本实用新型专利技术披露一种液晶面板，包括一第一基板，其上具有一显示有源区域；一内间隔墙，设于该第一基板的该显示有源区域的周围；一外间隔墙，设于该第一基板上的该内间隔墙的一外侧，且与该内间隔墙之间形成一封胶沟槽，其中该内间隔墙与该外间隔墙的高度约略相等；一封胶，涂布于该封胶沟槽内；一第二基板，由该内间隔墙与该外间隔墙所支撑，并与该封胶接触，使该第一基板与该第二基板封合固接，其中该第一基板、该第二基板与该内间隔墙定义一腔室；以及一液晶层，利用滴入注入技术充填于该腔室中。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种液晶(Liquid Crystal)面板结构，特别是涉及一种采用双间隔墙(dual spacer wall)设计的硅基液晶(Liquid Crystal-on-Silicon，LCoS)显示面板结构，而具有较小单一芯片面积、可减少胶宽尺寸及液晶损失、无需预留液晶注入口(配合滴下注入技术)以及无需在硅基板上喷洒球状间隔体等诸多优点。
技术介绍
硅基液晶微显示器是反射式硅基液晶投影机(reflective LCoS projector)与背投影电视(rear-projection television)的关键技术。LCoS微显示器最大的优点在于可大幅降低面板生产成本、体积小，并且具有高分辨率以及低功率。其与一般薄膜晶体管-液晶显示器(thin film transistor-liquid crystal display，TFT-LCD)不同的是，TFT-LCD上下两面皆是以玻璃作为基底(substrate)，但LCoS仅有上面采用玻璃，底下的基底则是以半导体材料硅为主，因此，LCoS工艺其实是结合LCD与半导体互补式金氧半导体(complementarymetal-oxide semiconductor，CMOS)工艺的技术。请参考图1及图2，其中图1绘示的是现有硅基液晶显示面板10的上视图，图2则是图1中的硅基液晶显示面板10沿着切线I-I的剖面示意图。如图1及图2所示，现有硅基液晶显示面板10包括一硅背板12，其显示有源区域14内设置有多个呈阵列状排列的像素电极(图未示)、一玻璃前板16平行设置于硅背板12上方，一液晶层18填充于硅背板12与玻璃前板16之间。此外，在硅背板12与玻璃前板16之间另有多个球型间隔体22。其中，硅背板12包括多个利用半导体工艺制作的金氧半导体(MOS)元件，用来驱动各像素电极，而在硅背板12的较长边上，通常设有多个金属接合垫(bondingpad)122。为了要得到稳定的显示质量，液晶层18的厚度，或称间隙(cell gap)，即透明导电基板与半导体基板间的间隔，必得要精准地控制在一固定值。而现有液晶显示面板装置的工艺，为了要维持间隙，通常会在上、下两基板间置入塑性珠(plastic bead)或玻璃珠作为球型间隔体22。因此，间隙大小就由球型间隔体的直径来决定。在现有工艺中，球型间隔体22以喷洒(spray)的方式均匀分散在硅背板12上，但若喷洒后呈现不均匀分布，在球型间隔体群聚之处，显示质量就会明显下降，且也可能导致基板的间隙大小不一致。此外，使用塑性珠或玻璃珠作为间隔体的方式，成本亦较高昂。此外，现有硅基液晶显示面板10的作法先在硅背板12的有源区域14周围涂上胶框20，其胶框宽度设计尺寸约为2000微米(μm)左右，形成胶框20时需预留液晶注入口(图未示)，该液晶注入口的宽度约为500微米左右，因此，现有硅基液晶显示面板10的面积较大。再者，现有硅基液晶显示面板10的作法在后续真空吸注液晶时，通常会流失掉部分的液晶，这些流失掉的液晶无法回收使用，此亦是面板成本不能降低的原因之一。且，在注入液晶之后，液晶有可能与接触到的胶框20反应，造成液晶的污染或变质。由上可知，现有硅基液晶显示面板10的结构与作法皆未臻完善，而仍有进一步改善进步的空间，本技术的目的即在将LCoS显示器工艺进一步整合，有效提高产率，降低生产成本。
技术实现思路
因此，本技术的主要目的在于提供一种硅基液晶显示面板的新颖结构，以解决上述现有技艺的问题。根据本技术的优选实施例，本技术披露一种液晶面板，包括一第一基板，其上具有一显示有源区域；一内间隔墙，设于该第一基板的该显示有源区域的周围；一外间隔墙，设于该第一基板上的该内间隔墙的一外侧，且与该内间隔墙之间形成一封胶沟槽，其中该内间隔墙与该外间隔墙的高度约略相等；一封胶，涂布于该封胶沟槽内；一第二基板，由该内间隔墙与该外间隔墙所支撑，并与该封胶接触，使该第一基板与该第二基板封合固接，其中该第一基板、该第二基板与该内间隔墙定义一腔室；以及一液晶层，利用滴入注入技术充填于该腔室中。本技术还提供一种液晶面板，包括第一基板，其上具有显示有源区域；至少一间隔墙，设于该第一基板的该显示有源区域的周围，该间隔墙具有上表面；封胶，涂布于该间隔墙的该上表面；第二基板，由该间隔墙所支撑，并与该封胶接触，使该第一基板与该第二基板封合固接，其中该第一基板、该第二基板与该间隔墙共同定义出腔室；以及液晶层，充填于该腔室中。为了进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图。然而附图仅供参考与说明用，并非用来对本技术加以限制。附图说明图1绘示的是现有硅基液晶显示面板的上视图。图2是图1中硅基液晶显示面板沿着切线I-I的剖面示意图。图3绘示的是本技术优选实施例的硅基液晶显示面板上视图。图4是图3中硅基液晶显示面板沿着切线I-I的剖面示意图。图5至图9绘示的是本技术实施例硅基剖面示意图。简单符号说明10硅基液晶显示面板12硅背板14显示有源区域16玻璃前板18液晶层 20胶框22球型间隔体122金属接合垫50硅基液晶显示面板58液晶层52硅背板 54显示有源区域56玻璃前板62内间隔壁62a上表面 64外间隔壁64a上表面 66沟槽70封胶522金属接合垫112介电层 114光致抗蚀剂屏蔽图案152硅基板 154显示有源区域156玻璃基板 158液晶160双间隔墙 162内间隔墙164外间隔墙 166沟槽 170封胶具体实施方式请参阅图3以及图4，其中图3绘示的是本技术优选实施例的硅基液晶显示面板50上视图，图4则是图3中本技术硅基液晶显示面板50沿着切线II-II的剖面示意图。本技术硅基液晶显示面板50包括一硅背板52，其显示有源区域(display active region)54内设置有多个呈阵列状排列的像素电极(图未示)、一玻璃前板56平行设置于硅背板52上方，一液晶层58填充于硅背板52与玻璃前板56之间。其中，硅背板52包括多个利用标准半导体工艺制作的金氧半导体(MOS)元件，用来驱动各像素电极。本技术的主要技术特征在于硅背板52的有源区域54周围作双间隔墙(dual spacer wall)设计，其中内间隔墙(inner spacer wall)62与外间隔墙(outerspacer wall)64的高度约略相等，且内间隔墙62与外间隔墙64之间为一沟槽(groove)66，可用来容纳封胶70，并增加硅背板52与封胶70的接触面积。内间隔墙62与外间隔墙64分别具有一平坦的上表面62a与64a。此外，用来连结板内部集成电路与外部载板线路的多个金属接合垫522，则不再设置于硅背板52的较长边上，而改设置在在硅背板52的较短边上。根据本技术，内间隔墙62与外间隔墙64在硅背板52的制造流程的最后再利用半导体工艺，如化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)工艺、化学机械研磨(chemical mechanical polish，CMP)工艺、光刻(lithography)以及蚀刻(etching)等技术，在显示有本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶面板，其特征在于包括： 第一基板，其上具有显示有源区域； 内间隔墙，设于该第一基板的该显示有源区域的周围； 外间隔墙，设于该第一基板上的该内间隔墙的外侧，且与该内间隔墙之间形成封胶沟槽，其中该内间隔墙与该外间隔墙的高度相等； 封胶，涂布于该封胶沟槽内； 第二基板，由该内间隔墙与该外间隔墙所支撑，并与该封胶接触，使该第一基板与该第二基板封合固接，其中该第一基板、该第二基板与该内间隔墙共同定义出腔室；以及 液晶层，充填于该腔室中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：白东尼，官大双，孟启泰，
申请(专利权)人：联诚光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]
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