显示装置制造方法及图纸

提供一种显示装置，所述显示装置包括显示区域和位于显示区域外围中的非显示区域。显示区域包括用于光学传感器的传感器区域和非传感器区域。显示装置包括：基底部；薄膜晶体管(TFT)层，设置在基底部的整个表面之上；以及发光二极管(LED)，设置在TFT层上。TFT层包括至少一个TFT。基底部在传感器区域中的厚度比基底部在非传感器区域中的厚度小。部在非传感器区域中的厚度小。部在非传感器区域中的厚度小。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]该专利申请要求于2019年7月26日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0091190号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种显示装置。

技术介绍

[0003]平板显示器(FPD)是用于使人们能够看到内容(例如，静止或移动的图像)的电子观看技术。与传统的阴极射线管(CRT)显示器相比，FPD更轻、更薄并且使用更少的电力。FPD可以包括各种显示装置，诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器。有机发光显示器使用通过电子与空穴之间的复合产生光的有机发光二极管(OLED)来显示图像。有机发光显示器可以包括向显示区域中的每个OLED提供驱动电流的多个晶体管。
[0004]显示装置的边框可以指围绕显示区域的非显示区域。无边框显示装置试图最小化或消除非显示区域。可以通过将显示装置的传感器定位在显示区域中来减小非显示区域的尺寸。然而，定位在显示区域中的传感器接收的光不如定位在非显示区域中的传感器接收的光多。

技术实现思路

[0005]本公开的至少一个示例性实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括定位在显示装置的显示区域中的相机或传感器，与定位在传统的显示装置中的相机或传感器相比，该相机或传感器接收更大量的光。
[0006]根据本公开的示例性实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示区域和非显示区域。显示区域包括用于光学传感器的传感器区域和非传感器区域。显示装置包括：基底部；薄膜晶体管(TFT)层，包括至少一个TFT；以及发光二极管(LED)，设置在TFT层上。基底部在传感器区域中的厚度比基底部在非传感器区域中的厚度小。
[0007]在示例性实施例中，基底部包括：第一柔性基底；第二柔性基底，面对第一柔性基底；以及第一阻挡层，设置在第一柔性基底与第二柔性基底之间。
[0008]在示例性实施例中，第一柔性基底包括通孔，通孔在厚度方向上在传感器区域中穿过第一柔性基底，并且使第一阻挡层的底表面的至少一部分暴露。
[0009]显示装置还可以包括：牺牲图案，直接设置在第一阻挡层的底表面的被通孔暴露的区域上。
[0010]在示例性实施例中，第一阻挡层的底表面的被暴露的至少一部分还包括碳化表面，并且第一阻挡层在传感器区域中的底表面的粗糙度水平比第一阻挡层在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
[0011]在示例性实施例中，通孔还穿过第一阻挡层的至少一部分，并且第一阻挡层在传感器区域中的厚度比第一阻挡层在非传感器区域中的厚度小。
[0012]第一阻挡层在传感器区域中的底表面的粗糙度水平可以比第一阻挡层在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
[0013]在示例性实施例中，通孔完全穿过第一阻挡层，并且使第二柔性基底的底表面暴露。
[0014]在示例性实施例中，第二柔性基底的被暴露的底表面还包括碳化表面，并且第二柔性基底在传感器区域中的底表面的粗糙度水平比第二柔性基底在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
[0015]在示例性实施例中，通孔还穿过第二柔性基底的至少一部分，并且第二柔性基底在传感器区域中的厚度比第二柔性基底在非传感器区域中的厚度小。
[0016]第二柔性基底在传感器区域中的底表面的粗糙度水平可以比第二柔性基底在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
[0017]在示例性实施例中，显示装置还包括：第二阻挡层，设置在第二柔性基底与TFT层之间，通孔完全穿过第二柔性基底，并且使第二阻挡层的底表面的至少一部分暴露。
[0018]在示例性实施例中，显示装置还包括：牺牲图案，直接设置在第二阻挡层的底表面的被通孔暴露的区域上。
[0019]在示例性实施例中，第二阻挡层的被暴露的底表面还包括碳化表面，并且第二阻挡层在传感器区域中的底表面的粗糙度水平比第二阻挡层在非传感器区域中的底表面的粗糙度水平大。
[0020]在示例性实施例中，通孔还穿过第二阻挡层的至少一部分，并且第二阻挡层在传感器区域中的厚度比第二阻挡层在非传感器区域中的厚度小。
[0021]在示例性实施例中，TFT层包括设置在基底部上的半导体层、设置在半导体层上的栅电极以及设置在栅电极上并且各自连接到半导体层的源/漏电极，其中，显示装置还包括：阻光金属层，在基底部上设置在传感器区域中。
[0022]阻光金属层可以包括布置为彼此间隔开的多个阻光金属图案。
[0023]多个阻光金属图案可以与半导体层叠置。
[0024]阻光金属层可以包括钛(Ti)或钼(Mo)。
[0025]基底部还可以包括从基底部的传感器区域的外围突出的毛刺。
[0026]在示例性实施例中，传感器区域和非传感器区域各自包括多个像素，并且布置在传感器区域中的像素的密度比布置在非传感器区域中的像素的密度小。
[0027]在示例性实施例中，传感器区域包括像素布置区域和透射区域，像素布置在像素布置区域中，像素没有布置在透射区域中，其中，导电材料没有设置在透射区域中。
[0028]根据本公开的示例性实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示区域和非显示区域。显示区域包括用于光学传感器的传感器区域和非传感器区域。显示装置包括：基底部；TFT层，设置在基底部的整个表面之上，并且包括至少一个TFT；以及LED，设置在TFT层上。通孔在厚度方向上在传感器区域中穿过基底部的表面。
[0029]在示例性实施例中，显示装置还包括：阻挡层，设置在基底部与TFT层之间；以及湿气渗透阻挡图案，设置在基底部与TFT层之间，其中，湿气渗透阻挡图案包括氮氧化硅。
[0030]湿气渗透阻挡图案可以设置在传感器区域中并且与传感器区域叠置。
[0031]在示例性实施例中，显示装置还包括：阻挡层，设置在基底部与TFT层之间，其中，
阻挡层还包括在非传感器区域中比阻挡层在厚度方向上更进一步突出的凹槽。
[0032]凹槽可以包括布置在传感器区域的外围中的多个凹槽图案。
[0033]凹槽可以在平面图中完全围绕传感器区域。
附图说明
[0034]通过参照附图详细地描述本公开的示例性实施例，本公开将变得更明显，在附图中：
[0035]图1是根据公开的示例性实施例的显示装置的透视图；
[0036]图2是根据公开的示例性实施例的显示装置的分解透视图；
[0037]图3是沿着图2中的线III-III
’
截取的示意性剖视图；
[0038]图4是示出下覆盖面板和显示面板的示意性平面图；
[0039]图5是根据公开的示例性实施例的显示装置的示意性框图；
[0040]图6是示出半导体层和阻光金属图案的布局图；
[0041]图7是沿着图4的线VIII-VIII
’
截取的剖视图；
[0042]图8是示出图7的区域A的放大图；
[0043]图9是根据公开的示例性实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括显示区域和位于所述显示区域的外围中的非显示区域，所述显示区域包括用于光学传感器的传感器区域和非传感器区域，所述显示装置包括：基底部；薄膜晶体管层，设置在所述基底部的整个表面之上，并且包括至少一个薄膜晶体管；以及发光二极管，设置在所述薄膜晶体管层上，其中，所述基底部在所述传感器区域中的厚度比所述基底部在所述非传感器区域中的厚度小。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底部包括第一柔性基底、面对所述第一柔性基底的第二柔性基底以及设置在所述第一柔性基底与所述第二柔性基底之间的第一阻挡层。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一柔性基底包括在厚度方向上在所述传感器区域中穿过所述第一柔性基底并且使所述第一阻挡层的底表面的至少一部分暴露的通孔。4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括直接设置在所述第一阻挡层的所述底表面的被所述通孔暴露的区域上的牺牲图案。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一阻挡层的所述底表面的被暴露的所述至少一部分还包括碳化表面，并且所述第一阻挡层在所述传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平比所述第一阻挡层在所述非传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平大。6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述通孔还穿过所述第一阻挡层的至少一部分，并且所述第一阻挡层在所述传感器区域中的厚度比所述第一阻挡层在所述非传感器区域中的厚度小。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一阻挡层在所述传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平比所述第一阻挡层在所述非传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平大。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述通孔完全穿过所述第一阻挡层，并且使所述第二柔性基底的底表面暴露。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二柔性基底的被暴露的所述底表面还包括碳化表面，并且所述第二柔性基底在所述传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平比所述第二柔性基底在所述非传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平大。10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述通孔还穿过所述第二柔性基底的至少一部分，并且所述第二柔性基底在所述传感器区域中的厚度比所述第二柔性基底在所述非传感器区域中的厚度小。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二柔性基底在所述传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平比所述第二柔性基底在所述非传感器区域中的所述底表面的粗糙度水平大。12.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第二柔性基底与所述薄膜晶体管层之间的第二阻挡层，
其中，所述通孔完全穿过所述第二柔性基底，并且使所述第二阻挡层的底表面的至少一部分暴露。13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括直接设置在所述第二阻挡层的所述底表面的被所述通孔暴露的区域上的牺牲图案。14.根据权利要求12所述的显示装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪性珍，李承澯，金建熙，金东贤，金尚勳，文秀贤，全珠姬，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：