本发明专利技术涉及一种氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置，包括调整台，所述调整台上具有若干散风部和若干风屏部；其中若干所述散风部适于将高压气流竖直散射；若干所述风屏部环若干所述散风部设置；所述风屏部适于将高压气流竖直射出以形成风墙，以及若干所述风墙相互接合形成风罩。在氮化硅陶瓷烧结时，根据所注入高压气体温度的不同，调节调整板，从而改变导流腔的位置，产生不同大小的风屏；如滞留未达到加热温度的高压气体，防止其对于高温集聚的影响，如引导达到加热温度的高压气体高温集聚处，促进高温集聚的形成，为后续的产品的硬度、强度等都会产生有利影响。等都会产生有利影响。等都会产生有利影响。
【技术实现步骤摘要】
氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置
[0001]本专利技术涉及一种控风装置，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置。
技术介绍
[0002]中国专利申请号：CN201710621716.7公开一种多介质燃料通用热风炉用自动控风装置，包括底座，所述的底座上滑动连接有鼓风装置，所述的鼓风装置包括鼓风筒、设置在鼓风筒上的隔热装置、内置于鼓风筒的位置调节装置、与位置调节装置连接的鼓风机构、安装在隔热装置上的感应装置；所述的底座上还滑动连接有可自动对热风炉的通风口进行遮挡的控制装置，采用可检测火光大小的感应器，根据火光移动叶轮的位置，具有灵活性；使用两个叶轮，风力更大，更能满足需求；使用隔热层防止零件过热损坏，保障了零件的安全性；使用圆挡板，当需要热风炉停止工作时，自动隔绝空气与燃料的接触，无需人工操作，提高工作效率，降低生产成本。
[0003]以上方案存在以下弊端：1）无法确保受热温度的均匀性；2）因加热温度不持续均匀，可能导致后续的产品的硬度、强度等都会产生不利影响；3）直接通过鼓风筒加入的高压气体，极易造成对加热受体的影响。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置，包括调整台，其特征在于，所述调整台上具有若干散风部和若干风屏部；其中若干所述散风部适于将高压气流竖直散射；若干所述风屏部环若干所述散风部设置；所述风屏部适于将高压气流竖直射出以形成风墙，以及若干所述风墙相互接合形成风罩。
[0006]作为优选，所述散风部包括开设在所述调整台上的转向腔，所述转向腔内适配卡设有一个转向管；所述转向管的转向出气口处可转动地设置有叶轮，所述叶轮的底部一体设置有一分流头，以及沿着气体流动方向，所述分流头呈锥形。
[0007]作为优选，所述风屏部包括开设在所述调整台上的封堵腔，所述封堵腔的封堵入口与所述转向腔的转向竖通道互相连通，所述封堵腔的封堵出口位于所述调整台的顶部；所述转向管的侧部开设有一侧出风口，所述侧出风口与所述封堵腔入口相互连通。
[0008]作为优选，所述分流头的根部位于所述侧出风口的一侧。
[0009]作为优选，所述氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置还包括设置在所述调整台上的若干调整板，所述调整板上开设有若干导流腔，每个所述导流腔适配一个所述封堵腔的封堵竖通道；以及所述封堵竖通道包括相互连通的梯形腔和竖直腔，所述梯形腔的较大底面与所述导流腔连通，所述梯形腔的较小底面与所述竖直腔连通。
[0010]作为优选，所述梯形腔的较大底面的出口宽度与所述导流腔的出口宽度比值范围为1~2；所述调整板适于沿着Y轴水平调节以调整形成的风罩大小。
[0011]作为优选，所述调整台上开设有四个“冂”形凹槽；所述调整板的底部一体设置有
一插板，所述插板适于插接在所述“冂”形凹槽的一个槽边内。
[0012]作为优选，所述调整板包括侧定位板和侧滑板，所述侧滑板上开设所述导流腔，以及所述侧定位板的一侧开设有滑动盲槽，所述侧滑板上一体设置有一导向板，所述导向板可滑动地插接在所述滑动盲槽内。
[0013]作为优选，所述导向板上设置有一定位槽，以及所述侧滑板上适配有若干个定位孔，所述定位槽与所述定位孔中穿设有一定位柱，所述定位柱适于将侧滑板固定于所述定位板。
[0014]本专利技术的有益效果是，在氮化硅陶瓷烧结时，根据调整板所在的位置，进一步改变导流腔所产生风屏的大小，从而改变注入不同温度的高压气体，实现不同需求的技术效果；如滞留未达到加热温度的高压气体，防止其对于高温集聚的影响，如引导达到加热温度的高压气体高温集聚处，促进高温集聚的形成，为后续的产品的硬度、强度等都会产生有利影响。
附图说明
[0015]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。
[0016]图1是本专利技术的氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置的优选实施例的立体图；图2是本专利技术的转向管的出风口的结构的立体图；图3是本专利技术的叶轮结构的立体图。
[0017]图4是本专利技术的转向腔结构的剖视图及风向流动图；图5是本专利技术的转向腔结构的另一种工作状态的剖视图及风向流动图；图6是本专利技术的封堵腔结构的剖视图及风向流动图；图7是本专利技术的调整板结构的剖视图及风向流动图；图8是本专利技术的调整板结构的另一种工作状态的剖视图及风向流动图。
[0018]图中：散风部3，风屏部4，调整台51，转向腔511，转向竖通道5111，封堵腔512，封堵竖通道5121，封堵横通道5122，斜台5123，转向管52，叶轮521，分流头522，侧出风口523，导流腔53，梯形腔531，竖直腔532，调整板54，插板541，凹槽542，侧定位板55，侧滑板56，滑动盲槽57，导向板58，定位孔59，定位柱60，定位槽61。
具体实施方式
[0019]现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。
[0020]在现有技术中，在控风装置配合烧结装置时，其将气体介质直接通入到烧结设备之中，从而使气体介质直接喷射到发热加工处位置处，导致集聚的热气流被打散，从而使烧
结的物料质量层次不齐，为了能够解决以上技术问题，采用了如下的技术方案。
[0021]如图1-3和图6所示，本专利技术提供了一种氮化硅陶瓷烧结用的控风装置，控风装置包括调整台51，调整台51呈立方体结构，调整台51作为控风装置的主体，起到承载内部结构，以及支撑与控风装置连接的管道的作用；调整台51内设置有四个散风部3，散风部3适于将高压气流竖直散射，将气体介质传输管道中单向流通的高压气体改变成多向喷射出，有效的减小了单向流通的高压气体的冲击力，从而在烧结过程中降低了高压气体对坩埚的影响；散风部3中较为重要的部分是转向腔511和叶轮521。
[0022]其中，调整台51侧部设置有四个转向腔511，调整台51的四个侧面都设置有一个转向腔511，转向腔511均呈“L”形，转向腔511包括转向竖通道5111和转向横通道，转向竖通道5111与转向横通道连接且连通；每个转向腔511内适配卡设有一个转向管52；转向管52的出风口设置在调整台51的顶部，转向管52连接用于外接管道结构，将所需的高压气体介质传输至转向管52出风口处。
[0023]转向管52出风口处可转动的设置有叶轮521，叶轮521背部设置有轴承，轴承外圈固定连接有支撑柱，支撑柱的另一端固定设置在转向管52内壁，支撑使得叶轮521固定设置在转向管52的出风口处，与出风口平行；轴承的外圈与内圈可以实现相对转动，进一步的带动叶轮521旋转，叶轮521的底部还设置有一分流头522，分流头522呈锥形，分流头522的底面积从下至上逐渐增大；锥形分流头522可使进入转向管52的高压气体沿着分流头522，向分流头522的周向扩散，高压气体冲击叶轮521，叶轮521的扇叶有一定的流线弧度，当高压气体冲击扇叶时本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置，包括调整台，其特征在于，所述调整台上具有若干散风部和若干风屏部；其中若干所述散风部适于将高压气流竖直散射；若干所述风屏部环若干所述散风部设置；所述风屏部适于将高压气流竖直射出以形成风墙，以及若干所述风墙相互接合形成风罩。2.如权利要求1所述的氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置，其特征在于，所述散风部包括开设在所述调整台上的转向腔，所述转向腔内适配卡设有一个转向管；所述转向管的转向出气口处可转动地设置有叶轮，所述叶轮的底部一体设置有一分流头，以及沿着气体流动方向，所述分流头呈锥形。3.如权利要求2所述的氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置，其特征在于，所述风屏部包括开设在所述调整台上的封堵腔，所述封堵腔的封堵入口与所述转向腔的转向竖通道互相连通，所述封堵腔的封堵出口位于所述调整台的顶部；所述转向管的侧部开设有一侧出风口，所述侧出风口与所述封堵腔入口相互连通。4.如权利要求3所述的氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置，其特征在于，所述分流头的根部位于所述侧出风口的一侧。5.如权利要求4所述的氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置，其特征在于，所述氮化硅陶瓷烧结炉用的控风装置还包括设置在所述调整台上的若干调整板...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨文伍，
申请(专利权)人：宁波银瓷新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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