一种嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法技术

本发明专利技术属于微生物培养技术领域，具体公开了一种嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，所述厌氧培养采用的混合气体配比为85～94％N2、5％H2、1～10％CO2，采用的培养基为改良BHI培养基，所述改良BHI培养基中添加有Mucin和Yeast Exctact。本发明专利技术的培养基和培养条件的配合使得Akk菌的生长繁殖不受液面高低限制，既可以在摇瓶中良好生长，也可以在平板表面良好生长，降低了Akk菌的培养难度，同时使得Akk菌的生长速度由现有技术的3～4d降为24～36h，极大的缩短了培养时间，提高了Akk菌的活性并促进了Akk菌的生长，对Akk菌的扩大化培养和深入研究具有重要意义。入研究具有重要意义。入研究具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】
37g/L、Yeast Exctact 5g/L、Mucin 2.5g/L、刃天青1mg/L、L-半胱氨酸盐酸盐100mg/L。
[0010]进一步的，所述改良BHI培养基配制方法为：
[0011]S1、Mucin溶液的配制：将Mucin溶于PBS缓冲液，浓度为1％(W/V)，灭菌、静置过夜，12000rpm离心5min，取上清备用；
[0012]S2、L-半胱氨酸盐酸盐溶液的配制：将L-半胱氨酸盐酸盐溶解于超纯水，得到10％(W/V)的L-半胱氨酸盐酸盐溶液，过滤除菌备用；
[0013]S3、向1L水中加入Brain-heart Infusion Extract 37g，Yeast Exctact 5g，0.1％(W/V)刃天青1mL，混合均匀后，高压灭菌处理，然后取375mL灭菌液加入125mL步骤S1的Mucin溶液，混合均匀后加入10mL步骤S2的L-cysteine hydrochloride溶液，得改良BHI培养基。
[0014]进一步的，所述厌氧培养采用的培养温度为37℃。
[0015]一种嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，其特征在于，所述厌氧培养采用的混合气体配比为85～94％N2、5％H2、1～10％CO2。2.如权利要求1所述的嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，其特征在于，所述厌氧培养采用的混合气体配比88～92％N2、5％H2、3～7％CO2。3.如权利要求1或2所述的嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，其特征在于，所述厌氧培养采用的混合气体配比为90％N2、5％H2、5％CO2。4.如权利要求1所述的嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，其特征在于，所述厌氧培养采用的培养基为改良BHI培养基，所述改良BHI培养基中添加有Mucin和Yeast Exctact。5.如权利要求4所述的嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，其特征在于，所述改良BHI培养基的配方为：Brain-heart Infusion Extract37g/L、Yeast Exctact5g/L、Mucin2.5g/L、刃天青1mg/L、L-半胱氨酸盐酸盐100mg/L。6.如权利要求5所述的嗜黏蛋白阿克曼氏菌的厌氧培养方法，其特征在于，所述改良BHI培养基配制方法为：S1、Mucin溶液的配制：将Mucin溶于PBS缓冲液，浓度为1％(W/V)，灭菌、静置过夜，12000rpm离心5min，取上清备用；S2、L-半胱氨酸盐酸盐溶液的配制：将L-半胱氨酸盐酸盐溶解于超纯水，得到1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏，石长萍，
申请(专利权)人：君维安武汉生命科技有限公司，
类型：发明
国别省市：