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一种高增益双极化SIW-CTS天线阵制造技术

技术编号:27145637 阅读:25 留言:0更新日期:2021-01-27 21:53
本发明专利技术公开了一种高增益双极化SIW

【技术实现步骤摘要】
一种高增益双极化SIW-CTS天线阵


[0001]本专利技术涉及SIW-CTS天线的
,特别涉及一种高增益双极化SIW-CTS天线阵。

技术介绍

[0002]随着无线通信系统的发展,用户数量大量增长,导致频谱资源愈发紧张。为了提高频谱利用率,通信系统中的天线部分迫切需要实现双极化功能。双极化天线可以同时形成一对极化方式正交、且工作频率相同的电磁波。这使其有利于频率复用,能够实现收发同工、极化分集以及极化捷变,同时也能提高通信系统的灵敏度且能抵抗多径衰落。在合成孔径雷达体系中,双极化天线可以辅助获得目标和环境的全极化信息;在移动通信系统中,双极化天线的基站极化分离系统可以有效地消除信号的多径衰落现象;在卫星通信中,天线的双极化特性可以提高频谱利用率,从而节约了频谱资源。
[0003]上个世纪90年代,美国休斯航空公司提出连续横向枝节(Continuous Transverse Stub,CTS)天线阵,在平行板波导上表面设计连续横向开路枝节,平行板波导中的电磁波从横向枝节辐射到自由空间。CTS天线相对于抛物天线以及其他阵列天线具有如下优势:(1)天线具有60%以上的效率,与抛物面天线相近,远远超过平面阵列天线的效率;(2)天线工作于TEM模,工作频带宽;(3)易于设计双/圆极化工作和波束扫描功能;(4)CTS天线阵剖面低、易于共形,结构简单,可采用压塑和电镀技术实现,成本低廉。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的不足之处,本专利技术的目的是提供一种高增益双极化SIW-CTS天线阵,结构紧凑、低剖面、便于加工的双极化LSG。为了实现根据本专利技术的上述目的和其他优点,提供了一种高增益双极化SIW-CTS天线阵,包括:
[0005]双极化LSG、与双极化LSG贴附的平行板及与所述平行板贴附的双极化CTS阵列;
[0006]所述双极化LSG包括第一介质板及与所述第一介质板相贴附的第二介质板,所述第二介质板上设有SIL,所述第一介质板上设有第一SIW喇叭、与所述第一SIW喇叭相互垂直设置的第二SIW喇叭,且所述第一介质板上设置有金属匹配结构。
[0007]优选的,所述金属匹配结构包括设置于第一SIW喇叭与第二SIW喇叭之间的第一金属匹配件、设置于分别设置于第一SIW喇叭与第二SIW相对的两端的第二金属匹配件、设置于第一介质板上的第三金属匹配件及设置于第一介质板边界的第四金属匹配件,第一SIW喇叭与第二SIW喇叭中均设置有探针。
[0008]优选的,所述SIL包括多个圆形形超材料单元且呈圆形状,所述SIL从中心到边缘的多个同心圆环中圆形超材料单元半径梯度减小。
[0009]优选的,所述平行板与第一介质板相邻的两条边上均固接有终端反射壁,平行板上的终端反射壁与第一介质板上的终端反射壁位置相对应。
[0010]优选的,第一介质板上位于终端反射壁处均开设有耦合缝隙,且所述耦合缝隙的
两端处均固定有第四金属匹配件,平行板与第一介质板上的第四金属匹配件相对应设置有第五金属匹配件。
[0011]优选的,所述双极化CTS阵列包括第三介质板及嵌合于所述第三介质板中的辐射枝节,所述第三介质板上铺满有阵列的正交辐射枝节,所述平行板上开设有与辐射枝节相对应的辐射枝节缝隙。
[0012]本专利技术与现有技术相比,其有益效果是:解决为双极化CTS天线进行馈电的问题使双极化天线具有高增益、高隔离度、低交叉极化的特性:首次提出了基于SIL的双极化LSG使得双极化馈电结构更加紧凑;天线阵列采用CTS结构用以提高天线的增益,增加带宽;使用正交辐射枝节设计了双极化CTS阵列。天线的馈电结构主要由一个SIL、两个正交SIW喇叭、耦合缝隙和终端反射壁组成,双极化SIL产生线源为CTS进行馈电,使得CTS天线阵列产生双极化辐射。本专利技术通过双极化LSG为CTS阵列馈电,实现了天线的高增益、高隔离度、低交叉极化和较宽的工作频带,保证了双极化天线的极化纯度,有效地解决为双极化CTS天线进行馈电的问题。天线阵中心频点10GHz增益为22dBi,-10dB阻抗带宽为9~11GHz,在工作频带内,隔离度大于30dB,交叉极化小于-30dB。
附图说明
[0013]图1为根据本专利技术的高增益双极化SIW-CTS天线阵的三维结构爆炸示意图;
[0014]图2为根据本专利技术的高增益双极化SIW-CTS天线阵的SIL(2)俯视图;
[0015]图3为根据本专利技术的高增益双极化SIW-CTS天线阵的双极化LSG俯视图;
[0016]图4为根据本专利技术的高增益双极化SIW-CTS天线阵的双极化CTS天线阵结构俯视图;
[0017]图5为根据本专利技术的高增益双极化SIW-CTS天线阵的双极化CTS天线阵侧视图。
[0018]图中:1.第一SIW喇叭;2.SIL;3.耦合缝隙;4.终端反射壁;5.第三金属匹配件;6.第四金属匹配件;7.第二金属匹配件;8.第一金属匹配件;10.第五金属匹配件;11.辐射枝节缝隙;12.辐射枝节;13.第三介质板;14.平行板;15.第一介质板;16.第二介质板;17.探针。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0020]参照图1-5,一种高增益双极化SIW-CTS天线阵,包括:双极化LSG、与双极化LSG贴附的平行板14及与所述平行板14贴附的双极化CTS阵列,所述双极化线源产生结构在CTS天线阵底部用以产生平面波;
[0021]所述双极化LSG包括第一介质板15及与所述第一介质板15相贴附的第二介质板16,第一介质板15与第二介质板16的介电常数不同,第一介质板15介电常数2.65的F4B-2,第二介质板16介电常数常数为10.2的TF-2,所述第二介质板16上设有SIL2,所述第一介质板15上设有第一SIW喇叭1、与所述第一SIW喇叭1相互垂直设置的第二SIW喇叭,且所述第一
介质板15上设置有金属匹配结构,使得天线获得良好的阻抗匹配同时具有调节线源的作用。
[0022]进一步的,所述金属匹配结构包括设置于第一SIW喇叭1与第二SIW喇叭之间的第一金属匹配件8、设置于分别设置于第一SIW喇叭1与第二SIW相对的两端的第二金属匹配件7、设置于第一介质板15上的第三金属匹配件5及设置于第一介质板15边界的第四金属匹配件6,第一SIW喇叭1与第二SIW喇叭中均设置有探针17,所述第一SIW喇叭与第二SIW喇叭均通过探针17进行馈电,产生的柱面波通过SIL2后转化为平面波,通过所述金属匹配结构对平面波的相位作进一步的调节,第一SIW喇叭与第二SIW喇叭放置于透镜的边缘,激励探针产生的柱面波通过SIL2对电磁波相位的调节后,在透镜的另一端产生平面波,并通过几个匹配本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高增益双极化SIW-CTS天线阵,其特征在于,包括:双极化LSG、与双极化LSG贴附的平行板(14)及与所述平行板(14)贴附的双极化CTS阵列;所述双极化LSG包括第一介质板(15)及与所述第一介质板(15)相贴附的第二介质板(16),所述第二介质板(16)上设有SIL(2),所述第一介质板(15)上设有第一SIW喇叭(1)、与所述第一SIW喇叭(1)相互垂直设置的第二SIW喇叭,且所述第一介质板(15)上设置有金属匹配结构。2.如权利要求1所述的一种高增益双极化SIW-CTS天线阵,其特征在于,所述金属匹配结构包括设置于第一SIW喇叭(1)与第二SIW喇叭之间的第一金属匹配件(8)、设置于分别设置于第一SIW喇叭(1)与第二SIW相对的两端的第二金属匹配件(7)、设置于第一介质板(15)上的第三金属匹配件(5)及设置于第一介质板(15)边界的第四金属匹配件(6),第一SIW喇叭(1)与第二SIW喇叭中均设置有探针(17)。3.如权利要求1所述的一种高增益双极化SIW-CTS天线阵,其特征在于,所述SIL(2)包括多...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨雪霞邱厚童扆梓轩
申请(专利权)人:上海大学
类型:发明
国别省市:

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