液晶组合物和液晶显示元件制造技术

本发明专利技术提供液晶组合物以及使用该液晶组合物的液晶显示元件，该液晶组合物含有由通式(i)表示的化合物、由通式(N

【技术实现步骤摘要】
液晶组合物和液晶显示元件


[0001]本专利技术涉及作为液晶显示材料有用的介电常数各向异性(Δε)显示负值的液晶组合物和使用其的液晶显示元件。

技术介绍

[0002]使用Δε显示负值的液晶组合物的液晶显示元件被广泛用于液晶TV等，对于这些用途中使用的液晶组合物，要求高特性。例如，有高向列相上限温度(T
ni
)、大Δε、低旋转粘性(γ1)、低温时的向列相稳定性等各种特性。尤其对于响应速度，要求进一步提高(专利文献1～3)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2014/006963号
[0006]专利文献2：国际公开第2014/148197号
[0007]专利文献3：国际公开第2015/060056号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的课题
[0009]本专利技术要解决的课题在于提供一种液晶组合物和使用其的液晶显示元件，该液晶组合物在宽的温度范围内呈向列相，不会使折射率各向异性(Δn)、Δε等作为液晶显示元件的各种特性恶化，能够改善γ1/K33，并且响应速度提高。
[0010]用于解决课题的方法
[0011]本专利技术人对各种液晶化合物进行研究，发现通过使用特定的液晶化合物能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。
[0012]即，本专利技术的液晶组合物的特征在于，含有1种或2种以上由通式(i)表示的化合物，含有1种或2种以上由通式(N-1-11)表示的化合物，并且含有1种或2种以上由通式(N-1-4)表示的化合物。
[0013]化1
[0014][0015](式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烷氧基。)
[0016]化2
[0017][0018](式中，R
N11
和R
N12
各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或非邻接
的2个以上-CH
2-可以各自独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，n
Nd11
为1或2。)
[0019]化3
[0020][0021]式中，R
ii1
和R
ii2
各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或非邻接的2个以上-CH
2-可以各自独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，L1和L2各自独立地表示氢原子、氟原子或氯原子。
[0022]专利技术效果
[0023]本专利技术的具有负介电常数各向异性的液晶组合物由于不会使T
ni
、Δn、Δε等作为液晶显示元件的各种特性恶化，能改善γ1/K33，因而能实现更高速的响应，在液晶显示元件用途中非常有用。
具体实施方式
[0024]如前所述，本申请专利技术涉及含有特定化合物的液晶组合物、使用该液晶组合物的液晶显示元件、使用该液晶组合物的PSA元件、VA元件或FFS元件。以下，首先对于本专利技术涉及的液晶组合物的实施方式进行说明。
[0025]本专利技术的液晶组合物优选常温时为液晶，优选呈向列相，优选Δε值为负，即所谓的n型组合物。
[0026]本专利技术的液晶组合物含有1种或2种以上由通式(i)表示的化合物。
[0027]由通式(i)表示的化合物中，R1和R2各自独立地优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的烷氧基，优选为碳原子数1～4的烷基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为碳原子数1～3的烷基或碳原子数1～3的烷氧基，优选为直链。R1优选为碳原子数1～5的烷基，优选为碳原子数1～4的烷基，优选为碳原子数1～3的烷基，优选为直链。R2优选为碳原子数1～5的烷氧基，优选为碳原子数1～4的烷氧基，优选为碳原子数1～3的烷氧基，优选为直链。R1和R2中的碳原子数和氧原子数的合计优选为2、3、4、5、6或7，优选为3、4、5、6或7，优选为4、5或6，优选为5或6。
[0028]由通式(i)表示的化合物可以单独使用，也可以组合使用2种以上的化合物。可以组合的化合物的种类没有特别限定，根据低温时的溶解性、转变温度、电可靠性、双折射等所要求的性能适当组合使用。所使用的化合物的种类，例如作为本专利技术的一个实施方式，为1种，为2种，为3种，为4种，为5种以上。
[0029]在重视改善Δε时，优选将含量设定为较高，在重视低温时的溶解性时，如果将含量设定为较低、增加组合的种类，则效果高，在重视T
ni
时，如果将含量设定为较高则效果高。进而，在重视Δn时，优选将含量设定为较高。此外，通过增大Δε能够实现低电压驱动，本专利技术的液晶组合物中，通过将通式(i)的化合物单独使用或组合使用，能够获得低电压且高速响应的液晶显示元件。
[0030]相对于本专利技术的液晶组合物的总量，由通式(i)表示的化合物的优选含量的下限值为3％，为5％。相对于本专利技术的液晶组合物的总量，优选含量的上限值为23％，为20％，为
18％，为15％，为13％，为11％，为9％。
[0031]需说明的是，本申请中，在没有特别说明的范围内，％表示质量％。
[0032]进而，作为由式(i)表示的化合物，优选为由通式(i-1)～(i-9)表示的化合物，优选为由式(i-2)～(i-5)、(i-7)和(i-9)表示的化合物，优选为由式(i-4)和(i-5)表示的化合物，优选为由式(i-4)表示的化合物。
[0033]化4
[0034][0035](式中，烷基和烷氧基表示直链状基团。)
[0036]相对于本专利技术的液晶组合物的总量，由式(i-1)～(i-9)表示的化合物的优选合计含量的下限值为3％，为5％。相对于本专利技术的液晶组合物的总量，优选合计含量的上限值为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为11％，为9％。
[0037]相对于本专利技术的液晶组合物的总量，由式(i-4)和(i-5)表示的化合物的优选合计含量的下限值为3％，为5％。相对于本专利技术的液晶组合物的总量，优选合计含量的上限值为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为11％，为9％。
[0038]相对于本专利技术的液晶组合物的总量，由式(i-4)表示的化合物的优选含量的下限值为3％，为5％。相对于本专利技术的液晶组合物的总量，优选含量的上限值为23％，为20％，为18％，为15％，为13％，为11％，为9％。
[0039]本专利技术的液晶组合物含有1种或2种以上由通式(N-1-11)表示的化合物。
[0040]由通式(N-1-11)表示的化合物中，R
N11
优选为碳原子数1～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，优选为甲基、乙基、丙基、丁基、乙烯基或1-丙烯基。R
N12
优选为碳原子数1～5的烷基、碳原子数4～5的烯基或碳原子数1～4的烷氧基，优选为乙氧基、丙氧基或丁氧基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶组合物，其含有1种或2种以上由通式(i)表示的化合物，含有1种或2种以上由通式(N-1-11)表示的化合物，并且含有1种或2种以上由通式(N-1-4)表示的化合物；化1式中，R1和R2各自独立地表示碳原子数1～8的烷基或碳原子数1～8的烷氧基；化2式中，R
N11
和R
N12
各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或非邻接的2个以上-CH
2-可以各自独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，n
Nd11
为1或2；化3式中，R
ii1
和R
ii2
各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或非邻接的2个以上-CH
2-可以各自独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，L1和L2各自独立地表示氢原子、氟原子或氯原子。2.如权利要求1所述的液晶组合物，其进一步含有1种或2种以上由通式(L-1)表示的化合物；化4式中，R
L11
和R
L12
各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或非邻接的2个以上-CH
2-可以各自独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代。3.如权利要求2所述的液晶组合物，其进一步含有1种或2种以上从由通式(N-1)、(N-2)和(N-3)表示的化合物中选择的化合物，化5
式中，R
N11
、R
N12
、R
N21
、R
N22
、R
N31
和R
N32
各自独立地表示碳原子数1～8的烷基，该烷基中的1个或非邻接的2个以上-CH
2-可以各自独立地被-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-CO-、-COO-或-OCO-取代，A
N11
、A
N12
、A
N21
、A
N22
、A
N31
和A
N32
各自独立地表示从由如下基团(a)、基团(b)、基团(c)和基团(d)组成的组中选择的基团：(a)1,4-亚环己基，该基团中存在的1个-CH
2-或不邻接的2个以上-CH
2-可以被-O-取代；(b)1,4-亚苯基，该基团中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上-CH＝可以被-N＝取代；(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基或十氢萘-2,6-二基，萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基中存在的1个-CH＝或不邻接的2个以上-CH＝可以被-N＝取代；以及(d)1,4-亚环己烯基，上述基团(a)、基团(b)、基团(c)和基团(d)可以各自独立地被氰基、氟原子或氯原子取代，Z
N11
、Z
N12
、Z
N21
、Z
N22
、Z
N31
和Z
N32
各自独立地表示单键、-CH2CH
2-、-(CH2)
4-、-OCH
2-、-CH2O-、-COO-、-OCO-、-OCF
2-、-CF2...

【专利技术属性】
技术研发人员：神田僚，谷口士朗，幡野直美，间宫纯一，林正直，岩洼昌幸，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：