半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体结构，包括支撑基底、分离层、介质层、Ti金属种子层、Cu金属种子层及金属层，且介质层中具有相连通的第一凹槽以及第二凹槽；通过第一凹槽及第二凹槽，可有效去除位于介质层中的残留Ti金属种子层，且第二凹槽的底部与残留Ti金属种子层之间具有深度差

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本技术属于半导体制造领域，涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型集成电路的出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高的密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。
[0003]晶圆级封装(WLP)以晶圆为加工对象，对整个晶圆进行封装和测试，然后将晶圆切割成单个芯片。WLP由于具有小型化、低成本、高集成度以及具有更好的性能和更高的能源效率等优点，因此，已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。
[0004]RDL可对芯片的焊盘的焊区位置进行重新布局，使新焊区满足对焊料球最小深度差的要求，并使新焊区按照阵列排布。对于高I/O芯片封装结构而言，需要多层RDL金属线，在有限的外形形状及封装尺寸下，RDL金属线的线宽及线深度差越小意味着可以得到越多的供电轨道。然而，RDL的制造需要较多的过程及复杂的流程，在形成Ti金属种子层时，少量的Ti会进入介质层中层，在后续的湿法刻蚀去除Ti金属种子层时，不能将残留在介质层中的Ti金属种子层清除干净，从而残留的Ti金属种子层具有造成短路的风险，会降低器件的可靠性。
[0005]因此，提供一种半导体结构，实属必要。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种半导体结构，用于解决现有技术中不能将残留在介质层中的Ti金属种子层清除干净，使得残留的Ti金属种子层造成短路，降低了可靠性的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：
[0008]支撑基底；
[0009]分离层，所述分离层位于所述支撑基底上；
[0010]介质层，所述介质层位于所述分离层上，且所述介质层中具有相连通的第一凹槽以及第二凹槽；
[0011]Ti金属种子层，所述Ti金属种子层位于所述介质层上，其中，与所述Ti金属种子层相接触的所述介质层中具有残留Ti金属种子层，所述第二凹槽的深度大于所述残留Ti金属种子层的深度；
[0012]Cu金属种子层，所述Cu金属种子层位于所述Ti金属种子层上；
[0013]金属层，所述金属层位于所述Cu金属种子层上。
[0014]可选地，所述第一凹槽的深度范围包括0.2μm～0.4μm；所述第二凹槽的深度范围包括0.3μm～1.2μm。
[0015]可选地，所述第一凹槽的深度等于所述残留Ti金属种子层的深度。
[0016]可选地，所述第一凹槽的深度小于所述残留Ti金属种子层的深度。
[0017]可选地，所述第二凹槽的深度为所述第一凹槽的深度的2倍。
[0018]可选地，所述介质层包括PI层、环氧树脂层、硅胶层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层及含氟玻璃层中的一种。
[0019]可选地，所述金属层包括铜层、铝层、银层、铬层、钛层、钽层、钼层及钕层中的一种。
[0020]可选地，所述支撑基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种。
[0021]可选地，所述支撑基底包括晶圆级的支撑基底。
[0022]可选地，所述分离层包括胶带及聚合物层中的一种。
[0023]如上所述，本技术的半导体结构，包括支撑基底、分离层、介质层、Ti金属种子层、Cu金属种子层及金属层，且介质层中具有相连通的第一凹槽以及第二凹槽；通过第一凹槽及第二凹槽，可有效去除位于介质层中的残留Ti金属种子层，且第二凹槽的底部与残留Ti金属种子层之间具有深度差
△
T，从而可避免由残留Ti金属种子层所造成的短路，提高器件可靠性。
附图说明
[0024]图1显示为实施例中半导体结构的制备工艺流程示意图。
[0025]图2显示为实施例中形成分离层后的结构示意图。
[0026]图3显示为实施例中形成介质层后的结构示意图。
[0027]图4显示为实施例中形成Ti/Cu金属种子层后的结构示意图。
[0028]图5显示为实施例中形成图形化的光阻层后的结构示意图。
[0029]图6显示为实施例中形成金属层后的结构示意图。
[0030]图7显示为实施例中去除光阻层后的结构示意图。
[0031]图8显示为实施例中去除Cu金属种子层后的结构示意图。
[0032]图9显示为实施例中去除Ti金属种子层后的结构示意图。
[0033]图10～图13显示为图9的A区域在形成第一凹槽及第二凹槽过程中的放大结构示意图。
[0034]图14显示为实施例中清洗及干燥后的结构示意图。
[0035]元件标号说明
[0036]100
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支撑基底
[0037]200
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分离层
[0038]300
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介质层
[0039]310
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残留Ti金属种子层
[0040]301
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第一凹槽
[0041]302
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第二凹槽
[0042]400
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Ti金属种子层
[0043]500
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Cu金属种子层
[0044]600
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光阻层
[0045]700
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金属层
[0046]T1、T2、ΔT
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深度
[0047]A
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区域
具体实施方式
[0048]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0049]请参阅图1～图14。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：支撑基底；分离层，所述分离层位于所述支撑基底上；介质层，所述介质层位于所述分离层上，且所述介质层中具有相连通的第一凹槽以及第二凹槽；Ti金属种子层，所述Ti金属种子层位于所述介质层上，其中，与所述Ti金属种子层相接触的所述介质层中具有残留Ti金属种子层，所述第二凹槽的深度大于所述残留Ti金属种子层的深度；Cu金属种子层，所述Cu金属种子层位于所述Ti金属种子层上；金属层，所述金属层位于所述Cu金属种子层上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述第一凹槽的深度范围为0.2μm～0.4μm；所述第二凹槽的深度范围为0.3μm～1.2μm。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述第一凹槽的深度等于所述残留Ti金属种子层的深度。4.根据权利要求1所述的半导体结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹佳山，周祖源，吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：