一种化学气相沉积CVD粉料前驱体输送装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种化学气相沉积CVD粉料前驱体输送装置，包括储粉罐、送气管道、低温加热装置。储粉罐内设置有螺旋送粉器，马达设置在储粉罐上，螺旋送粉器上端连接马达，通过马达的转速来控制粉料下落的速度从而达到控制粉料挥发的速率。送气管道分为进气区、混合区和加热区，低温加热装置包括低温加热管，低温加热管内部设置有保温材料，在低温加热管上设置有显示屏，该显示屏显示当前低温加热管内腔的温度，并通过手动调节温度，控制低温加热装置的加热温度。上述结构具有制造方便、成本低以及实用性高等优势。实用性高等优势。实用性高等优势。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积CVD粉料前驱体输送装置


[0001]本专利技术属于化学气相沉积工艺领域，涉及一种化学气相沉积CVD粉料前驱体输送装置。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)是通过气态物质在气相或气固界面上发生反应生成固态材料的过程，采用CVD法可以制备多种难熔金属碳化物氮化物以及硼化物，例如：HfC、TaC、ZrC、HfB2、ZrB2等,特别是针对于碳/碳(C/C)复合材料氧化和烧蚀保护的应用起着关键性的作用。但是，在这些难熔金属化合物的CVD方法制备当中，由于前驱体是粉料在制备过程中不能够定量的控制粉体的挥发，而且目前现有的方法有：(1)炉体内部自挥发；(2)炉体外从上而下落粉依靠炉体温度挥发。
[0003]首先，对于炉体内部自挥发来说不能够准确的控制粉料挥发速度以及质量更做不到反应的随时启停，只能根据粉体的残余质量来评价挥发速率也极为不合理。另外对于炉体外自上而下的送粉，因为粉料受到重力的作用并且随着气体的加入使得粉体下落速度较快还没有完全挥发就已经被排除炉体外，虽然能够控制粉体挥发的质量但是使得粉料前驱体的利用率大大降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积CVD粉料前驱体输送装置，其特征在于包括马达(1)、储粉罐(2)、低温加热管(5)、出气阀(7)和进气阀(9)；储粉罐(2)上端设有马达(1)，马达(1)的旋转轴与储粉罐(2)内的螺旋送粉器的运动轴连接，储粉罐(2)下端的出口通过进粉管道(3)连接送气管道(4)，送气管道(4)的一端设有进气阀(9)，出口端设有出气阀(7)；所述送气管道(4)的出口端一侧设有低温加热管(5)；马达的转速控制粉料下落的速度从而达到控制粉料挥发的速率，送气管道(4)两端的进气阀(9)和出气阀(7)控制进气质量，保证进入低温加热装置内的粉体完全挥发，加热挥发后的气体进入与装置连接的炉体CVD炉体。2.根据权利要求1所述化学气相沉积CVD粉料前驱体输...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雨雷，张建，付艳芹，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：新型
国别省市：