一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法技术

本发明专利技术公开一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法，包括以下步骤：版图布局，侧面电阻包括三种，第一种侧面电阻仅位于基板侧面，第二种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下任一表面，第三种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下两个表面；光绘底片，制版，基板切割，基板清洗，通过丝网印刷工艺在基板侧面印刷电阻；在印刷好的电阻表面丝网印刷玻璃釉；激光调阻；基板背面环氧绝缘处理，得到所述厚膜混合电路基板侧面电阻；通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作，能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间，提高空间利用率，提高集成密度，给版图设计带来灵活性。给版图设计带来灵活性。给版图设计带来灵活性。

【技术实现步骤摘要】
一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法


[0001]本专利技术涉及厚膜混合工艺
，具体是一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法。

技术介绍

[0002]随着厚膜混合电路小型化的要求，内部元件集成度要求也越来越高，常规厚膜混合电路各类元件集成方式，包括陶瓷基板正面集成、背面集成，目前基板的侧面利用率较低，如以常规长宽为30mm
×
15mm基板为例，在不同的厚度下利用率情况见表1:表1 正、背面集成表面利用率厚度（mm）正、背面面积（mm2）总表面积（mm2）集成利用率0.5090094595.2%0.76900968.492.9%1.00900901.990.9%厚膜混合电路常用成膜元件是厚膜电阻，如果利用陶瓷基板侧连电阻，将大大提高集成空间利用率，为厚膜混合电路版图设计带来灵活性，但是现阶段还没有任何相关的技术手段。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法，通过该方法能够在基板侧面进行电阻的制作，能有效利用混合集成电路的陶瓷基板空间，提高空间利用率，提高集成密度，给版图设计带来灵活性本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法，包括以下步骤：S1、根据电路原理图进行版图布局，确定分布于基板侧面的电阻位置，得到厚膜混合电路电阻版图；侧面电阻包括三种，第一种侧面电阻仅位于基板侧面，第二种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下任一表面，第三种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下两个表面；S2、光绘底片，将厚膜混合电路电阻版图调入光绘机进行版图数据文件的光绘，制作菲林；S3、制版，根据步骤S2获得的菲林制作丝网掩模版；S4、基板切割；S5、基板清洗；S6、通过丝网印刷工艺在基板侧面印刷电阻，第一种侧面电阻印刷一次，第二种侧面电阻印刷两次，第三种侧面电阻印刷三次；S7、在印刷好的电阻表面丝网印刷玻璃釉；S8、激光调阻；
S9、背面环氧绝缘处理，得到所述厚膜混合电路基板侧面电阻。
[0004]本专利技术的有益效果是，利用陶瓷基板的侧面制作厚膜电阻，而不是常规的正、背面制作厚膜电阻，从而显著提高集成密度，带来版图制图的灵活性；经过实际应用，对于常规1mm厚度的基板而言，提高集成利用率10%以上；利用侧面电阻可进行大尺寸低方阻厚膜电阻制作，相对于小尺寸高方阻电阻而言，电阻范围更广，精度更高。
附图说明
[0005]下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明：图1是本专利技术的流程示意图；图2是本专利技术制备得到的厚膜混合电路基板侧面电阻示意图；图3是图2的仰视立体图。
具体实施方式
[0006]结合图1～3所示，本专利技术提供一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法，包括以下步骤：S1、根据电路原理图进行版图布局，确定分布于基板1的侧面2的电阻位置，得到厚膜混合电路电阻版图；侧面电阻包括三种，第一种侧面电阻3仅位于基板侧面，第二种侧面电阻4同时跨越基板侧面与基板上下任一表面，也即电阻跨越两个面；第三种侧面电阻5同时跨越基板侧面与基板上下两个表面，也即电阻跨越三个面；S2、光绘底片，将厚膜混合电路电阻版图调入光绘机进行版图数据文件的光绘，制作菲林；S3、制版，根据步骤S2获得的菲林制作丝网掩模版；S4、基板切割；陶瓷基板切割采用机械方法，而不是常规的激光打点切割，以保证基板侧面平整度；S5、基板清洗；具体清洗时使用酒精或丙酮分别对基板进行超声清洗以去除空白陶瓷基片上的粉末、油污及其它污染物，达到对空白陶瓷基片清洁程度的要求；S6、通过丝网印刷工艺在基板侧面印刷电阻，按照厚膜加工的常规要求进行丝网印刷导体浆料、干燥、烧成厚膜电阻；第一种侧面电阻印刷一次，第二种侧面电阻印刷两次，第三种侧面电阻印刷三次；S7、在印刷好的电阻表面丝网印刷玻璃釉浆料，再经过干燥、烧结，达到对电阻体的整体保护；S8、激光调阻；采用激光修正电阻值；S9、基板背面环氧绝缘处理，采用环氧印刷方式覆盖背面激光切口，保护电阻，得到所述厚膜混合电路基板侧面电阻。
[0007]以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚膜混合电路基板侧面电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、根据电路原理图进行版图布局，确定分布于基板侧面的电阻位置，得到厚膜混合电路电阻版图；侧面电阻包括三种，第一种侧面电阻仅位于基板侧面，第二种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下任一表面，第三种侧面电阻同时跨越基板侧面与基板上下两个表面；S2、光绘底片，将厚膜混合电路电阻版图调入光绘机进...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，夏俊生，臧子昂，李文才，符宏大，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：