一种存储装置包含一存储元件、一选择开关及写入电路。该存储元件的一介电层连接于两层导电层之间，并且两层导电层各自具有可熔断的一突出部。写入电路施加第一写入信号至存储元件，导致在介电层之中邻近两导电层之间的可击穿部分电短路；施加第二写入信号至存储元件，导致两导电层各自的突出部熔断。导致两导电层各自的突出部熔断。导致两导电层各自的突出部熔断。
【技术实现步骤摘要】
存储装置以及写入方法
[0001]本专利技术有关于一种存储装置。特别是关于一种非易失性的存储装置以及其写入方法。
技术介绍
[0002]存储器是电子计算机中的重要组成元件，随着各种应用的情况不同，发展出了许多不同的存储器架构。包含属于非易失性存储的只读存储器，只读存储器在装置断电后仍可记录其中的数据。然而，随着存储器体积的缩小，存储器的写入电压越来越接近读取电压，储存数据的装置及方法更受到重视。
技术实现思路
[0003]本揭示文件提供一种存储装置包含多个存储元件、多个选择开关以及写入电路。多个选择开关分别耦接至该些存储元件。写入电路通过该些选择开关将一写入信号输入至该些存储元件其中一者。该些存储元件各自包含第一导电层、第二导电层以及介电层。第一导电层耦接该些选择开关其中一者，该第一导电层用以接收该写入信号，该第一导电层具有一第一突出部。第二导电层耦接至一系统低电压，该第二导电层与该第一导电层位于不同层，该第二导电层具有一第二突出部位置对应该第一突出部。介电层设置于该第一导电层以及该第二导电层之间，该介电层包含一可击穿部分设置于该第一突出部与该第二突出部之间。
[0004]本揭示文件提供一种写入方法，用于一存储装置，其包含至少一存储元件，该至少一存储元件各自包含一第一导电层、一第二导电层以及一介电层，该第一导电层具有一第一突出部，该第二导电层具有一第二突出部，该介电层包含一可击穿部分设置于该第一突出部与该第二突出部之间，该写入方法包含：选择性地提供一第一写入信号或一第二写入信号至该第一导电层。其中该第一写入信号高于一第一临界电压电位且低于一第二临界电压电位，该第一写入信号用以由该第一突出部传送至该第二突出部并且击穿该介电层的该可击穿部分，使得该第一导电层与该第二导电层短路。其中该第二写入信号的电压高于该第二临界电压电位，该第二写入信号用以由该第一突出部传送至该第二突出部，使得该第一突出部与该第二突出部分别熔断，进而使得该第一导电层与该第二导电层断路。
[0005]综上所述，本揭露的存储装置及写入方法提供一种存储装置及其写入方法，可将存储装置中的存储器单元编程为逻辑状态「1」以及逻辑状态「0」的其中之一。
[0006]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0007]为使本揭露之上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式之说明如下：
[0008]图1为依据本专利技术实施例所示的存储装置的示意图。
[0009]图2A为依据本专利技术实施例所示的存储器单元的俯视图的示意图。
[0010]图2B为依据本专利技术实施例所示的存储器单元的侧视图的示意图。
[0011]图3为依据本专利技术实施例所示的写入电路判断欲写入的存储器单元的流程图。
[0012]图4A为依据本专利技术实施例所示的存储器单元进行写入操作时第一编程状态的相关信号时序图。
[0013]图4B为依据本专利技术实施例所示的存储器单元进行写入操作时第二编程状态的相关信号时序图。
[0014]图5A为依据本专利技术实施例所示的存储器单元在第一编程状态的俯视图的示意图。
[0015]图5B为依据本专利技术实施例所示的存储器单元在第一编程状态的侧视图的示意图。
[0016]图6A为依据本专利技术实施例所示的存储器单元在第二编程状态的俯视图的示意图。
[0017]图6B为依据本专利技术实施例所示的存储器单元在第二编程状态的侧视图的示意图。
[0018]为使本揭露之上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附符号之说明如下：
[0019]100:存储装置
[0020]110:存储元件
[0021]120:选择开关
[0022]130:写入电路
[0023]140:选择电路
[0024]150:读取电路
[0025]BL1,BL2:位元线
[0026]WL1,WL2:字元线
[0027]LL1,LL2:储存线
[0028]MC11,MC12,MC21,MC22:存储器单元
[0029]WR:写入信号
[0030]Vss:系统低电压
[0031]211:介电层
[0032]211a:可击穿部分
[0033]213:第一导电层
[0034]213a:第一突出部
[0035]215:第二导电层
[0036]215a:第二突出部
[0037]217:漏极
[0038]219:金属层
[0039]221:系统低电压
[0040]223:基底
[0041]225:栅极介电层
[0042]227:介电材料
[0043]229,231:保护层
具体实施方式
[0044]下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：
[0045]下文系举实施例配合附图作详细说明，以更好地理解本专利技术的态样，但所提供之实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围，而结构操作之描述非用以限制其执行之顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本专利技术所涵盖的范围。此外，根据业界的标准及惯常做法，图式仅以辅助说明为目的，并未依照原尺寸作图，实际上各种特征的尺寸可任意地增加或减少以便于说明。下述说明中相同元件将以相同的符号标示来进行说明以便于理解。
[0046]本专利技术说明书和附图中使用的元件编号和信号编号中的索引1～n，只是为了方便指称个别的元件和信号，并非有意将前述元件和信号的数量局限在特定数目。在本专利技术说明书和图式中，若使用某一元件编号或信号编号时没有指明该元件编号或信号编号的索引，则代表该元件编号或信号编号是指称所属元件群组或信号群组中不特定的任一元件或信号。
[0047]此外，在本文中所使用的用词『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均为开放性的用语，即意指『包含但不限于』。此外，本文中所使用的『和/或』，包含相关列举项目中一或多个项目的任意一个以及其所有组合。
[0048]于本文中，当一元件被称为『连接』或『耦接』时，可指『电性连接』或『电性耦接』。『连接』或『耦接』亦可用以表示二或多个元件间相互搭配操作或互动。此外，虽然本文中使用『第一』、『第二』、
…
等用语描述不同元件，该用语仅是用以区别以相同技术用语描述的元件或操作。
[0049]请参阅图1，其为依据本专利技术实施例所示的存储装置100的示意图。如图1所示，存储装置100包含多个存储器单元MC11～MC22，每一存储器单元MC11～MC22用以储存一个位元数据。于一些实施例中，存储器单元MC11～MC22为非易失性的存储器单元，例如，只读存储器(Read only memory；ROM)或其他具相等性的非易失性存储器单元。于图1中示意性地示出了四个存储器单元MC11～MC22，但本专利技术并不以此为限。
[0050]实际应用中，存储装本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置，其特征在于，包含：多个存储元件；多个选择开关，分别耦接至该些存储元件；以及一写入电路，通过该些选择开关将一写入信号输入至该些存储元件其中一者；其中，该些存储元件各自包含：一第一导电层，耦接该些选择开关其中一者，该第一导电层用以接收该写入信号，该第一导电层具有一第一突出部；一第二导电层，耦接至一系统低电压，该第二导电层与该第一导电层位于不同层，该第二导电层具有一第二突出部位置对应该第一突出部；以及一介电层设置于该第一导电层以及该第二导电层之间，该介电层包含一可击穿部分设置于该第一突出部与该第二突出部之间。2.如权利要求1所述的存储装置，其特征在于，当该写入电路提供之该写入信号的电压高于一第一临界电压电位且低于一第二临界电压电位时，该写入信号经由该第一突出部传送至该第二突出部并且击穿该介电层之该可击穿部分，使得该第一导电层与该第二导电层短路。3.如权利要求2所述的存储装置，其特征在于，当该写入电路提供之该写入信号的电压高于该第一临界电压电位且低于该第二临界电压电位时，该写入电路提供之该写入信号之电流低于一熔断电流电位。4.如权利要求2所述的存储装置，其特征在于，当该写入电路提供之该写入信号的电压高于该第二临界电压电位时，该写入信号经由该第一突出部传送至该第二突出部，使得该第一突出部与该第二突出部分别熔断，进而使得该第一导电层与该第二导电层断路。5.如权利要求4所述的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：张恕豪，林建忠，梁育庭，余王杰，萧夏彩，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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