本申请涉及用于具有高像素数的显示装置的彩色无机LED显示器。一种在显示装置中使用的图像生成器，图像生成器包括：多个ILED阵列芯片，每个ILED阵列芯片包括多个ILED发射器并且布置在阵列中使得图像生成器的多个像素中的每一个包括来自多个相邻ILED阵列芯片中的每一个的ILED发射器。ILED发射器材料的总面积小于每一个像素的面积的50％。图像生成器可以包括二次光学器件，二次光学器件与ILED阵列芯片的多个ILED发射器的输出光通信并且被配置为朝向相关联的像素的发射区引导来自ILED发射器的光。射器的光。射器的光。
【技术实现步骤摘要】
用于具有高像素数的显示装置的彩色无机LED显示器
[0001]本申请是申请日为2015年7月31日，申请号为201580053398.8，专利技术名称为“用于具有高像素数的显示装置的彩色无机LED显示器”的申请的分案申请。
[0002]本专利技术涉及图像生成器。具体地，本专利技术涉及但不限于这样的图像生成器，即有效地使用光和ILED基板面从而导致大面积中的提高的功率效率/更高的分辨率显示，同时解决可制造性问题并实现可与其他显示方式竞争的成本。
技术介绍
[0003]该技术的当前状态包括R、G以及B显示器子像素的布置以形成单个显示器像素。在图1中突出显示低分辨率显示器的典型配置，其中分离的R、G以及B ILED芯片封装在一起来为显示器中的每一个像素提供必要的光。在该实例中，每个R、G以及B芯片中，每个芯片具有一个发射器。这些R、G、B芯片的典型/最小大小是50μm
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50μm。对于具有适中分辨率的更大的显示器，ILED芯片与显示器子像素之间的一对一关系导致需要非常多的ILED芯片。这显著引起了可制造性和成本问题。对于超高分辨率显示器，ILED芯片的大小限制像素显示的面积和大小并且因此限制总体显示分辨率。在这种情况下，显示器像素大小被限制为100μm
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100μm的面积，这不足以在子面积20μm
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20μm中实现高分辨率显示。
[0004]可替换的方法可以减小ILED芯片的尺寸。在基板或驱动底板上制造并放置小于20μm
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20μm的芯片在技术上是复杂的且有挑战性，因此限制了显示器像素大小(即使处于低水平)。此外，这并不能解决所需的放置步骤的数量的问题。因此，这在技术和经济上将会存在困难。
技术实现思路
[0005]根据本专利技术的一个方面，提供了一种在显示装置中使用的图像生成器，图像生成器包括：多个ILED阵列芯片，每个ILED阵列芯片包括多个ILED发射器并且布置在阵列中使得图像生成器的多个像素中的每一个包括来自多个相邻ILED阵列芯片中的每一个的ILED发射器，并且其中，ILED发射器材料的总面积小于每一个像素的面积的50％。
[0006]可选地，ILED发射器材料的总面积在每一个像素的面积的从5％至10％的范围内。
[0007]可选地，图像生成器进一步包括二次光学器件，二次光学器件与ILED阵列芯片的多个ILED发射器的输出光通信并且被配置为朝向相关联的像素的发射区引导来自ILED发射器的光。
[0008]可选地，二次光学器件包括以下中的一个或多个：反射结构、光转向光学器件、光提取特征、菲涅耳型结构、印刷光学器件、蚀刻光学器件、全息光学器件、衍射光栅或其他类型的光学部件。
[0009]可选地，光提取特征被配置为减少或消除二次光学器件的内反射，使得光从二次光学器件发射。
[0010]可选地，像素发射区的大小和/或形状由光提取特征的大小和形状确定。
[0011]可选地，图像生成器进一步包括在输出处的漫射导光板。
[0012]可选地，漫射导光板包括限定显示装置的每一个像素并被配置为防止像素间串扰的像素间区。
[0013]可选地，像素间区包括间隙。
[0014]可选地，间隙至少部分地填充有介电材料和反射材料中的一个或多个。
[0015]可选地，每个ILED芯片具有单片结构。
[0016]可选地，每个ILED阵列芯片上的多个ILED发射器被配置为发射基本上相同颜色的光。
[0017]可选地，颜色是红色、绿色以及蓝色中的一个。
[0018]可选地，每个ILED阵列芯片上的多个ILED发射器配置在2
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2矩阵中。
[0019]可选地，ILED阵列芯片形状为正方形、矩形、三角形、圆形以及多边形中的一个。
[0020]可选地，每个ILED阵列芯片上的多个ILED发射器中的每一个安装在ILED阵列芯片的角部。
[0021]可选地，ILED发射器安装在基本上透明的载体上使得所发射的光透过载体传播。
[0022]可选地，二次光学器件直接与ILED阵列芯片集成。
[0023]可选地，二次光学器件直接与导光板集成。
[0024]可选地，LED发射器包括微ILED发射器。
[0025]根据本专利技术的一个方面，提供了一种在显示装置中使用的图像生成器，包括：多个ILED阵列芯片，每个ILED阵列芯片包括多个ILED发射器并且布置在阵列中使得显示装置的多个像素中的每一个包括来自多个相邻ILED阵列芯片中的每一个的ILED发射器；以及二次光学器件，与ILED阵列芯片的多个ILED发射器的输出光通信并被配置为朝向相关联的像素的发射区引导来自ILED发射器的光。
[0026]可选地，二次光学器件包括以下中的一个或多个：反射结构、光转向光学器件、光提取特征、菲涅耳型结构、印刷光学器件、蚀刻光学器件、全息光学器件、衍射光栅或其他类型的光学部件。
[0027]可选地，光提取特征被配置为减少或消除二次光学器件的内反射，使得光从二次光学器件发射。
[0028]可选地，像素发射区的大小和/或形状通过光提取特征的大小和形状确定。
[0029]可选地，图像生成器进一步包括在输出处的漫射导光板。
[0030]可选地，漫射导光板包括限定显示装置的每一个像素并被配置为防止像素间串扰的像素间区。
[0031]可选地，像素间区包括间隙。
[0032]可选地，间隙至少部分地填充有介电材料和反射材料中的一个或多个。
[0033]可选地，ILED发射器安装在或嵌入在基本上透明的载体上使得发射的光透过载体传播。
[0034]可选地，二次光学器件直接与ILED芯片集成。
[0035]可选地，二次光学器件安装在或嵌入在导光板中。
[0036]可选地，ILED发射器包括微ILED发射器。
[0037]根据本专利技术的一个方面，提供一种显示装置，包括根据前述的图像生成器。
[0038]本专利技术的目的是利用现有技术缓解或解决一个或多个问题。本专利技术大大地减少了与成本、可制造性以及最小像素大小相关联的问题。
[0039]根据本专利技术，在第一方面中，提供了一种显示装置，包括：多个ILED芯片，每个ILED芯片包括多个LED器件并且布置在阵列中使得显示装置的多个像素中的每一个包括来自多个相邻ILED芯片中的一个或多个LED器件。
[0040]可选地，LED器件包括一个或多个μLED器件。
[0041]可选地，显示装置进一步包括二次光学器件，二次光学器件与ILED芯片的多个LED器件的输出光通信并且被配置为朝向相关联的像素引导来自LED器件的光。
[0042]可选地，二次光学器件可以是定向光学器件以操纵并控制从ILED芯片到导光板的光路方向以及导光板内的光路方向以及来自导光板的光路方向。二次光学器件可以包括以下中的一个或多个：反射结构、光转向光学器件、背射本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：第一无机发光二极管ILED阵列芯片，其包括第一ILED发射器，每个第一ILED发射器提供用于所述显示装置的不同像素的子像素；以及第二ILED阵列芯片，其包括第二ILED发射器，每个第二ILED发射器提供用于所述显示装置的不同像素的子像素，所述第一ILED阵列芯片和所述第二ILED阵列芯片布置为使得所述显示装置的像素包括来自所述第一ILED阵列芯片的第一ILED发射器以及来自所述第二ILED阵列芯片的第二ILED发射器。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一ILED阵列芯片的ILED发射器材料的总面积在每个像素的面积的从5％至10％的范围内。3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括二次光学器件，所述二次光学器件与所述第一ILED阵列芯片的所述第一ILED发射器的输出光通信并且被配置为朝向所述像素的发射区引导来自所述第一ILED发射器的光。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述二次光学器件包括以下中的一个或多个：反射结构、光转向光学器件、光提取特征、菲涅耳型结构、印刷光学器件、蚀刻光学器件、全息光学器件或衍射光栅。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述二次光学器件包括光提取特征，所述光提取特征被配置为减少或消除所述二次光学器件的内反射，使得光从所述二次光学器件发射。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述二次光学器件限定像素发射区域，所述像素发射区具有与所述光提取特征的大小或形状对应的的大小或形状。7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述二次光学器件包括漫射导光板。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述漫射导光板限定所述显示装置的每个像素之间的像素间区，并且防止像素间串扰。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述像素间区包括间隙，并且所述间隙至少部分地填充有介电材料和反射材料中的一个或多个。10.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述二次...
【专利技术属性】
技术研发人员：威廉姆，
申请(专利权)人：脸谱科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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