本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法和天线系统。半导体器件包括多个OLED发光结构、发射层和驱动模块。OLED发光结构的电致发光层的发光材料为近红外磷光材料；每个OLED发光结构的电致发光层的发光材料组分均不同；发射层为光学非线性有机晶体，适于接收不同OLED发光结构发出的不同频率的光波并激发出太赫兹波；驱动模块适于驱动并调节不同OLED发光结构发射不同波长的光波。该半导体器件可通过不同的发光结构发出不同波长的光波照射发射层中的光学非线性有机晶体，发生差频效应而发射THz波；并且通过电压的调节发射不同频率的THz波，实现发射的THz波的调谐。实现发射的THz波的调谐。实现发射的THz波的调谐。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法和天线系统
[0001]本专利技术涉及太赫兹
，具体涉及一种半导体器件及其制造方法和天线系统。
技术介绍
[0002]太赫兹(THz)波是指频率在0.1THz到10THz范围，波长在0.03到3mm(或30～3000μm)范围的波，介于微波与红外波之间，在通信
具有很高的发展前景。目前太赫兹天线多为定频天线，对于需要变频的环境，不同频率需要制造不同的天线，适应性不强。
技术实现思路
[0003]因此本专利技术提供一种半导体器件及其制造方法和天线系统，以解决太赫兹天线适应不同频率的问题。
[0004]本专利技术提供一种半导体器件，包括：多个OLED发光结构包括电致发光层，所述电致发光层的发光材料为近红外磷光材料；在多个所述OLED发光结构中，每个所述OLED发光结构的电致发光层的发光材料组分不同；发射层，所述发射层设置于多个所述OLED发光结构同一侧表面，所述发射层适于接收多个所述OLED发光结构发出的光波并激发出太赫兹波；所述发射层为光学非线性有机晶体；驱动模块，所述驱动模块包括多个驱动信号端口，所述驱动信号端口连接所述OLED发光结构；所述驱动模块适于驱动所述OLED发光结构发出光波，且适于调节所述OLED发光结构发出的光波波长。
[0005]可选的，所述近红外磷光材料为四取代铜酞菁((42tert)CuPc)、基于8-羟基喹啉和2-苯基吡啶的环金属铂配合物((phpy)Pt(q))、四苯基-四苯并卟啉铂配合物(Pt(TPTBP))或9,9-二(2-(2-甲氧基乙氧基)乙基)-2-苯基-9H-芴单元D-A型环金属铱配合物((thdpqx)
2-Ir(acac))中的一种或多种。
[0006]可选的，所述近红外磷光材料至少包括四取代铜酞菁((42tert)CuPc)。
[0007]可选的，所述光学非线性有机晶体包括离子型光学非线性有机晶体和分子型光学非线性有机晶体。
[0008]可选的，所述离子型光学非线性有机晶体包括吡啶盐体系晶体、喹啉体系晶体和苯并噻唑体系晶体。
[0009]可选的，所述吡啶盐体系晶体为4-(4-二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐(DAST)或4-(4-二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶2,4,6-三甲基苯磺酸盐(DSTMS)。
[0010]可选的，所述喹啉体系晶体为2-(4-羟基-3-甲氧乙基-1-甲基喹啉4-甲基苯磺酸盐(HMQ-T)2-(4-羟基-3-甲氧基苯乙烯基)-1-甲基喹啉-2,4
’-
二胺-6-三甲基苯磺酸酯或(HMQ-TMS)。
[0011]可选的，所述苯并噻唑体系晶体为2-(4-羟基-3-甲氧乙基-3甲基)苯并噻唑2，4，6三甲基苯磺酸盐(HMB-TMS)。
[0012]可选的，所述分子型光学非线性有机晶体为2-(3-(4-羟基苯乙烯基)-5,5-二甲基
环己-2-烯亚基)丙二腈(OH1)晶体或4-苯偶氮-1-萘胺(BNA)晶体。
[0013]可选的，所述OLED发光结构包括层叠设置的基底、阳极层、空穴注入和传输层、电致发光层、空穴阻挡层、电子注入和传输层及阴极层；所述发射层设置于所述基底远离所述阳极层的一侧表面；相邻的所述OLED发光结构之间设置有隔离柱。所述基底为玻璃基板；所述阳极层为氧化铟锡(ITO)；所述空穴注入和传输层为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)；所述空穴阻挡层为2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)；所述电子注入和传输层为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)层；所述阴极层为Al、Mg、Ca、Ag的单质或合金；至少一个所述OLED发光结构的所述电致发光层的材料为掺杂四取代铜酞菁((42tert)CuPc)的1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0014]可选的，至少一个所述OLED发光结构中，四取代铜酞菁((42tert)CuPc)在所述电致发光层中的质量分数为5～20％。
[0015]可选的，至少一个所述OLED发光结构中，四取代铜酞菁((42tert)CuPc)在电致发光层中的质量分数为14％。
[0016]可选的，所述电致发光层的厚度为30～50nm。
[0017]可选的，所述电致发光层的厚度为40nm。
[0018]可选的，相邻的所述OLED发光结构之间设置有隔离柱。
[0019]可选的，所述发光结构的数量大于两个。
[0020]可选的，所述OLED发光结构的数量为三个。
[0021]本专利技术还提供一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：形成多个OLED发光结构，所述OLED发光结构包括电致发光层，所述电致发光层的发光材料为近红外磷光材料；在多个所述OLED发光结构中，每个所述OLED发光结构的电致发光层的发光材料组分均不同；在多个所述OLED发光结构同一侧表面形成发射层，所述发射层适于接收多个所述OLED发光结构发出的光波并激发出太赫兹波；所述发射层为光学非线性有机晶体；提供驱动模块，所述驱动模块包括多个驱动信号端口，将所述OLED发光结构与所述驱动模块的所述驱动信号端口电性连接，所述驱动模块适于驱动所述OLED发光结构发出光波，且适于调节所述OLED发光结构发出的光波波长。
[0022]可选的，所述近红外磷光材料为四取代铜酞菁((42tert)CuPc)、基于8-羟基喹啉和2-苯基吡啶的环金属铂配合物((phpy)Pt(q))、四苯基-四苯并卟啉铂配合物(Pt(TPTBP))或9,9-二(2-(2-甲氧基乙氧基)乙基)-2-苯基-9H-芴单元D-A型环金属铱配合物((thdpqx)
2-Ir(acac))中的一种或多种。
[0023]可选的，所述近红外磷光材料至少包括四取代铜酞菁((42tert)CuPc)。
[0024]可选的，所述光学非线性有机晶体包括离子型光学非线性有机晶体和分子型光学非线性有机晶体。
[0025]可选的，所述离子型光学非线性有机晶体包括吡啶盐体系晶体、喹啉体系晶体和苯并噻唑体系晶体。
[0026]可选的，所述吡啶盐体系晶体为4-(4-二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐(DAST)或4-(4-二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶2,4,6-三甲基苯磺酸盐(DSTMS)。
[0027]可选的，所述喹啉体系晶体为2-(4-羟基-3-甲氧乙基-1-甲基喹啉4-甲基苯磺酸盐(HMQ-T)或2-(4-羟基-3-甲氧基苯乙烯基)-1-甲基喹啉-2,4
’-
二胺-6-三甲基苯磺酸酯
(HMQ-TMS)。
[0028]可选的，所述苯并噻唑体系晶体为2-(4-羟基-3-甲氧乙基-3甲基)苯并噻唑2，4，6三甲基苯磺酸盐(HMB-TMS)。
[0029]可选的，所述分子型光学非线性有机晶体为2-(3-(4-羟基苯乙烯基)-5,5-二甲基环己-2-烯亚基)丙二腈(OH1)晶体或4-苯偶氮本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；优选的，至少一个所述OLED发光结构中，四取代铜酞菁在所述电致发光层中的质量分数为5～20％；优选的，至少一个所述OLED发光结构中，四取代铜酞菁在电致发光层中的质量分数为14％；优选的，所述电致发光层的厚度为30～50nm；优选的，所述电致发光层的厚度为40nm；优选的，相邻的所述OLED发光结构之间设置有隔离柱。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述OLED发光结构的数量大于两个；优选的，所述OLED发光结构的数量为三个。6.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：形成多个OLED发光结构，所述OLED发光结构包括电致发光层，所述电致发光层的发光材料为近红外磷光材料；在多个所述OLED发光结构中，每个所述OLED发光结构的电致发光层的发光材料的组分均不同；在多个所述发光结构同一侧表面形成发射层，所述发射层适于接收多个所述OLED发光结构发出的光波并激发出太赫兹波；所述发射层为光学非线性有机晶体；提供驱动模块，所述驱动模块包括多个驱动信号端口，将所述OLED发光结构与所述驱动模块的所述驱动信号端口电性连接，所述驱动模块适于驱动所述OLED发光结构发出光波，且适于调节所述OLED发光结构发出的光波波长。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述近红外磷光材料为四取代铜酞菁、基于8-羟基喹啉和2-苯基吡啶的环金属铂配合物、四苯基-四苯并卟啉铂配合物或9,9-二(2-(2-甲氧基乙氧基)乙基)-2-苯基-9H-芴单元D-A型环金属铱配合物中的一种或多种；优选的，所述近红外磷光材料至少包括四取代铜酞菁。8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光学非线性有机晶体包括离子型光学非线性有机晶体和分子型光学非线性有机晶体；优选的，所述离子型光学非线性有机晶体包括吡啶盐体系晶体、喹啉体系晶体和苯并噻唑体系晶体；优选的，所述吡啶盐体系晶体为4-(4-二甲氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐或4-(4-二甲...
【专利技术属性】
技术研发人员：李嘉琦，
申请(专利权)人：北京维信诺光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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