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铌化合物和形成薄膜的方法技术
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文档序号:27306864
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铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法,所述化合物由以下通式I表示:[通式I]其中,在通式I中,R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1
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该专利属于株式会社ADEKA所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社ADEKA授权不得商用。
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