与现有的硅废料清洗装置相比，本技术的有益效果是：
[0023](1)本技术通过“双层门”设计，实现硅废料的清洗过程中，操作人员与酸液和酸雾的零接触，从根源上避免了酸液和酸雾对于操作人员健康的危害
[0024](2)为了保证处理后硅废料的清洁度，本技术将酸洗、清洗和干燥工艺结合在同一个设备中，避免了清洁后硅废料的二次污染。
附图说明
[0025]图1是本技术的外观图；
[0026]图2是本技术一个角度下的结构示意图；
[0027]图3是本技术另一个角度下的结构示意图；
[0028]图4是本技术输送装置的工作意图。
[0029]图中：1-水洗室、11-水洗室门、12-集液槽、121-出水口、13-水洗喷头、14-水洗凹
槽、141-滚轴、142-传动齿轮、15-排气扇、2-酸洗室、21-酸洗室门、211-平移驱动轨、22-酸洗槽、221-酸液入口、222-酸液出口、23-输送装置、231-直线导轨、232-电动推杆、233-电磁铁杆、2331-第一限位块、2332-转动电机、3-洗篮、31-洗篮盖、32-洗篮筒、33-金属空心杆、331-第二限位块。
具体实施方式
[0030]为更进一步阐述本技术所采取的方式和取得的效果，下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚和完整地描述。
[0031]实施例
[0032]如图1、图2、图3所示，一种用于多晶硅加工废料的清洗设备，包括水洗室1、酸洗室2和洗篮3，其具体的结构如下：
[0033]水洗室1的入口处设置有水洗室门11，水洗室1沿中心轴方向、自上而下依次设置有水洗喷头13、水洗凹槽14以及集液槽12。
[0034]在硅废料酸洗后，虽然经过了漂洗和冲洗，但在硅废料的表面或缝隙处仍有可能残留酸。如果直接干燥，残留酸会对硅废料进行氧化，因此还需在酸洗后进行漂洗。现在一般厂家采用酸洗后经过二级超声漂洗后，烘干、包装，还有一种是在超声漂洗后，再在ID水中养一段时间后烘干、包装。但是这些方法均需要将硅废料浸泡在纯水中，反复使用循环水冲洗，这就会导致循环水中的酸液浓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅加工废料的清洗设备，包括水洗室(1)、酸洗室(2)和洗篮(3)，其特征在于：所述水洗室(1)的入口处设置有水洗室门(11)，所述水洗室(1)沿中心轴方向、自上而下依次设置有水洗喷头(13)、水洗凹槽(14)以及集液槽(12)；所述酸洗室(2)的入口处设置有酸洗室门(21)，所述酸洗室(2)沿中心轴方向、自上而下依次设置有输送装置(23)和酸洗槽(22)；所述洗篮(3)呈筒型，是由洗篮盖(31)、漏网式的洗篮筒(32)和设置在所述洗篮筒(32)中轴部、贯通洗篮筒(32)底面的金属空心杆(33)组成。2.如权利要求1所述的一种用于多晶硅加工废料的清洗设备，其特征在于，所述水洗凹槽(14)底部设置有用以承接洗篮(3)的滚轴(141)，以及用以使所述滚轴(141)进行同步转动的传动齿轮(142)。3.如权利要求1所述的一种用于多晶硅加工废料的清洗设备，其特征在于，所述输送装置(23)在酸洗室(2)顶面、沿洗篮(3)进出方向设置有直线导轨(231)，所述直线导轨(231)下方接有在竖直方向运动的电动推杆(232...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳振国，陈涛，和建丽，钱晶，
申请(专利权)人：江苏诺明高温材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：