显示设备制造技术

显示设备包括：第一晶体管，包括第一沟道区、与第一沟道区重叠的第一栅电极以及连接至接收驱动电压的节点的第一电极；第二晶体管，电连接至第一晶体管的第一电极，第二晶体管包括第二沟道区以及与第二沟道区重叠并接收扫描信号的第二栅电极；发光元件，电连接至第一晶体管的第二电极；第一导电线，与第一栅电极重叠并接收与驱动电压不同的可变电压，同时第一沟道区在中间；以及第二导电线，与第二栅电极重叠并接收扫描信号，同时第二沟道区在中间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
显示设备


[0001]本专利技术构思的实施例涉及一种显示设备。更具体地，本专利技术构思的实施例涉及一种包括多个晶体管的显示设备。

技术介绍

[0002]显示设备可以包括多个像素以显示图像。像素中的每一个可以包括：包括驱动晶体管的多个晶体管以及电连接至晶体管的发光元件。包括在像素中的每一个中的驱动晶体管可以产生驱动电流，并且包括在像素中的每一个中的发光元件可以发射具有与驱动电流的量对应的亮度的光。然而，在当前时段期间驱动晶体管的电压-电流特性可能根据在在先时段期间驱动晶体管的操作状态而改变。换句话说，包括在像素中的驱动晶体管可能具有迟滞。
[0003]当显示设备已在在先时段期间显示黑色图像，并且然后在接下来的时段期间显示白色图像时，由于驱动晶体管的迟滞，在接下来的时段期间显示设备的亮度可能低于预期。这种现象可以被称为阶跃效率。进一步，当在在先时段期间显示设备中的显示区域以不同的灰度级被驱动时，由于驱动晶体管的迟滞，即使显示区域在随后的时段期间以相同的灰度级被驱动，显示区域也可能在一定时间内发射不同的亮度。这种现象可以被称为瞬时残像。

技术实现思路

[0004]本专利技术构思的至少一个实施例提供一种具有改善的阶跃效率和/或减少的瞬时残像的显示设备。
[0005]根据本专利技术构思的示例性实施例的显示设备包括：第一晶体管，包括第一沟道区、与第一沟道区重叠的第一栅电极以及接收驱动电压的第一电极；第二晶体管，电连接至第一晶体管的第一电极，第二晶体管包括第二沟道区以及与第二沟道区重叠并接收扫描信号的第二栅电极；发光元件，电连接至第一晶体管的第二电极；第一导电线，与第一栅电极重叠，并接收与驱动电压不同的可变电压；以及第二导电线，与第二栅电极重叠，并接收扫描信号。第一沟道区位于第一导电线和第一栅电极之间。第二沟道区位于第二导电线和第二栅电极之间。
[0006]在实施例中，可变电压是大于驱动电压的正电压或小于驱动电压的负电压。
[0007]在实施例中，显示设备进一步包括第三晶体管，其电连接至第一晶体管的第二电极，第三晶体管包括第三沟道区以及与第三沟道区重叠并接收扫描信号的第三栅电极。
[0008]在实施例中，第二导电线与第三栅电极重叠，并且第三沟道区位于第二导电线与第三栅电极之间。
[0009]在实施例中，显示设备进一步包括接收扫描信号的扫描线，其中第二栅电极和第三栅电极中的每一个是扫描线的一部分。
[0010]在实施例中，第一导电线包括沿第一方向延伸的延伸部分以及与第一栅电极重叠
的重叠部分。
[0011]在实施例中，重叠部分在与第一方向交叉的第二方向上的宽度大于延伸部分在第二方向上的宽度。
[0012]在实施例中，第二导电线包括沿第一方向延伸的延伸部分以及与第二栅电极重叠的重叠部分。
[0013]在实施例中，重叠部分在与第一方向交叉的第二方向上从延伸部分突出。
[0014]在实施例中，第一导电线连接至位于显示区域外部的可变电压供给线。
[0015]在实施例中，第二导电线连接至位于显示区域外部的扫描信号供给线。
[0016]在实施例中，第一晶体管和第二晶体管中的每一个是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
[0017]根据本专利技术构思的示例性实施例的显示设备包括：基板；第一导电层，设置在基板上并接收可变电压；第二导电层，设置在基板上，与第一导电层间隔开，并接收扫描信号；第一晶体管，包括设置在第一导电层上的第一有源层以及设置在第一有源层上的第一栅电极；第二晶体管，包括设置在第二导电层上并电连接至第一有源层的第一端部的第二有源层以及设置在第二有源层上并接收扫描信号的第二栅电极；以及发光元件，电连接至第一晶体管。第一有源层的第一端部接收与可变电压不同的驱动电压。
[0018]在实施例中，可变电压是大于驱动电压的正电压或小于驱动电压的负电压。
[0019]在实施例中，显示设备进一步包括第三晶体管，其包括设置在第二导电层上并电连接至第一有源层的第二端部的第三有源层以及设置在第三有源层上并接收扫描信号的第三栅电极。
[0020]在实施例中，第一导电层连接至位于显示区域外部的可变电压供给线。
[0021]在实施例中，可变电压供给线被设置在第一导电层上，绝缘层位于显示区域外部、可变电压供给线和第一导电层之间，并且第一导电层通过形成在绝缘层中的接触孔接触可变电压供给线。
[0022]在实施例中，第二导电层连接至位于显示区域外部的扫描信号供给线。
[0023]在实施例中，扫描信号供给线被设置在第二导电层上，绝缘层位于显示区域外部、扫描信号供给线和第二导电层之间，并且第二导电层通过形成在绝缘层中的接触孔接触扫描信号供给线。
[0024]在实施例中，第一晶体管和第二晶体管中的每一个是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。
[0025]根据本专利技术构思的示例性实施例，显示设备包括发光元件、驱动晶体管和驱动电路。驱动晶体管用于控制穿过发光元件的电流。驱动晶体管包括连接至接收驱动电压的节点的第一端子以及连接至接收可变电压的节点的底栅端子。驱动电路被配置为提供可变电压，其中可变电压是大于驱动电压的正电压或小于驱动电压的负电压。
[0026]在示例性实施例中，驱动电路被配置为将可变电压的值改变为负电压以增加显示设备的阶跃效率，或者改变为正电压以减少在显示设备上能够感知的残像的数量。
[0027]根据本专利技术构思的至少一个实施例的显示设备可以包括：第一导电线，与第一栅电极重叠并接收可变电压，同时第一晶体管的第一沟道区在中间；以及第二导电线，与第二栅电极重叠并接收扫描信号，同时第二晶体管的第二沟道区在中间，使得显示设备的阶跃
效率和/或瞬时残像可以被改善。
附图说明
[0028]通过参考附图详细描述示例性实施例，本专利技术构思将变得更加显而易见，其中：
[0029]图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的显示设备的平面图；
[0030]图2是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的图1中的显示设备的框图；
[0031]图3是示出图2中的显示设备的像素的电路图；
[0032]图4是示出图1中的显示设备的显示区域的平面图；
[0033]图5是示出图4中的第一导电线和第二导电线的平面图；
[0034]图6是沿图4中的线I-I'截取的截面图；
[0035]图7是示出图1中的显示设备的非显示区域的平面图；
[0036]图8是沿图7中的线II-II'和III-III'截取的截面图；
[0037]图9是示出示例性阶跃效率根据第一导电线接收的可变电压的图；以及
[0038]图10是示出根据实施例示例和比较示例的显示设备的瞬时残像的图。
具体实施方式
[0039]在下文中，将参考附图详细地解释根据本专利技术构思的示例性实施例的显示设备。
[0040]图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的显示设备的平面图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：第一晶体管，包括第一沟道区、与所述第一沟道区重叠的第一栅电极以及接收驱动电压的第一电极；第二晶体管，电连接至所述第一晶体管的所述第一电极，所述第二晶体管包括第二沟道区以及与所述第二沟道区重叠并接收扫描信号的第二栅电极；发光元件，电连接至所述第一晶体管的第二电极；第一导电线，与所述第一栅电极重叠，其中所述第一沟道区位于所述第一导电线和所述第一栅电极之间，所述第一导电线接收与所述驱动电压不同的可变电压；以及第二导电线，与所述第二栅电极重叠，其中所述第二沟道区位于所述第二导电线和所述第二栅电极之间，所述第二导电线接收所述扫描信号。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述可变电压是大于所述驱动电压的正电压或小于所述驱动电压的负电压。3.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：第三晶体管，电连接至所述第一晶体管的所述第二电极，所述第三晶体管包括第三沟道区以及与所述第三沟道区重叠并接收所述扫描信号的第三栅电极。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述第二导电线与所述第三栅电极重叠，并且所述第三沟道区位于所述第二导电线与所述第三栅电极之间。5.根据权利要求3所述的显示设备，进一步包括：接收所述扫描信号的扫描线，其中所述第二栅电极和所述第三栅电极中的每一个是所述扫描线的一部分。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一导电线包括沿第一方向延伸的延伸部分以及与所述第一栅电极重叠的重叠部分。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中所述重叠部分在与所述第一方向交叉的第二方向上的宽度大于所述延伸部分在所述第二方向上的宽度。8.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二导电线包括沿第一方向延伸的延伸部分以及与所述第二栅电极重叠的重叠部分。9.根据权利要求8所述的显示设备，其中所述重叠部分在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述延伸部分突出。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一导电线连接至位于显示区域外部的可变电压供给线。11.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二导电线连接至位于显示区域外部的扫描信号供给线。12.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个是p沟道金属氧化物半导体晶体管。13.一种显示设备，包括：基板；第一导电层，设置在所述基板上并接收可变电压；第二导电层，设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：车明根，崔相虔，郭惠娜，辛知映，李镕守，崔起锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：