【技术实现步骤摘要】
一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源
[0001]本技术属于集成电路
，具体涉及一种高PSRR 高精度多阶电流补偿带隙基准源。
技术介绍
[0002]带隙基准是模拟电路电源管理核心电路之一，广泛应用于模数转换器、数模转换器、开关电源、线性稳压器这些模拟集成电路中。根据不同的模拟电路设计精度的要求，带隙基准的温漂系数和电源电压抑制比要求也不同。通常温漂系数越低越好，电源电压抑制比越高越好。因此低温漂系数、高电源电压抑制比的带隙基准在高精度电路中得到应用。
[0003]然而，由于CMOS，BJT，电阻，电容在不同工作温度下内部电子迁移和空穴的扩散速度各不相同，供电电压不稳定这些因素都会改变基准电压的大小；所以为了得到一个与电路工作温度和电源电压变化无关的参考电压；本技术提出了一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于：针对上述存在的不足，专利技术一种高 PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，其特征在于，包括偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、高温补偿电路和低温补偿电路；依次连接偏置产生与电源电压预调节电路、带隙基准核心电路、低温补偿电路和高温补偿电流。2.根据权利要求1所述一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，其特征在于，所述偏置产生与电源电压预调节电路包含PMOS管M1、M2、M3、M4、M7，M11，NOMS管M5、M6、M8、M10、M12，电阻R1、R2、R3以及运算放大器OP1；所述的运算放大器OP1正向输入端连接NOMS管M5的源极、NOMS管M6的栅极以及电阻R1电流输入端；所述的运算放大器OP1的反向输入端连接所述NOMS管M10的栅极、漏极以及所述电阻R2电流输出端；所述运算放大器OP1的输出端连接PMOS管M7的栅极；所述的电阻R2电流输入端连接NOMS管M8的源极；所述的电阻R3电流输入端连接NOMS管M12的源极；所述的PMOS管M1的栅极连接PMOS管M1的漏极、PMOS管M2的栅极和PMOS管M3的源极；所述的PMOS管M2的漏极连接PMOS管M4的源极；所述的PMOS管M3的漏极连接NOMS管M5的漏极；所述的PMOS管M4的漏极连接NOMS管M5的栅极、NOMS管M6的漏极，以及NOMS管M12的栅极；所述NOMS管M7的漏极连接NOMS管M8的漏极、栅极，以及PMOS管M11的源极；所述的NOMS管M7的漏极输出预调节电压V
DDL
；所述的NOMS管M12的漏极连接PMOS管M11的栅极、PMOS管M11的漏极；所述的PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极、NMOS管M7的源极连接电源电压V
DD
；所述的PMOS管M3的栅极、PMOS管M4的栅极、NOMS管M6的源极、电阻R1电流输出端、电阻R3电流输出端和NOMS管M10的源极连接GND。3.根据权利要求1所述一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源，其特征在于，所述带隙基准核心电路包含PMOS管M13、M14、M15、M16、M17、M18，电阻R4、R5、R6，运算放大器OP2；所述运算放大器OP2的正向输入端连接PMOS管M15的漏极和PMOS管M16的漏极、栅极和源极；所述运算放大器OP2的反向输入端连接PMOS管M13的漏极和电阻R4电流输入端；所述运算放大器OP2的输出端连接PMOS管M13的栅极，PMOS管M15的栅极，以及PMOS管M17的栅极；所述的电阻R4电流输出端连接PMOS管M14的漏极、栅极、源极；所述的电阻R5电流输入端连接PMOS管M17的漏极，所述的电阻R5电流输出端连接所述电阻R6电流输入端；所述的电阻R5电流输入端连接参考电压V
ref
；所述的电阻R6电流输入端连接补偿电压V
N
；所述的电阻R6电流输出端连接PMOS管M18的漏极、源极、栅极；所述的PMOS管M14的基极、PMOS管M16的基极、PMOS管M18的基极连接GND；所述的PMOS管M13的源极、PMOS管M15的源极、PMOS管M17的源极连接预调节电压V
DDL
。4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：韦崇敏，蔡超波，宋树祥，刘珊珊，钟树江，邓春兰，冯梓浩，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。