溅射装置及利用其的溅射方法制造方法及图纸

本公开的一实施例公开了一种溅射装置，包括：腔室，分别安装有溅射对象体和目标物；和磁铁部，在所述目标物形成磁场并沿着第一方向往返移动，所述磁铁部具备一个以上的单元磁铁，所述单元磁铁包括沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的中心磁铁、以及隔开预定间隔围绕所述中心磁铁的外围磁铁，所述中心磁铁在沿着所述第二方向的端部的宽度相比于所述中心磁铁的本体的中心部更窄。磁铁的本体的中心部更窄。磁铁的本体的中心部更窄。

【技术实现步骤摘要】
溅射装置及利用其的溅射方法


[0001]本公开涉及一种利用磁场来执行蒸镀作业的溅射装置及利用其的溅射方法。

技术介绍

[0002]例如，适用于显示装置的薄膜晶体管等通过如磁控管溅射那样利用磁场的蒸镀过程而被制造。即，利用磁场对准备的蒸镀用目标物进行溅射，从而在作为蒸镀对象材料的显示装置的基板上形成所需图案的薄膜。

技术实现思路

[0003]但是，在进行溅射的过程中，可能会发生蒸镀用目标物没有被整体均匀消耗，而是特定部位被集中消耗的现象。这种现象主要是因为溅射时所产生的等离子体能量集中在特定部位而发生。这种情况下，因特定部位的过度消耗，而只能提前替换还充分剩余的目标物，从而可能会对生产性带来大的负面影响。
[0004]本公开的实施例提供一种溅射装置及利用其的溅射方法，其改善为能够防止目标物的特定部位过度消耗的现象，从而实现稳定的蒸镀工艺。
[0005]本公开实施例提供一种溅射装置，包括：腔室，分别安装有溅射对象体和目标物；和磁铁部，在所述目标物形成磁场并沿着第一方向往返移动，所述磁铁部具备一个以上的单元磁铁，所述单元磁铁包括沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的中心磁铁、以及隔开预定间隔围绕所述中心磁铁的外围磁铁，所述中心磁铁在沿着所述第二方向的端部的宽度相比于所述中心磁铁的本体的中心部更窄。
[0006]可以是，所述中心磁铁的本体的中心部为恒定宽度，所述端部的宽度沿着所述第二方向越向外侧逐渐变窄。
[0007]可以是，围绕所述中心磁铁的所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述第二方向上的端部相比于在所述中心磁铁的本体的中心部更窄。
[0008]可以是，在所述中心磁铁的本体的中心部，所述外围磁铁的内部空间为恒定宽度，在所述端部，所述内部空间的宽度沿着所述第二方向越向外侧逐渐变窄。
[0009]可以是，所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述端部形成段差并阶段性变窄。
[0010]可以是，所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述端部形成倾斜并连续变窄。
[0011]可以是，所述中心磁铁的宽度开始变窄的位置与所述外围磁铁的内部空间的宽度开始变窄的位置沿着所述第二方向一致。
[0012]可以是，所述中心磁铁的宽度开始变窄的位置与所述外围磁铁的内部空间的宽度开始变窄的位置沿着所述第二方向不一致。
[0013]可以是，多个所述单元磁铁沿着所述第一方向配置，当将各个所述单元磁铁的所述外围磁铁的宽度定义为t1，将相邻的所述外围磁铁的末端部之间的间隔定义为d1，将各个所述单元磁铁的所述第一方向上的移动距离定义为SL，将相邻的所述中心磁铁的本体的中心部之间的间隔定义为W时，满足W＝d1+3
·
t1<SL的关系。
[0014]可以是，在进行蒸镀作业时，在所述对象体和所述目标物之间形成与所述中心磁铁和所述外围磁铁之间的间隔对应的形状的等离子体。
[0015]除了上述内容之外的其他方面、特征、益处通过以下的附图、权利要求书及本公开的具体说明就会清楚。
附图说明
[0016]图1为概略示出本公开的一实施例的溅射装置的结构的主视图。
[0017]图2为示出图1中所示的溅射装置中的磁铁部、目标物、基板、掩膜的重叠配置关系的俯视图。
[0018]图3A为示出图1中所示的溅射装置中的磁铁部的俯视图。
[0019]图3B为示出图3A的比较例的俯视图。
[0020]图4A为示出通过图3A的磁铁部来形成等离子体的情况的立体图。
[0021]图4B为示出通过图3B的磁铁部来形成等离子体的情况的立体图。
[0022]图5为示出图3A中所示的磁铁部的规格条件的俯视图。
[0023]图6A至图6D为示出图3A中所示的磁铁部的能够变形的例子的俯视图。
[0024]图7为示出作为用图1中所示的溅射装置能够蒸镀的目标物，以有机发光显示装置为例的截面图。
具体实施方式
[0025]本公开可以进行各种变化，也可以有各种实施例，其中的特定实施例图示于附图中并在详细说明中详细地说明。本公开的效果、特征及用于实现它们的方法参照与附图一起详细地在后面描述的实施例就会清楚。但是，本公开并不限于以下实施例，可以以多种形式实现。
[0026]在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是用于限定，而是以将一个构成要件与另一个构成要件区别开的目的来使用。
[0027]在以下的实施例中，在没有做出相反定义的情况下，单数的表达包括复数的表达。
[0028]在以下的实施例中，包括或具有等用语是意味着在说明书中记载的特征或构成要件存在，不预先排除一个以上的其他特征或构成要件的附加可能性。
[0029]为了便于说明，在附图中，构成要件的大小可能会被放大或缩小。例如，在附图中示出的各个结构的大小及厚度是为了便于说明而任意示出的，本公开并不是必须限定于图示的。
[0030]以下，参照附图，对本公开的实施例详细地说明，在参照附图进行说明时，针对相同或对应的构成要件赋予相同的附图标记。
[0031]图1为概略示出本公开的一实施例的溅射装置的结构的主视图。
[0032]如图所示，本实施例的溅射装置可以具备腔室200和磁铁部100等，在腔室200彼此相对地配置有作为对象体的基板10与蒸镀用目标物20，磁铁部100在所述目标物20形成磁场。
[0033]在溅射时，如图1所示，向腔室200内供应氩气的同时，将目标物20作为阴极并将基板10作为阳极而引起放电。这时，从所述氩气产生氩离子的同时形成等离子体，该等离子体
的氩离子与目标物20冲突而该目标物20的微粒子飞散，该飞散的微粒子通过掩膜30的图案孔31而蒸镀在基板10的同时形成薄膜。并且，所述磁铁部100起到形成磁场而增加基于氩离子的冲突的溅射速度的作用。
[0034]在这里，所述磁铁部100具备多个单元磁铁110，单元磁铁110具备S极的中心磁铁111和围绕该中心磁铁111的N极的外围磁铁112。所述磁铁部100沿着图1的X轴方向(以下，又称为第一方向)往返移动的同时，将磁场均匀作用于目标物20的整体。
[0035]图2为示出图1中的磁铁部100、目标物20、基板10、掩膜30的重叠的配置关系的俯视图。
[0036]从图2可知，基板10与目标物20都以比掩膜30的图案孔31更大的面积构成，由此，可视为位于图案孔31外侧的边缘部在实际蒸镀作业中并不能被很有效地使用。
[0037]但是，即使如此，如果在目标物20的该边缘部发生过度消耗，则需要替换整个目标物20。其原因是，如果在发生过度消耗而边缘部几乎消耗完的情况下还继续蒸镀，则目标物20后侧的设备可能会因为热、等离子体、微粒子等而受到直接的损伤。
[0038]但是，在实际进行蒸镀作业时，过度消耗现象就是几乎都发生在该目标物20的边缘部。那是因为，通过所述磁铁部100的单元磁铁110形成的等离子体的形状以促进该目标物20的边缘部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅射装置，其中，所述溅射装置包括：腔室，分别安装有溅射对象体和目标物；和磁铁部，在所述目标物形成磁场并沿着第一方向往返移动，所述磁铁部具备一个以上的单元磁铁，所述单元磁铁包括沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的中心磁铁、以及隔开预定间隔围绕所述中心磁铁的外围磁铁，所述中心磁铁的在沿着所述第二方向的端部的宽度相比于所述中心磁铁的本体的中心部更窄。2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述中心磁铁的本体的中心部为恒定宽度，所述端部的宽度沿着所述第二方向越向外侧逐渐变窄。3.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，围绕所述中心磁铁的所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述第二方向上的端部相比于在所述中心磁铁的本体的中心部更窄。4.根据权利要求3所述的溅射装置，其中，在所述中心磁铁的本体的中心部，所述外围磁铁的内部空间为恒定宽度，在所述端部，所述内部空间的宽度沿着所述第二方向越向外侧逐渐变窄。5.根据权利要求4所述的溅射装置，其中，所述外围磁铁的内部空间的宽度在所述端部形成段差并阶段性变窄。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宽龙，南相睦，金显佑，边宰号，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：