一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法技术

本发明专利技术具体涉及一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法。氮化硅基陶瓷材料具有良好的机械性能及稳定性，制备高性能的Si3N4/SiC陶瓷材料有望在工业领域获得广泛的应用。本发明专利技术提供了一种基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料制备方法，以α

【技术实现步骤摘要】
一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷材料制备
，具体涉及一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛(Si3N4/TiC)陶瓷材料制备方法、该方法制备得到的Si3N4/TiC陶瓷材料及应用。

技术介绍

[0002]公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]作为目前最流行的超快烧结技术，放电等离子烧结(SPS)多用于制备纳米结构材料、非晶材料、金属间化合物、金属基体以及陶瓷基复合材料。与传统烧结方式相比，放电等离子烧结(SPS)技术具有更快的加热速度，可在更短的烧结时间内达到相同的烧结效果。放电等离子烧结(SPS)制备材料可以快速升温是由于脉冲电流中的直流分量与交流分量的集肤效应，以及加热系统较小的热容量。烧结时，热量大部分由模具内边缘产生，其温度越高，粉体表面的温度就越高。在放电等离子烧结(SPS)中，粉末放置在石墨模具中，在对粉末施加压力的同时，电流通过模具和样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：以Si3N4为基体，TiC为增强相，Al2O3和Y2O3为烧结助剂，将上述原料经湿法球磨混料和放电等离子烧结制备而成。2.如权利要求1所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法中，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N
4 70-85％，TiC 5-15％，Al2O
3 1-6％，Y2O
3 3-7％。3.如权利要求2所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述TiC的体积百分比为7-10％，或所述Al2O3的体积百分比为2-4％，或所述Y2O3的体积百分比为4-6％。4.如权利要求3所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N
4 82％，TiC 10％，Al2O
3 4％，Y2O36％；或，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N
4 82％，TiC 10％，Al2O
3 3％，Y2O
3 5％；或，所述原料的体积百分比如下：α-Si3N
4 75％，TiC 15％，Al2O
3 4％，Y2O
3 6％。5.如权利要求3所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述α-Si3N4粉体平均粒径为0.5-1μm；或，所述TiC粉体平均粒径为0.5-1μm；或，所述Al2O3粉体平均粒径为0.5-2μm；或，所述Y2O3粉体平均粒径为0.1-0.5μm。6.如权利要求1所述基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：(1)将α-Si3N4、TiC粉体分别加入分散介质中使其分散均匀得到α-Si3N4悬浮液及TiC悬浮液，将其混合得到复相悬浮液；(2)称取α-Si3N4重量1-5wt％的分散剂，加入分散介质中溶解后将分散剂溶液加入上述复相悬浮液中，再添加Al2O3和Y2O3粉体使其分散均匀得到混合体系；(3)将步骤(2)得到的混合体系转移至球磨罐中进行球磨；完成后的球磨液干燥后过筛得到混合粉料；(4)将步骤(3)所述混合粉料装入模具成型，再...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖光春，张帅，陈照强，许崇海，衣明东，张静婕，
申请(专利权)人：齐鲁工业大学，
类型：发明
国别省市：