电磁波屏蔽片制造技术

本发明专利技术的电磁波屏蔽片是用以形成组件搭载基板(101)中所使用的电磁波屏蔽层(1)的电磁波屏蔽片，组件搭载基板(101)包括：基板(20)、搭载于基板(20)的单面或两面的电子组件(30)、以及将通过电子组件(30)的搭载而形成的台阶部及基板的一部分覆盖且包括电磁波反射层和/或电磁波吸收层的电磁波屏蔽层(1)；并且电磁波屏蔽片(10)包括电磁波反射层的热压前的导电层(2)和/或电磁波吸收层的热压前的导电层(2)，电磁波反射层的热压前的导电层(2)包含粘合剂树脂及导电性填料，电磁波吸收层的热压前的导电层(2)包含粘合剂树脂及电磁波吸收填料。所述导电层(2)在23℃下的杨氏模量设为10MPa～700MPa。10MPa～700MPa。10MPa～700MPa。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁波屏蔽片


[0001]本专利技术涉及一种电磁波屏蔽片，其尤其适合于形成组件搭载基板的电磁波屏蔽层。

技术介绍

[0002]搭载有如集成电路(Integrated Circuit，IC)芯片等电子组件的电子基板为了防止由来自外部的磁场或电波所引起的误动作，以及，为了降低从电子基板内部产生的电讯号的无用辐射，通常设置有电磁波屏蔽结构。尽管已使用溅射法用于IC芯片的屏蔽，但是由于设备投资的问题等而要求替代技术。
[0003]因此，为了满足上述要求，近年来提出有于形成电子组件的外骨架的成型树脂(mold resin)上涂覆电磁波屏蔽片的方法(专利文献1～专利文献3)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1国际公开第2014/083875号
[0007]专利文献2国际公开第2014/027673号
[0008]专利文献3国际公开第2015/186624号

技术实现思路

[0009]专利技术所欲解决的问题
[0010]专利文献1～专利文献3中，公开有通过将电磁波屏蔽片进行热压而于电子组件的表面形成电磁波屏蔽层的技术。例如于专利文献3中，对其上搭载有形成密封树脂的电子组件的基板进行半切割(half dicing)，将电磁波屏蔽片热压于上述基板的凹/凸面。此时通过半切割而形成的凸部的边缘为锐角，如图16所示，若将电磁波屏蔽片进行热压，则于边缘部，电磁波屏蔽片容易断裂(例如图16的A-1或A-2)。因此，存在不仅外观恶化，而且导致电磁波屏蔽层的质量下降的问题(以下称为边缘覆盖性)。另一方面，若为了抑制边缘部的断裂而提高电磁波屏蔽片的膜的硬度，则存在以下问题：如图17所示，电磁波屏蔽片的凹部的埋入性恶化(即图17的埋入性不良X1)，或如图18所示，于槽部，电磁波屏蔽片断裂(即图18的槽内部膜的破裂X2)。这些问题导致例如无法与基板的槽部侧面上的接地部连接等(以下称为接地连接性)的问题。
[0011]此外，电子组件要求长期的耐候性，因此必须耐受高压锅试验(pressure cooker test，PCT)，即PCT耐性。但是，为了填埋电子组件间的槽而对电磁波屏蔽片赋予柔软性后，亦存在非常难以赋予PCT耐性的问题。
[0012]本专利技术是鉴于所述背景而形成的，目的在于提供一种可提供埋入性、接地连接性、边缘覆盖性及PCT耐性良好的电磁波屏蔽层的电磁波屏蔽片。
[0013]解决问题的手段
[0014]本专利技术者反复进行深入研究，结果发现于以下方面中可解决本专利技术的问题，从而
完成本专利技术。
[0015][1]：一种电磁波屏蔽片，其是用以形成电子组件搭载基板中所使用的电磁波屏蔽层的热压前的电磁波屏蔽片，所述电子组件搭载基板包括：
[0016]基板；
[0017]电子组件，其搭载于所述基板的单面或两面；以及
[0018]电磁波屏蔽层，其覆盖通过所述电子组件的搭载而形成的台阶部以及所述基板的至少一部分露出面，且包括电磁波反射层及电磁波吸收层中的至少一个层；并且
[0019]所述电磁波屏蔽片包括所述电磁波反射层的热压前的导电层、及所述电磁波吸收层的热压前的导电层中的至少一者，
[0020]所述电磁波反射层的热压前的导电层包含粘合剂树脂及导电性填料，
[0021]所述电磁波吸收层的热压前的导电层包含粘合剂树脂及电磁波吸收填料，
[0022]所述导电层在23℃下的杨氏模量为10MPa～700MPa。
[0023][2]：如[1]所述的电磁波屏蔽片，其中，所述导电层在80℃下的杨氏模量为5MPa～85MPa。
[0024][3]：如[1]或[2]所述的电磁波屏蔽片，其中，所述导电层的玻璃化转变温度(Tg)为-15℃～30℃，将该导电层于180℃下加热2小时后的玻璃化转变温度(Tg)为20℃～80℃。
[0025][4]：如[1]～[3]中的任一项所述的电磁波屏蔽片，其中，所述导电层在23℃下的杨氏模量与该导电层在80℃下的杨氏模量的比值[23℃下的杨氏模量]/[80℃下的杨氏模量]为1.8～8.5。
[0026][5]：如[1]～[4]中的任一项所述的电磁波屏蔽片，其中，所述导电层的固化度为60％～99％。
[0027]专利技术的效果
[0028]依据本专利技术，可提供一种电磁波屏蔽片，其形成埋入性、接地连接性、边缘被覆性及PCT耐性良好的电磁波屏蔽层。因此，可提供可靠性高的组件搭载基板、以及电子设备。
附图说明
[0029]图1是表示本实施方式的电子组件搭载基板的一例的示意性立体图。
[0030]图2是沿图1的II-II线的剖面图。
[0031]图3是表示本实施方式的电子组件搭载基板的另一例的示意性剖面图。
[0032]图4是表示本实施方式的叠层体的一例的示意性剖面图。
[0033]图5是表示本实施方式的叠层体的一例的示意性剖面图。
[0034]图6是表示本实施方式的叠层体的一例的示意性剖面图。
[0035]图7是本实施方式的电子组件搭载基板的制造步骤的剖面图。
[0036]图8是本实施方式的电子组件搭载基板的制造步骤的剖面图。
[0037]图9是本实施方式的电子组件搭载基板的制造步骤的剖面图。
[0038]图10是本实施方式的电子组件搭载基板的制造步骤的剖面图。
[0039]图11是本实施方式的电子组件搭载基板的制造步骤的剖面图。
[0040]图12是表示本实施例的电子组件搭载基板的另一例的示意性剖面图。
[0041]图13是本实施方式的电子组件搭载基板的制造步骤的剖面图。
[0042]图14是表示与埋入性有关的比较例和本实施例的组件搭载基板的剖面图。
[0043]图15是表示本实施例的组件搭载基板的评价方法的示意性剖面图。
[0044]图16是表示电子组件搭载基板的一例的示意性立体图，其中，电磁波屏蔽层利用先前的电磁波屏蔽片而形成。
[0045]图17是埋入性不良的一例。
[0046]图18是埋入性不良的一例。
具体实施方式
[0047]以下，对应用本专利技术的实施方式的一例进行说明。此外，本说明书中所确定的数值是利用实施方式或者实施例所揭示的方法来求出的值。另外，本说明书中所确定的数值“A～B”是指满足数值A与大于数值A的值以及数值B与小于数值B的值的范围。另外，本说明书的所谓“片”，不仅包含日本工业标准(Japanese Industrial Standards，JIS)中所定义的“片”，亦包含“膜”。为了使说明明确，以下的记载及附图适当简化。另外，同一要素构件在不同实施方式中亦以同一符号来表示。本说明书中出现的各种成分只要未特别说明，则可分别独立地单独使用一种，亦可组合使用两种以上。
[0048]另外，本实施方式的导电性填料、电磁波吸收填料、以及无机填料的平均粒径D
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电磁波屏蔽片，其特征在于，所述电磁波屏蔽片是用以形成电子组件搭载基板中所使用的电磁波屏蔽层的热压前的电磁波屏蔽片，所述电子组件搭载基板包括：基板；电子组件，其搭载于所述基板的单面或两面；以及电磁波屏蔽层，其覆盖通过搭载所述电子组件而形成的台阶部以及所述基板的至少一部分露出面，且包括电磁波反射层及电磁波吸收层中的至少一个层；并且所述电磁波屏蔽片包括所述电磁波反射层的热压前的导电层、以及所述电磁波吸收层的热压前的导电层中的至少一者，所述电磁波反射层的热压前的导电层包含粘合剂树脂及导电性填料，所述电磁波吸收层的热压前的导电层包含粘合剂树脂及电磁波吸收填料，所述导电层在23℃下的杨氏模量为10M...

【专利技术属性】
技术研发人员：松户和规，梅泽辽太，安东健次，早坂努，
申请(专利权)人：东洋科美株式会社，
类型：发明
国别省市：