显示装置和制造该显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基体；像素电极，位于第一基体上；像素限定层，具有至少部分地暴露像素电极的开口；发光层，位于像素电极上；辅助电极，与像素电极位于同一层上；分隔壁，位于辅助电极上，并且至少部分地暴露辅助电极的侧表面；有机层，位于分隔壁上；以及共电极，连续地布置在发光层和有机层上，其中，分隔壁的侧表面具有倒锥形形状，并且共电极接触辅助电极的侧表面。且共电极接触辅助电极的侧表面。且共电极接触辅助电极的侧表面。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和制造该显示装置的方法


[0001]本公开涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]随着多媒体的发展，显示装置正变得越来越重要。因此，正在开发诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光二极管显示装置(OLED)等的各种显示装置。
[0003]在这些显示装置之中，OLED包括作为自发光装置的有机发光装置(或有机发光二极管)。有机发光装置可以包括两个相对的电极和置于所述两个相对的电极之间的有机发光层。从所述两个电极提供的电子和空穴在发光层中复合以产生激子，并且所产生的激子从激发态跃迁到基态，使得可以发射光。
[0004]因为不需要单独的光源，所以OLED不仅可以形成为具有低功耗并轻薄，而且可以形成为具有高质量特性，诸如宽视角、高亮度和对比度、快速响应速度等。因此，OLED作为下一代显示装置正引起关注。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例的方面提供了一种能够使电压降最小化或者减小电压降的可能性的显示装置。
[0006]本公开的实施例的方面还提供了一种制造能够使显示装置的电压降最小化并同时确保工艺的经济可行性的显示装置的方法。
[0007]根据本公开的实施例的方面，显示装置包括：第一基体；像素电极，位于第一基体上；像素限定层，具有至少部分地暴露像素电极的开口；发光层，位于像素电极上；辅助电极，与像素电极位于同一层处；分隔壁，位于辅助电极上，并且至少部分地暴露辅助电极的侧表面；有机层，位于分隔壁上；以及共电极，连续地布置在发光层和有机层上，其中，分隔壁的侧表面具有倒锥形形状，并且其中，共电极接触辅助电极的侧表面。
[0008]在示例性实施例中，分隔壁的侧表面与辅助电极的上表面之间的第一锥形角可以比像素限定层的侧表面与像素电极的上表面之间的第二锥形角大。
[0009]在示例性实施例中，分隔壁的侧表面可以接触共电极。
[0010]在示例性实施例中，显示装置还可以包括电连接到辅助电极的补偿电极。
[0011]在示例性实施例中，显示装置还可以包括位于第一基体与像素电极之间的源电极或漏电极，像素电极可以电连接到源电极或漏电极，并且补偿电极可以与源电极或漏电极位于同一层处。
[0012]在示例性实施例中，共电极可以电连接到补偿电极。
[0013]在示例性实施例中，分隔壁的下表面可以接触辅助电极，并且分隔壁的上表面可以接触有机层。
[0014]在示例性实施例中，分隔壁和像素限定层可以由相同的材料制成。
[0015]在示例性实施例中，分隔壁和像素限定层可以包括SiN
x
、SiO
x
或SiO
x
N
y
。
[0016]在示例性实施例中，分隔壁可以包括导电材料。
[0017]在示例性实施例中，有机层的下表面可以接触分隔壁，并且有机层的上表面可以接触共电极。
[0018]在示例性实施例中，有机层和发光层可以由相同的材料制成。
[0019]在示例性实施例中，有机层可以与发光层间隔开。
[0020]在示例性实施例中，显示装置还可以包括位于共电极上的波长转换图案和透光图案，并且波长转换图案或透光图案可以在厚度方向上与像素限定层的开口叠置。
[0021]根据本公开的实施例的另一方面，显示装置包括：第一基体；像素电极，位于第一基体上；像素限定层，具有至少部分地暴露像素电极的开口；发光层，位于像素电极上；辅助电极，与像素电极位于同一层上；导电分隔壁，位于辅助电极上，并且包括位于辅助电极上的第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层；有机层，位于导电分隔壁上；以及共电极，连续地布置在发光层和有机层上，其中，第二金属层的端部比第一金属层的上表面的端部突出的远，并且其中，共电极接触第一金属层的侧表面。
[0022]在示例性实施例中，辅助电极可以电连接到共电极。
[0023]在示例性实施例中，第一金属层的下表面可以接触辅助电极，并且第一金属层的上表面可以接触第二金属层。
[0024]在示例性实施例中，第一金属层的下表面在第一方向上的宽度可以比第一金属层的上表面在第一方向上的宽度大。
[0025]在示例性实施例中，第一金属层在第三方向上的厚度可以比第二金属层在第三方向上的厚度大。
附图说明
[0026]本公开的上面和其它的方面和特征将通过参照附图描述本公开的示例性实施例而变得更清楚，在附图中：
[0027]图1是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的透视图；
[0028]图2是图1的显示装置的平面图；
[0029]图3是沿着图2的线III-III
′
截取的剖视图；
[0030]图4是沿着图2的线IV-IV
′
截取的剖视图；
[0031]图5是图2的发光装置的放大剖视图；
[0032]图6至图7是示出图5的发光装置的修改示例的剖视图；
[0033]图8是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；
[0034]图9是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；
[0035]图10是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；
[0036]图11是示出根据本公开的示例实施例的补偿部的剖视图；以及
[0037]图12至图18是示出根据本公开的示例实施例的制造显示装置的方法的每个工艺的剖视图。
具体实施方式
[0038]现在，将在下文中参照其中示出了公开的示例性实施例的附图更充分地描述本公
开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达公开的范围。
[0039]还将理解的是，当层被称为“在”另一层、元件或基底上、“连接到”或“结合到”另一层、元件或基底时，该层、元件或基底可以直接地在所述另一层、元件或基底上，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。贯穿说明书，相同的附图标记指示相同的组件。在附图中，为了清楚，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
[0040]将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
[0041]为了易于说明，可以在这里使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下面”、“下”、“在...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：第一基体；像素电极，位于所述第一基体上；像素限定层，具有至少部分地暴露所述像素电极的开口；发光层，位于所述像素电极上；辅助电极，与所述像素电极位于同一层处；分隔壁，位于所述辅助电极上，并且至少部分地暴露所述辅助电极的侧表面；有机层，位于所述分隔壁上；以及共电极，连续地布置在所述发光层和所述有机层上，其中，所述分隔壁的侧表面具有倒锥形形状，并且其中，所述共电极接触所述辅助电极的所述侧表面。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁的所述侧表面与所述辅助电极的上表面之间的第一锥形角比所述像素限定层的侧表面与所述像素电极的上表面之间的第二锥形角大。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述分隔壁的所述侧表面接触所述共电极。4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述辅助电极的补偿电极。5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一基体与所述像素电极之间的源电极或漏电极，其中，所述像素电极电连接到所述源电极或所述漏电极，并且其中，所述补偿电极与所述源电极或所述漏电极位于同一层处。6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述共电极电连接到所述补偿电极。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁的下表面接触所述辅助电极，并且所述分隔壁的上表面接触所述有机层。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔壁和所述像素限定层包括相同的材料。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述分隔壁和所述像素限定层包括SiN
x
、SiO
x
或SiO
x
N
y
。10.根据权利要求8所述的显...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵炫珉，姜泰旭，金泰圣，崔大元，金湘甲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：