一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括：一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一公共电极设置在上基板，像素电极形成于下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成多个像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，其中该液晶层靠近基板的一侧液晶分子预倾角为０度至１５度，另一侧液晶分子预倾角为７５度至９０度，该反射区电极的表面设置多个突起结构。该液晶显示装置具有高对比度，视角良好的特性。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术是关于一种液晶显示装置，尤其是关于一种半穿透半反射式液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置因具有低辐射性、体积轻薄短小及耗电低等特点，故于使用上日渐广泛，且随着相关技术的成熟及创新，其种类也日益繁多。根据液晶显示装置所利用光源的不同，可分为穿透式液晶显示装置与反射式液晶显示装置。穿透式液晶显示装置须于液晶显示面板背面设置一背光源以实现图像显示，但是，背光源的耗能约占整个穿透式液晶显示装置耗能的一半，故穿透式液晶显示装置的耗能较大。反射式液晶显示装置能解决穿透式液晶显示装置耗能大的问题，但是在光线微弱的环境下很难实现图像显示。半穿透半反射式液晶显示装置能解决以上的问题。请参阅图1，一种现有技术半穿透半反射式液晶显示装置1包括二相对的透明下基板11与上基板12、一液晶层13夹在该下基板11与上基板12之间。一透明公共电极14及一配向膜18依次设置在该上基板12的内侧表面，一上延迟片122及一上偏光板121依次设置在该上基板12的外侧表面。一透明电极17、一钝化层16、一反射电极15及一配向膜19依次设置在该下基板11的内侧表面，其中该钝化层16及反射电极15具一开口151。一下延迟片112及一下偏光板111依次设置在该下基板11的外侧表面。该上延迟片122与下延迟片112为四分之一波长片(λ/4)，配向膜18、19为水平配向(Homogeneous Alignment)，上偏光板121与下偏光板111的偏振方向互相垂直。反射电极15为高反射率的金属铝(Al)，透明公共电极14与透明电极17为透明导电材料如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化铟锌(IndiumZinc Oxide，IZO)。液晶层13具有不同的厚度，其中透明公共电极14与反射电极15间液晶层13的厚度为d11，透明公共电极14与透明电极17间液晶层13的厚度为d12，其中d12大约为d11的两倍。液晶层厚度为d11的区域为反射区域，液晶层厚度为d12的区域为穿透区域。反射区域的液晶层13的光学延迟为Δn·d11＝λ/4由于d12大约为d11的两倍，故穿透区域的液晶层13的光学延迟为Δn·d12＝λ/2其中Δn为液晶层13的双折射率，λ是光线的波长。请参阅图2，为半穿透半反射式液晶显示装置的亮态与暗态下的液晶分子排列示意图。未施加电压时液晶分子沿水平方向排列，由于反射区域的液晶层13的光学延迟为λ/4，穿透区域的液晶层13的光学延迟为λ/2，故该半穿透半反射式液晶显示装置1为亮态。施加电压时液晶分子沿垂直于基板11、12的方向排列，液晶层13的光学延迟为0，故该半穿透半反射式液晶显示装置1为暗态。通过施加不同值的电压可实现不同的灰阶显示。但是，施加电压时，由于配向膜18、19与位于其附近的液晶分子间具有锚钩能(Anchoring Energy)，配向膜18、19附近的液晶分子并不能完全沿垂直于基板11、12的方向排列，且光线经过该液晶层13会时，由于在反射区及穿透区的光程不同，存在光程差，所以产生光学延迟，使得该半穿透半反射式液晶显示装置1在暗态时存在漏光现象。请参阅图3，是现有技术半穿透半反射式液晶显示装置1的电压与穿透率的曲线图，当电压逐渐升高(达到5V时)，该半穿透半反射式液晶显示装置1的穿透率不为0，也就是说此时不能实现全黑，仍然有部份光线通过，无法实现暗态的显示，从而影响其对比度及视角特性。
技术实现思路
为了克服现有技术中液晶显示装置对比度低及视角特性差的问题，本技术提供一种具高对比度及良好视角特性的半穿透半反射式液晶显示装置。本专利技术提供了另一种具高对比度及良好视角特性的半穿透半反射式液晶显示装置。本专利技术提供了又一种具高对比度及良好视角特性的半穿透半反射式液晶显示装置。本技术解决技术问题所采用的技术方案是提供一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一公共电极设置在上基板，像素电极形成于下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成多个像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，其中该液晶层靠近基板的一侧液晶分子预倾角为0度至15度，另一侧液晶分子预倾角为75度至90度，该反射区电极的表面设置多个突起结构。本技术的半穿透半反射式液晶显示装置进一步包括分别设置在该上基板外侧及下基板外侧的一第一上延迟片及第一下延迟片，该第一上延迟片及第一下延迟片均为四分之一波长片。本技术解决技术问题所采用的另一技术方案是提供一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一公共电极设置在上基板，像素电极形成于下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成多个像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，其中该液晶层靠近基板的一侧液晶分子预倾角为0度至15度，另一侧液晶分子预倾角为75度至90度，该技术方案中该像素电极的表面设置多个突起结构。本技术解决技术问题所采用的又一技术方案是提供一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一公共电极设置在上基板，像素电极形成于下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成多个像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，其中该液晶层靠近基板的一侧液晶分子预倾角为0度至15度，另一侧液晶分子预倾角为75度至90度，该上基板与该公共电极之间间隔设置有钝化层，该钝化层的表面设置多个突起结构。相比现有技术，本技术的有益效果是该半穿透半反射式液晶显示装置的穿透区域与反射区域具有不同的液晶间隙厚度，而且该反射区的电极表面设置多个突起结构，可以提高反射区的视角特性，具有响应快、驱动电压低等特性，同样的道理将该像素电极的表面及该钝化层的表面设置多个突起结构，可以进一步提高该半穿透半反射式液晶显示装置的视角特性，第一上延迟片及第一下延迟片能够对施加电压时由于液晶分子并不完全垂直于基板排列而造成的剩余光学相位延迟进行补偿，从而减少暗态时的漏光现象，提高该半穿透半反射式液晶显示装置的对比度。附图说明图1是现有技术半穿透半反射式液晶显示装置的剖面示意图。图2是现有技术半穿透半反射式液晶显示装置的亮态与暗态下的液晶分子排列示意图。图3是现有技术半穿透半反射式液晶显示装置的穿透率与驱动电压关系曲线图。图4是本技术半穿透半反射式液晶显示装置第一实施方式的剖面示意图。图5是本技术半穿透半反射式液晶显示装置第二实施方式的剖面示意图。图6是本技术半穿透半反射式液晶显示装置第三实施方式的剖面示意图。图7是本技术半穿透半反射式液晶显示装置第四实施方式的剖面示意图。图8是本技术半穿透半反射式液晶显示装置第五实施方式的剖面示意图。图9是本技术半穿透半反射式液晶显示装置第六实施方式的剖面示意图。具体实施方式图4是本技术半穿透半反射式液晶显示装置第一实施方式的剖面示意图，本技术半穿透半反射式液晶显示装置10包括一上基板22、一与上基板22对应设置的下基板21、一位于该二基板22、21间的液晶层111，该液晶层111包括多个正型液晶分子。该上基板22的外侧表面依次设本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半穿透半反射式液晶显示装置，其包括：一上基板，一下基板，一位于该上基板与该下基板之间的液晶层，一公共电极设置在上基板，一像素电极形成于下基板，该像素电极、公共电极及位于其中间的液晶层构成多个像素区域，该每一像素区域具一反射区电极及一穿透区电极，其特征在于：该液晶层靠近基板的一侧液晶分子预倾角为０度至１５度，另一侧液晶分子预倾角为７５度至９０度，该反射区电极的表面设置多个突起结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨秋莲，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]
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