一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置。其中，阵列基板包括衬底和设置于衬底一侧的像素驱动电路，像素驱动电路包括多个驱动单元，驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，连接电极位于导电衬垫远离衬底的一侧，导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间包括间隙。本发明专利技术提供阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置，通过在连接电极靠近衬底的一侧设置具有间隙的导电衬垫，以使阵列基板与微发光单元对位键合时，受到按压的连接电极填充进间隙中，从而在提高微发光单元与阵列基板连接概率的同时，避免受到按压的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高了产品良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)显示器是一种将Micro LED以芯片的形式单独制作出来，然后通过巨量转移方法将其转移并键和到阵列基板的像素驱动电路上所构成的显示器，该种显示器具有显示性能好、体积小、功率低等优点，具有广泛的应用前景。
[0003]在将Micro-LED键和到像素驱动电路上时，可能会发生电极间短路的现象，从而影响Micro LED显示器的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置，以避免将Micro-LED键和到像素驱动电路上时发生短路现象。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括衬底和设置于所述衬底一侧的像素驱动电路；
[0006]所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底的一侧；
[0007]所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙。
[0008]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括多个微发光单元和第一方面所述的阵列基板；
[0009]所述微发光单元包括第一电极，所述第一电极通过所述连接电极与所述驱动单元电连接，所述连接电极填充至少部分所述间隙。
[0010]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备第二方面所述的显示面板，所述制备方法包括：
[0011]在衬底一侧制备像素驱动电路，其中，所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底一侧，所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙；
[0012]制备多个微发光单元，其中，所述微发光单元包括第一电极；
[0013]将所述第一电极通过所述连接电极与所述驱动单元电连接，其中，所述连接电极填充至少部分所述间隙。
[0014]第四方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。
[0015]本专利技术实施例提供阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置，通过在连接电极
靠近衬底的一侧设置导电衬垫，并设置导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间形成间隙，以使阵列基板与微发光单元对位键合时，受到按压的连接电极填充进间隙中，从而在提高微发光单元与阵列基板连接概率的同时，避免受到按压的连接电极向周边流动而造成相邻的连接电极之间短路，提高了产品良率。
附图说明
[0016]图1为现有的一种显示面板的制备流程示意图；
[0017]图2为现有的一种显示面板的局部结构示意图；
[0018]图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；
[0019]图4为本专利技术实施例提供的一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
[0020]图5为本专利技术实施例提供的一种阵列基板与微发光单元键合的流程示意图；
[0021]图6为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图；
[0022]图7为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
[0023]图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板在去除遮挡结构之前的局部结构示意图；
[0024]图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板在去除遮挡结构之后的局部结构示意图；
[0025]图10为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
[0026]图11为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
[0027]图12为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
[0028]图13为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图；
[0029]图14为本专利技术实施例提供的另一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
[0030]图15为本专利技术实施例提供的另一种阵列基板与微发光单元键合的流程示意图；
[0031]图16为本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
[0032]图17为本专利技术实施例提供的又一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
[0033]图18为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图；
[0034]图19为本专利技术实施例提供的又一种驱动单元与微发光单元键合的流程示意图；
[0035]图20为本专利技术实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图；
[0036]图21为本专利技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
[0037]图22为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0038]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0039]图1为现有的一种显示面板的制备流程示意图，图2为现有的一种显示面板的局部结构示意图。参见图1和图2，Micro LED晶片10在生长衬底11上单独制作出来，然后转运装置12利用范德华力粘附Micro LED晶片10，并将其按压到阵列基板13上，通过加热阵列基板13，使阵列基板13上像素驱动电路的金属连接电极14熔化，从而使得金属连接电极14与
Micro LED晶片10的电极形成共晶结构，实现Micro LED晶片10和阵列基板11上像素驱动电路的连接。
[0040]专利技术人研究发现，由于阵列基板13和转运装置12都会有凹凸不平的情况，会存在一部分Micro LED晶片10与像素驱动电路的金属连接电极14接触时，另一部分Micro LED晶片10没有与金属连接电极14接触到的情况，从而使得该部分Micro LED晶片10无法与金属连接电极14连接。现有技术中通常采用厚度较大的金属连接电极14，在将Micro LED晶片10按压到阵列基板11上时，加大金属连接电极14熔化后的变形程度，以提升Micro LED晶片连接的概率，但是金属连接电极14变形程度较大容易造成Micro LED晶片的两个电极之间短路，影响显示面板的良率。
[0041]基于上述技术问题，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括衬底和设置于衬底一侧的像素驱动电路，像素驱动电路包括多个驱动单元，驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，连接电极位于导电衬垫远离衬底的一侧，导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个衬垫分部之间包括间隙。采用上述技术方案，通过在连接电极靠近衬底的一侧设置导电衬垫，并设置导电衬垫包括至少两个间隔设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底一侧的像素驱动电路；所述像素驱动电路包括多个驱动单元，所述驱动单元包括相互电连接的导电衬垫和连接电极，所述连接电极位于所述导电衬垫远离所述衬底的一侧；所述导电衬垫包括至少两个间隔设置的衬垫分部，相邻两个所述衬垫分部之间包括间隙。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动单元还包括金属种子层，所述金属种子层包括镂空部；所述导电衬垫位于所述金属种子层远离所述衬底的一侧，且所述导电衬垫在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖至少部分所述金属种子层在所述衬底所在平面的垂直投影，所述镂空部在所述衬底所在平面的垂直投影覆盖所述间隙在所述衬底所在平面的垂直投影。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动单元还包括遮挡结构；所述金属种子层包括相互连接的被遮挡部和暴露部，所述暴露部位于靠近所述镂空部的一侧；所述遮挡结构在所述衬底所在平面上的垂直投影覆盖所述被遮挡部在所述衬底所在平面上的垂直投影，所述遮挡结构包括第一开口，所述第一开口暴露所述金属种子层的暴露部，所述导电衬垫以及所述连接电极在所述衬底所在平面上的垂直投影位于所述第一开口在所述衬底所在平面上的垂直投影内。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极包括远离所述衬底一侧的第一表面，所述遮挡结构包括远离所述衬底一侧的第二表面，所述第一表面位于所述第二表面远离所述衬底的一侧。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一表面与所述衬底之间的距离为第一距离H1,所述第二表面与所述衬底之间的距离为第二距离H2，其中，1μm≤H1-H2≤10μm。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动单元还包括辅助层，所述辅助层包括朝向所述连接电极的第二开口；至少两个所述衬垫分部包括第一衬垫分部和第二衬垫分部；所述第一衬垫分部和所述第二衬垫分部分别位于所述第二开口两侧的所述辅助层远离所述衬底的一侧；所述连接电极包括第一电极分部和第二电极分部，所述第一电极分部位于所述第一衬垫分部远离所述衬底的一侧，所述第二电极分部位于所述第二衬垫分部远离所述衬底的一侧。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，至少两个所述衬垫分部还包括第三衬垫分部，所述第三衬垫分部位于所述第二开口中；所述连接电极还包括第三电极分部，所述第三电极分部位于所述第三衬垫分部远离所述衬底的一侧；所述第一电极分部包括远离所述衬底一侧的第一子表面，所述第二电极分部包括远离所述衬底一侧的第二子表面，所述第三电极分部包括远离所述衬底一侧的第三子表面，所述第一子表面和所述第二子表面均位于所述第三子表面远离所述衬底的一侧。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第三电极分部与所述第二开口的侧壁之间包括空隙。9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助层的厚度为H3，其中，1μm≤
H3≤10μm。10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助层为有机层。11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极的厚度为H4，其中，1μm≤H4≤10μm。12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电衬垫的厚度为H5，相邻两个所述衬垫分部之间的间隔距离为D1，其中，1μm≤H5≤10μm，1μm≤D1≤10μm。13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电衬垫的材料包括银或铜。14.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电衬垫远离所述衬底一侧的表面设置有抗氧化层。15.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极和所述导电衬垫之间的界面能大于所述连接电极和与所述连接电极相邻的其他膜层之间的界面能。16.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚绮君，
申请(专利权)人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：