一种电容权重的校准电路制造技术

本申请实施例公开了一种电容权重的校准电路。所述电路包括：正向电容阵列Cmp～C0p、负向电容阵列Cmn～C0n、比较器、处理器、正向电容阵列对应的正向控制开关组Smp～S1p以及负向电容阵列对应的负向控制开关组Smn～S1n，其中比较器，用于比较正向电容阵列上极板的电压Vp与负向电容阵列上极板的电压Vn，并产生比较结果；处理器，与所述比较器相连，用于根据比较结果，产生控制信号，其中所述控制信号控制所述正向控制开关组Smp～S1p和负向控制开关组Smn～S1n连接基准电压VREF或地GND；其中，m为大于等于2的整数。等于2的整数。等于2的整数。

【技术实现步骤摘要】
一种电容权重的校准电路


[0001]本申请实施例涉及电子电路领域，尤指一种电容权重的校准电路。

技术介绍

[0002]在卫星导航领域，导航接收机接收到信号后，经过低噪声放大器进行放大，然后经过混频器下变频到中频，再经过滤波器和可变增益放大器输入给模数转换器，模数转换器将模拟信号转换成数字信号后由基带处理，以此得到当前的位置信息。由于导航有用信号本身的能量很低，淹没在噪声之中，当干扰信号很强时，就需要高精度的模数转换器来将微弱的有用信号识别出来并转换成数字信号，供基带处理。逐次逼近寄存器型模数转换器(Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter，SAR ADC)由于其功耗低面积小的特点而被广泛使用于卫星导航领域。
[0003]逐次逼近型模数转换器的精度为8-10位，电容的匹配直接影响逐次逼近型模数转换器的精度，而电容的匹配受限于集成电路的制造工艺。在相关技术中，如果要提高电容的匹配，可以通过增加电容尺寸来实现，但是这样会增加芯片的面积，同时增大电路的功耗，增加芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容权重的校准电路，与逐次逼近寄存器型模数转换器SAR ADC相连，其特征在于，所述电路包括：正向电容阵列，包括m个电容Cmp～C0p，电容值从Cmp到C0p依次减小，正向电容阵列的上极板与正向共模电压VCM相连，下极板与正向控制开关组Smp～S1p的一端相连，其中所述正向控制开关组Smp～S1p的另一端接基准电压VREF或地GND；负向电容阵列，包括m个电容Cmn～C0n，电容值从Cmn到C0n依次减小，负向电容阵列的上极板与负向共模电压VCM相连，下极板与负向控制开关组Smn～S1n的一端相连，其中所述负向控制开关组Smn～S1n的另一端接基准电压VREF或地GND；比较器，与所述正向电容阵列上极板和所述负向电容阵列上极板相连，用于比较正向电容阵列上极板的电压Vp与负向电容阵列上极板的电压Vn，并产生比较结果；处理器，与所述比较器相连，用于根据比较结果，产生控制信号，其中所述控制信号控制所述正向控制开关组Smp～S1p和负向控制开关组Smn～S1n连接基准电压VREF或地GND；其中，m为大于等于2的整数。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：正向控制开关组中的开关Smp～Skp接地GND，S(k-1)p～S1p接基准电压VREF；Smn～Skn接地GND，S(k-1)n～S1n接基准电压VREF，使正负电容阵列上极板电压的大小均为VCM，其中k为大于等于2且小于等于m的整数；正向控制开关组中的开关Skp从地GND切换成基准电压VREF；比较器，用于比较转换位置为i对应的正向电容阵列上极板的电压Vp与负向电容阵列上极板的电压Vn；当Vp>Vn时，比较结果为1；当Vp<Vn时，比...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，韩业奇，赵国民，王林，钟锦定，
申请(专利权)人：和芯星通上海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：