【技术实现步骤摘要】
电压监视电路
[0001]本专利技术涉及一种对监视对象电压与判定电压的大小关系进行监视的电压监视电路。
技术介绍
[0002]图9是表示以往的电压监视电路的一构成例的图。图9所示的电压监视电路11搭载在1芯片的半导体集成电路装置。电压监视电路11具备电阻12及13、基准电压产生电路14、比较器15、输入端子T11及输出端子T12。
[0003]监视对象电压MV施加至输入端子T11。包括电阻12及13的分压电路将监视对象电压MV转换为分压VDIV11,并将分压VDIV11供给至比较器15的非反相输入端子。
[0004]基准电压产生电路14产生规定的基准电压VREF11,并将所述基准电压VREF11供给至比较器15的反相输入端子。
[0005]比较器15产生表示分压VDIV11与基准电压VREF11的比较结果的比较信号S11,并经由输出端子T12输出至电压监视电路11的外部。在分压VDIV11大于基准电压VREF11的情况下,比较信号S11成为高电平信号。另一方面,在分压VDIV11小于基准电压VREF1 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电压监视电路,具备:输入端子,被施加监视对象电压或所述监视对象电压的分压;基准电压产生电路,产生第1基准电压;线性电源电路,将所述第1基准电压转换为第2基准电压;反馈电阻,产生所述第2基准电压的分压,并将所述第2基准电压的分压负反馈给所述线性电源电路;及比较部,将所述第2基准电压与施加至所述输入端子的所述监视对象电压或所述监视对象电压的分压进行比较。2.根据权利要求1所述的电压监视电路,其中所述输入端子为第1输入端子,所述比较部为第1比较部,且具备:第2输入端子,被施加值与施加至所述第1输入端子的所述监视对象电压或所述监视对象电压的分压不同的所述监视对象电压的分压;及第2比较部,将所述第2基准电压与施加至所述输入端子的所述监视对象电压或所述监视对象电压的分压进行比较。3.根据权利要求1或2所述的电压监视电路,其中所述基准电压产生电路具备耗尽型场效应晶体管与增强型场效应晶体管。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电压监视电路,其中所述反馈电阻包括多晶硅膜。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电压监视电路,其中所述电压监视电路搭载在1芯片的半导体集成电路装置,所述电压监视电路具备输出所述比较部中的比较结果的输出端子,所述芯片呈...
【专利技术属性】
技术研发人员:神原东风,井上勇气,槇本浩之,
申请(专利权)人:罗姆股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。