一种输出可调的电压偏置电路、芯片及通信终端制造技术

本发明专利技术提供了一种输出可调的电压偏置电路、芯片及通信终端。该偏置电路包括带隙电压基准单元、低压差线性稳压单元、第一传输门开关单元、逻辑编码控制单元和第二传输门开关单元。该偏置电路通过在带隙电压基准单元和低压差线性稳压单元中相应的设置电阻分压网络和反馈电阻网络，以生成多个不同温度系数、不同数值的电压和不同的增益系数；利用逻辑编码控制单元控制相应的传输门开关单元选择所需数值和温度系数的输入参考电压和所需的增益系数，以输出所需数值和温度系数的电压，为射频前端模块提供合适的偏置状态，以使射频前端模块实现更好的性能，并使通信终端在复杂环境下具有更好的灵活性和适应性。具有更好的灵活性和适应性。具有更好的灵活性和适应性。

【技术实现步骤摘要】
一种输出可调的电压偏置电路、芯片及通信终端


[0001]本专利技术涉及一种输出可调的电压偏置电路，同时也涉及包括该电压偏置电路的集成电路芯片及相应的通信终端，属于集成电路


技术介绍

[0002]随着通信技术日新月异的发展，对通信终端的性能提出了更高的要求。对集成电路芯片而言，需要具有更高的灵活性，更强的适应性。负责为射频前端模块提供直流工作点的偏置电路首当其冲，尤其是异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor，简称为HBT)射频偏置电路。因为射频前端模块的性能与偏置电路的工作状态息息相关，又考虑到射频前端模块在研发和应用中需要反复调试，加上如今便携式通信终端(以手机、平板电脑为主)规模数量巨大，应用环境复杂，因此为射频前端模块提供一个高灵活性的直流工作点至关重要，否则新一代通信技术的发展会受到很大的限制。
[0003]带隙电压基准电路(bandgap voltage reference circuit，简称为bandgap)和低压差线性稳压器(low dropout regulator本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种输出可调的电压偏置电路，其特征在于包括带隙电压基准单元、低压差线性稳压单元、第一传输门开关单元、逻辑编码控制单元和第二传输门开关单元；所述带隙电压基准单元通过所述第一传输门开关单元连接所述低压差线性稳压单元，所述低压差线性稳压单元连接所述第二传输门开关单元，所述逻辑编码控制单元连接所述第一传输门开关单元和所述第二传输门开关单元；利用所述逻辑编码控制单元控制所述第一传输门开关单元从所述带隙电压基准单元生成的多个不同温度系数、不同数值的电压中选取出所需数值和温度系数的电压，输出到所述低压差线性稳压单元作为其输入参考电压；同时，所述逻辑编码控制单元控制所述第二传输门开关单元从所述低压差线性稳压单元的多个增益系数中选取出对应所需的增益系数，并通过所述低压差线性稳压单元构成负反馈闭环系统，实现增益系数反馈节点的电压近似等于输入参考电压，从而输出所需数值和温度系数的电压。2.如权利要求1所述的输出可调的电压偏置电路，其特征在于：所述带隙电压基准单元包括运算放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一电阻、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第三双极型晶体管和电阻分压网络；所述运算放大器的同相输入端连接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述第一双极型晶体管的发射极，所述运算放大器的反相输入端连接所述第二PMOS管的漏极和所述第二双极型晶体管的发射极，所述运算放大器的输出端连接所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的栅极，所述第三PMOS管的漏极连接所述电阻分压网络的一端，所述电阻分压网络的另一端连接所述第三双极型晶体管的发射极，所述电阻分压网络的输出端连接所述第一传输门开关单元，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的源极连接电源电压,所述第一双极型晶体管、所述第二双极型晶体管、所述第三双极型晶体管的集电极接地。3.如权利要求2所述的输出可调的电压偏置电路，其特征在于：所述电阻分压网络由多个第二电阻串联组成；所述电阻分压网络不同的电阻节点对应输出不同温度系数、不同数值的电压。4.如权利要求2所述的输出可调的电压偏置电路，其特征在于：所述低压差线性稳压单元包括误差放大器...

【专利技术属性】
技术研发人员：高晨阳，林升，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：