铌化合物和形成薄膜的方法技术

铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1

【技术实现步骤摘要】
铌化合物和形成薄膜的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2019年8月6日在韩国知识产权局提交的并且标题为“Niobium Compound and Method of Forming Thin Film”(铌化合物和形成薄膜的方法)的韩国专利申请No.10-2019-0095746通过引用整体并入本文。


[0003]实施例涉及铌化合物和使用铌化合物形成薄膜的方法。

技术介绍

[0004]随着电子技术的发展，半导体器件的规模迅速缩小，构成电子器件的图案也微型化。

技术实现思路

[0005]实施例可以通过提供由以下通式I表示的铌化合物来实现：
[0006][通式I][0007][0008]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1-C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌化合物，所述铌化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1-C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。2.根据权利要求1所述的铌化合物，其中：R4、R5、R6、R7和R8中的一个是C1-C3直链烷基或C3支链烷基，并且R4、R5、R6、R7和R8中的剩余那些是氢原子。3.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是氢原子。4.根据权利要求1所述的铌化合物，其中：R4、R5、R6、R7和R8均是甲基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。5.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R1是C1-C5直链烷基或支链烷基。6.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R2和R3中的至少一个是卤素原子。7.根据权利要求1所述的铌化合物，其中，R2和R3中的至少一个是C1-C3直链烷基或C3支链烷基。8.根据权利要求1所述的铌化合物，其中：所述铌化合物由以下通式II表示：[通式II]在通式II中，R1和R4各自独立地是C1-C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是卤素原子、或者C1-C6直链烷基或支链烷基。9.根据权利要求8所述的铌化合物，其中，R1是C3-C5支链烷基。10.根据权利要求8所述的铌化合物，其中，R2和R3各自独立地是卤素原子。11.根据权利要求8所述的铌化合物，其中，R2和R3各自独立地是C1-C3直链烷基或C3支
链烷基。12.根据权利要求8所述的铌化合物，其中：R1是支链戊基，R2和R3各自独立地是氯原子、C1-C3直链烷基或者C3支链烷基，并且R4是C1-C3直链烷基或者C3支链烷基。13.一种铌化合物，所述铌化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1是C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基，并且当R4、R5、R6、R7和R8全部是甲基时，R2和R3各自独立地是氢原子、C1-C6直链烷基或支链烷基、或者C3-C6环烃基。14.一种铌...

【专利技术属性】
技术研发人员：李沼姈，柳承旻，朴圭熙，林载顺，曺仑廷，斋藤昭夫，布施若菜，青木雄太郎，小出幸宜，
申请(专利权)人：株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：