薄膜晶体管、具有其的显示面板以及制造显示面板的方法技术

本申请涉及薄膜晶体管、显示面板和制造显示面板的方法。该显示面板包括：基层；第一薄膜晶体管，在基层上；第二薄膜晶体管，电联接至第一薄膜晶体管；以及发光元件，电联接至第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括在基层上的第一半导体图案、在第一半导体图案上且包括镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物的第一阻挡图案、以及在第一阻挡图案上且与第一半导体图案重叠的第一控制电极。因此，可以改善显示面板的信号传输速度，并且可以改善显示面板中所包括的薄膜晶体管的电特性和可靠性。晶体管的电特性和可靠性。晶体管的电特性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、具有其的显示面板以及制造显示面板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年7月30日提交的第10-2019-0092417号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开的实施方式涉及薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示面板以及制造显示面板的方法。例如，本公开的实施方式涉及具有改善的电特性和可靠性的薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的显示面板以及制造显示面板的方法。

技术介绍

[0004]显示设备包括信号线、像素和控制像素的驱动电路，例如，栅极驱动电路和数据驱动电路。每个像素包括显示元件和控制该显示元件的像素驱动电路。像素驱动电路包括彼此联接的薄膜晶体管。

技术实现思路

[0005]本公开的实施方式提供了一种具有改善的信号传输速度的显示面板。
[0006]本公开的实施方式提供了一种具有改善的电特性和可靠性的薄膜晶体管。
[0007]本公开的实施方式提供了一种制造显示面板的方法，在该方法中，减少了工艺中缺陷的发生。
[0008]本公开的实施方式提供了一种显示面板，该显示面板包括基层、在基层上的第一薄膜晶体管、电联接至第一薄膜晶体管的第二薄膜晶体管以及电联接至第二薄膜晶体管的发光元件。第一薄膜晶体管包括在基层上的第一半导体图案、在第一半导体图案上且包括镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物的第一阻挡图案以及在第一阻挡图案上且与第一半导体图案重叠的第一控制电极。
[0009]第一薄膜晶体管包括联接至第一半导体图案的第一输入电极和第一输出电极。
[0010]显示面板还包括第一绝缘层，第一绝缘层在基层上以覆盖第一半导体图案，并且第一绝缘层在第一半导体图案和第一阻挡图案之间。
[0011]第一绝缘层与第一半导体图案接触，第一阻挡图案与第一绝缘层接触，并且第一控制电极与第一阻挡图案接触。
[0012]显示面板还包括第二绝缘层，第二绝缘层在第一绝缘层上以覆盖第一控制电极。第二薄膜晶体管包括在基层上的第二半导体图案、在第二绝缘层上并且包括镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物的第二阻挡图案、在第二阻挡图案上并与第二半导体图案重叠的第二控制电极以及联接至第二半导体图案的第二输入电极和第二输出电极。
[0013]显示面板还包括在第一绝缘层上的第三阻挡图案和在第三阻挡图案上并且电联接至第一薄膜晶体管的栅极线。
[0014]显示面板还包括电联接至第二薄膜晶体管的电容器。电容器包括在第一绝缘层上
的第四阻挡图案、在第四阻挡图案上的第一电极、在第二绝缘层上的第五阻挡图案以及在第五阻挡图案上的第二电极。
[0015]第三阻挡图案、第四阻挡图案和第五阻挡图案包括与第一阻挡图案相同的材料。
[0016]第一控制电极包括包含钛(Ti)的第一层和在第一层上并且包含铜(Cu)的第二层。
[0017]镓氧化物的含量相对于第一阻挡图案中的原子总量为约4at％至约8at％，并且锌氧化物的含量相对于第一阻挡图案中的原子总量为约92at％至约96at％。
[0018]第一半导体图案包括镓(Ga)氧化物、锌(Zn)氧化物和铟(In)氧化物。
[0019]第一阻挡图案具有等于或大于约100埃且等于或小于约200埃的厚度。
[0020]本公开的实施方式提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：第一半导体图案，包括沟道区域和接触区域；第一绝缘层，在第一半导体图案上；第一阻挡图案，在第一绝缘层上且包括镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物；第一控制电极，在第一阻挡图案上且与第一半导体图案的沟道区域重叠；第一输入电极，联接至第一半导体图案的接触区域；以及第一输出电极，联接至第一半导体图案的接触区域。
[0021]第一阻挡图案和第一控制电极与第一半导体图案的沟道区域重叠。
[0022]本公开的实施方式提供了一种制造显示面板的方法，该方法包括：在基层上形成半导体图案；使用镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物在半导体图案上形成阻挡图案；在阻挡图案上形成控制电极，以与半导体图案重叠；在基层上形成输入电极和输出电极，使得输入电极和输出电极联接至半导体图案；以及在基层上形成发光元件。
[0023]使用镓(Ga)氧化物、锌(Zn)氧化物和铟(In)氧化物形成半导体图案，并且在等于或小于约40％的氧分压下执行形成半导体图案。
[0024]该方法还包括在形成控制电极之后，形成绝缘层以覆盖阻挡图案和控制电极，并且通过化学气相沉积(CVD)方法执行形成绝缘层。
[0025]形成阻挡图案和控制电极包括使用镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物形成初步阻挡层，在初步阻挡层上沉积金属材料以形成初步电极层，以及蚀刻初步阻挡层和初步电极层。
[0026]本公开的实施方式提供了一种显示面板，该显示面板包括：基层；缓冲层，在基层上；第一薄膜晶体管，在缓冲层上；第二薄膜晶体管，在缓冲层上并且电联接至第一薄膜晶体管；像素限定层，在缓冲层上并且设置有限定成贯穿像素限定层的开口；发光元件，在开口中并且电联接至第二薄膜晶体管，以及薄膜封装层，在像素限定层和发光元件上。第一薄膜晶体管包括在基层上的第一半导体图案、在第一半导体图案上并且包括镓(Ga)氧化物和锌(Zn)氧化物的第一阻挡图案以及在第一阻挡图案上并且与第一半导体图案重叠的第一控制电极。
[0027]根据以上内容，阻挡图案在控制电极之下，并且阻挡图案由不包括铟的金属氧化物形成。因此，即使氧化物半导体是在低氧分压下形成的，也可不减少或降低氧化物半导体的可靠性，并且可以防止或减小在薄膜晶体管的制造工艺中由于铟金属颗粒而导致的层均匀性的劣化。
附图说明
[0028]当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的实施方式的以上和其他特征将变得更显而易见，在附图中：
[0029]图1是示出根据本公开的示例性实施方式的显示面板的立体图；
[0030]图2是示出根据本公开的示例性实施方式的显示面板的平面图；
[0031]图3是示出根据本公开的示例性实施方式的像素的部分的剖视图；
[0032]图4是示出根据本公开的示例性实施方式的晶体管的剖视图；
[0033]图5A至图5K是示出根据本公开的示例性实施方式的显示面板的制造工艺的剖视图；
[0034]图6A是示出现有晶体管的电特性的曲线图；以及
[0035]图6B是示出根据本公开的示例性实施方式的晶体管的电特性的曲线图。
具体实施方式
[0036]在下文中，将理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，其可直接在该另一元件或层上、直接连接至或直接联接至该另一元件或层，或者可存在介于中间的元件或层。相反地，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在介于中间的元件或层。
[0037]相同的附图标记始终表示相同的元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示面板，包括：基层；第一薄膜晶体管，在所述基层上；第二薄膜晶体管，电联接至所述第一薄膜晶体管；以及发光元件，电联接至所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：第一半导体图案，在所述基层上；第一阻挡图案，在所述第一半导体图案上并且包括镓氧化物和锌氧化物；以及第一控制电极，在所述第一阻挡图案上并且与所述第一半导体图案重叠。2.根据权利要求1所述的显示面板，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述基层上以覆盖所述第一半导体图案，其中，所述第一绝缘层在所述第一半导体图案和所述第一阻挡图案之间。3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一绝缘层与所述第一半导体图案接触，所述第一阻挡图案与所述第一绝缘层接触，并且所述第一控制电极与所述第一阻挡图案接触。4.根据权利要求2所述的显示面板，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层上以覆盖所述第一控制电极，其中，所述第二薄膜晶体管包括：第二半导体图案，在所述基层上；第二阻挡图案，在所述第二绝缘层上并且包括所述镓氧化物和所述锌氧化物；第二控制电极，在所述第二阻挡图案上并且与所述第二半导体图案重叠；以及第二输入电极和第二输出电极，联接至所述第二半导体图案。5.根据权利要求4所述的显示面板，还包括：第三阻挡图案，在所述第一绝缘层上；以及栅极线，在所述第三阻挡图案上并且电联接至所述第一薄膜晶体管。6.根据权利要求5所述的显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙尚佑，金明花，金兑相，金亨俊，文然建，朴晙晳，申相原，林俊亨，崔惠临，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：