载具制造技术

本实用新型专利技术提供一种载具，应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中，该装置包括两个相对设置的极板以及生长基底，载具包括套筒、多个第一支撑部和多个第二支撑部，套筒呈中空结构；多个第一支撑部设于套筒内，且沿垂直于极板的方向间隔设置；多个第二支撑部设于套筒内，且沿垂直于极板的方向间隔设置；每个极板的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的其中一个上和多个第二支撑部的其中一个上，两个极板平行设置；生长基底的相对两侧能分别搭接于多个第一支撑部的另一个上和多个第二支撑部的另一个上，且生长基底位于两个极板之间。且生长基底位于两个极板之间。且生长基底位于两个极板之间。

【技术实现步骤摘要】
载具


[0001]本技术总体来说涉及石墨烯制备
，具体而言，涉及一种应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中的载具。

技术介绍

[0002]石墨烯是一种碳原子构成的单原子层的二维原子晶体材料，具有优异的光电特性，在材料、能源等诸多领域有着广泛的应用前景。
[0003]等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备方法是采用射频等离子体辅助进行化学气相沉积制备石墨烯的方法，该方法利用等离子体对前驱体分子进行有效裂解，降低了化学反应的势垒，使整个反应体系在较低温度条件下实现成膜反应。
[0004]PECVD制备石墨烯的方法中的等离子体是在两个极板之间激发产生的，故两个极板支撑固定效果的优劣对于石墨烯质量起到很大的影响作用。现有技术中均是采用两组支撑机构，分别支撑极板和生长基底，这样导致整体结构复杂，且不便于操作。
[0005]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本技术的一个主要目的在于提供一种载具，能同时支撑极板和生长基底，以解决现有技术中存在的结构复杂且不便于操作的问题。
[0007]为实现上述技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0008]根据本技术的一个方面，提供一种载具，应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中，所述装置包括两个相对设置的极板以及生长基底，所述载具包括套筒、多个第一支撑部和多个第二支撑部，套筒呈中空结构；多个第一支撑部设于所述套筒内，且沿垂直于所述极板的方向间隔设置；多个第二支撑部设于所述套筒内，且沿垂直于所述极板的方向间隔设置；每个所述极板的相对两侧能分别搭接于所述多个第一支撑部的其中一个上和所述多个第二支撑部的其中一个上，两个所述极板平行设置；所述生长基底的相对两侧能分别搭接于所述多个第一支撑部的另一个上和所述多个第二支撑部的另一个上，且所述生长基底位于两个所述极板之间。
[0009]根据本技术的一些实施方式，所述第一支撑部和所述第二支撑部均呈凸条状。
[0010]根据本技术的一些实施方式，所述套筒包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁；所述多个第一支撑部沿径向向内突出于所述第一侧壁的内表面，所述多个第二支撑部沿径向向内突出于所述第二侧壁的内表面。
[0011]根据本技术的一些实施方式，多个所述第一支撑部和多个所述第二支撑部一一对应设置。
[0012]根据本技术的一些实施方式，每两个相邻的所述第一支撑部之间形成第一凹
槽，每两个相邻的所述第二支撑部之间形成第二凹槽；
[0013]每个所述极板的相对两侧能分别收容于多个所述第一凹槽的其中一个和多个所述第二凹槽的其中一个；所述生长基底的相对两侧能分别收容于多个所述第一凹槽的另一个和多个所述第二凹槽的另一个。
[0014]根据本技术的一些实施方式，所述第一凹槽在垂直于所述极板的方向上的高度为1mm至10mm，所述第二凹槽在垂直于所述极板的方向上的高度与所述第一凹槽的高度相同。
[0015]根据本技术的一些实施方式，所述套筒沿垂直于轴线方向的横截面为矩形。
[0016]根据本技术的一些实施方式，所述套筒包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁，以及相对设置的顶壁和底壁；
[0017]多个所述第一支撑部沿径向向内突出于所述顶壁的内表面，多个所述第二支撑部沿径向向内突出于所述底壁的内表面，多个所述第一支撑部与多个所述第二支撑部一一对应设置。
[0018]根据本技术的一些实施方式，所述顶壁的两侧分别通过两个弧型过渡部连接于所述第一侧壁和所述第二侧壁；所述底壁的两侧分别通过两个弧型过渡部连接于所述第一侧壁和所述第二侧壁。
[0019]根据本技术的一些实施方式，所述套筒、多个所述第一支撑部和多个所述第二支撑部为一体结构。
[0020]上述技术中的一个实施例具有如下优点或有益效果：
[0021]在使用时，每个极板的两侧分别搭接于第一支撑部和第二支撑部上，两个极板平行设置，生长基底的两侧分别搭接于第一支撑部和第二支撑部上，且位于两个极板之间。相比于现有技术中的分别承载衬底和极板的设计，本技术实施例的载具可同时承载生长基底和极板，简化了结构，便于操作。另外，两个极板可选择性地插入不同的第一支撑部和第二支撑部，以调节两个极板之间的距离，使得更好地控制所激发的等离子体。同时，多个第一支撑部和多个第二支撑部相互配合，可实现一个或多个生长基底同时生产，提高了石墨烯制备的效率。
附图说明
[0022]通过参照附图详细描述其示例实施方式，本技术的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0023]图1是根据一示例性实施方式示出的载具的示意图。
[0024]图2是图1中沿A-A的剖视图。
[0025]图3是根据一示例性实施方式示出的第一极板、第二极板和生长基底搭接于载具上的示意图。
[0026]其中，附图标记说明如下：
[0027]30、第一极板
[0028]40、第二极板
[0029]510、套筒
[0030]511、第一侧壁
[0031]512、第二侧壁
[0032]513、顶壁
[0033]514、底壁
[0034]515、弧型过渡部
[0035]520、第一支撑部
[0036]521、第一凹槽
[0037]530、第二支撑部
[0038]531、第二凹槽
[0039]60、生长基底
具体实施方式
[0040]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0041]虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”、“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“顶”、“底”等也作具有类似含义。用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
[0042]本技术的实施例提供一种载具，应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中，该装置包括两个相对设置的极板以及生长基底，载具包括套筒、多个第一支撑部和多个第二支撑部，套筒呈中空结构；多个第一支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载具，应用于利用PECVD制备石墨烯的装置中，所述装置包括两个相对设置的极板以及生长基底，其特征在于，所述载具包括：套筒，呈中空结构；多个第一支撑部，设于所述套筒内，且沿垂直于所述极板的方向间隔设置；以及多个第二支撑部，设于所述套筒内，且沿垂直于所述极板的方向间隔设置；每个所述极板的相对两侧能分别搭接于所述多个第一支撑部的其中一个上和所述多个第二支撑部的其中一个上，两个所述极板平行设置；所述生长基底的相对两侧能分别搭接于所述多个第一支撑部的另一个上和所述多个第二支撑部的另一个上，且所述生长基底位于两个所述极板之间。2.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述第一支撑部和所述第二支撑部均呈凸条状。3.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述套筒包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁；所述多个第一支撑部沿径向向内突出于所述第一侧壁的内表面，所述多个第二支撑部沿径向向内突出于所述第二侧壁的内表面。4.根据权利要求3所述的载具，其特征在于，多个所述第一支撑部和多个所述第二支撑部一一对应设置。5.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，每两个相邻的所述第一支撑部之间形成第一凹槽，每两个相邻的所述第二支撑部之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭海琳，王可心，杨皓，王雄彪，曹风，武钦慈，刘忠范，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，
类型：新型
国别省市：