一种3D芯片封装制造技术

本发明专利技术涉及一种3D芯片封装，属于集成电路封装领域。本发明专利技术的所述3D芯片封装包括一种或多种半导体器件；一种位于半导体器件下的主转接板；一种位于主转接板下的印刷电路板；一种支撑转接板，所述支撑转接板放置在与所述半导体器件平面相同的平面上，或者放置在所述主转接板和所述半导体器件之间，通过通孔和外部连接端子，从而实现相互电气连接。本发明专利技术能确保在堆叠半导体器件时，在各种尺寸的半导体器件之间堆叠时的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种3D芯片封装
本专利技术属于集成电路封装
，具体涉及一种3D芯片封装。
技术介绍
目前，通过研究多种结构的晶圆级封装技术，实现小型化、轻质和高性能的要求，人们提出了很多构想。同时，在电子工业中，人们针对低成本制造轻质、紧凑、高速、多功能、高性能的高可靠性产品，提出了更高的要求。在片上系统SoC的实现中，由于技术限制、高成本等原因，到目前为止在技术实现上还存在一定的局限性，而SiP具有小批量生产中的成本优势，由于传统的2D封装已经不能满摩尔定律的发展需求，因此3D封装技术应运而生。然而，根据不同的裸芯片尺寸，由于堆叠裸芯片时的不均匀性，芯片堆叠过程可能会受到限制，并且过程的可靠性可能会减弱。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何提供一种3D芯片封装，以确保在堆叠半导体器件时在各种尺寸的半导体器件之间堆叠时的稳定性。。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种3D芯片封装，该芯片封装包括：一种半导体器件；一种位于半导体器件下的主转接板；一种位于主转接板下的印刷电路板；一种支撑转接板，该转接板与所述半导体器件放置在同一平面上，或放置在所述主转接板和所述半导体器件之间，其中每个主转接板，半导体器件和支撑转接板均包括：一个基于印刷电路板厚度方向的通孔。进一步地，该芯片封装包括：一个在多个半导体器件之间的外部连接端子，与通孔连接，从而实现相互电气互连。进一步地，该芯片封装包括：一种在所述主转接板与所述印刷电路板之间形成的外部连接端子，并与通孔相连，从而实现相互电气连接。进一步地，该芯片封装包括：一个半导体器件和支撑转接板之间形成的外部连接端子，并与通孔连接，从而实现相互电气互连。进一步地，所述主转接板包括：一个电路层，所述电路层内层有电路形状；所述支持转接板包括：一个电路层，所述电路层内层有电路形状。进一步地，所述印刷电路板包括在其中内置的半导体器件。本专利技术还提供一种3D芯片封装，该芯片封装包括：多种半导体器件；一种支撑转接板，设置在所述半导体器件的平面的同一平面上的，或设置在多个所述半导体器件之间的，其中每个半导体器件和支撑转接板包括：一个基于印刷电路板的厚度方向形成的通孔。进一步地，该芯片封装包括：一种在多个所述半导体器件之间形成的外部连接端子，并与通孔相连，从而实现相互电气连接。进一步地，该芯片封装包括：一种在所述半导体器件和所述支撑转接板之间的外部连接端子，并与通孔相连，从而实现相互电气连接。进一步地，该芯片封装包括：一种在所述多个半导体器件之下的主转接板；主转接板包括一个基于印刷电路板的厚度方向形成的通孔一种印刷电路板，在主转接板的下方。(三)有益效果本专利技术提出一种3D芯片封装，所述3D芯片封装包括一种或多种半导体器件；一种位于半导体器件下的主转接板；一种位于主转接板下的印刷电路板；一种支撑转接板，所述支撑转接板放置在与所述半导体器件平面相同的平面上，或者放置在所述主转接板和所述半导体器件之间，通过通孔和外部连接端子，从而实现相互电气连接。本专利技术能确保在堆叠半导体器件时，在各种尺寸的半导体器件之间堆叠时的稳定性。附图说明图1为根据本专利技术的一个实施例，所述的3D芯片封装结构的剖面图的详细展示；图2为根据本专利技术的另一实施例，所述的3D芯片封装结构的剖面图的详细展示。具体实施方式为使本专利技术的目的、内容和优点更加清楚，下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。在本专利技术的优选实例中，提出了一种三维(3D)芯片封装方法，包括：一种或多种半导体器件；一种位于半导体器件下的主转接板；一种位于主转接板下的印刷电路板；一种支撑转接板，所述支撑转接板放置在与所述半导体器件平面相同的平面上，或者放置在所述主转接板和所述半导体器件之间，其特征为：每个主转接板、半导体器件和支撑转接板包括一个基于印刷电路板的厚度方向形成的通孔，并且在每个主转接板、半导体器件和支撑转接板之间形成外部连接端子，并与通孔连接，从而实现相互电气连接。在本专利技术的优选实例中，所述3D芯片封装中，所述支撑转接板和所述主转接板可以包括：一个电路层，所述电路层具有形成在其内层上的(印刷)电路图形；所述印刷电路板可包括其中内置的半导体器件。如图1所示，所述3D芯片封装100可包括：一个印刷电路板110，一个主转接板120，支撑转接板130：131和132(以下简称为数字“130”)，半导体140：141，142，143，144，145和146(以下简称为数字“140”)。所述主转接板120在所述印刷电路板110上。所述印制电路板110是在印刷电路板区域中作为核心基板应用的典型绝缘层，或者是一个在绝缘层上的一层或多层电路的印刷电路板。关于绝缘层，可以使用一个树脂绝缘层，热固性树脂如环氧树脂，热塑性树脂如聚酰亚胺，上述树脂都浸渍有增强材料，如玻璃或预先填充的有机材料，可以使用预浸料，或热固性树脂或/和光固化树脂，但本专利技术不受特别限制。如图1所示，所述印刷电路板110可包括在其下部形成的一个外部连接端子150。所述印刷电路板110可包括半导体器件140：141、142、143、144、145和146以外的半导体器件。所述半导体器件是与所述印刷电路板110电气连接以执行预定功能的元件，并且可以在所述印刷电路板110中内置器件，例如，集成电路芯片。此外，虽然未显示，但显然在所述印刷电路板110中内置了半导体器件，并且通过诸如通孔等方式进行了电气连接。所述主转接板120包括：一个在内部层上的有(印刷)电路图形的电路层。所述半导体器件140可以在所述主转接板120上。主转接板120和支撑转接板130的材料强度大于普通印刷电路板的强度。在本例中，可以有多个半导体器件140。所述半导体器件140可安装在所述印刷电路板上，例如，一个集成电路(IC)半导体器件、一个集成无源器件(IPD)、一个二极管等，而且本专利技术不限于此。所述支撑转接板130可以和所述半导体器件140的平面设置在同一平面上，或者设置在所述主转接板120和所述半导体器件140之间。在本例中，所述支撑转接板130与所述半导体器件140位于同一平面上，如图1所示，所述支撑转接板130设置在与所述半导体器件140相同的层上，当设置在与所述半导体器件140相同的平面上时，所述支撑转接板130可以具有的高度，与基于所述印刷电路板的厚度方向的所述半导体140的高度相对应，同时考虑堆叠中的稳定性。这里，“对应”一词可表示具有与所述半导体器件140相同的厚度。然而，“相同”一词在数学意义上可能表示的厚度并不完全相同，而在考虑设计误差、制造误差、测量误差等因素时，表示的厚度基本上相同。所述支撑转接板130可以包括：一个在其内部层上的具有(印本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D芯片封装，其特征在于，该芯片封装包括：/n一种半导体器件；/n一种位于半导体器件下的主转接板；/n一种位于主转接板下的印刷电路板；/n一种支撑转接板，该转接板与所述半导体器件放置在同一平面上，或放置在所述主转接板和所述半导体器件之间，/n其中每个主转接板，半导体器件和支撑转接板均包括：一个基于印刷电路板厚度方向的通孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种3D芯片封装，其特征在于，该芯片封装包括：
一种半导体器件；
一种位于半导体器件下的主转接板；
一种位于主转接板下的印刷电路板；
一种支撑转接板，该转接板与所述半导体器件放置在同一平面上，或放置在所述主转接板和所述半导体器件之间，
其中每个主转接板，半导体器件和支撑转接板均包括：一个基于印刷电路板厚度方向的通孔。


2.如权利要求1所述的3D芯片封装，其特征在于，该芯片封装包括：
一个在多个半导体器件之间的外部连接端子，与通孔连接，从而实现相互电气互连。


3.如权利要求1所述的3D芯片封装，其特征在于，该芯片封装包括：
一种在所述主转接板与所述印刷电路板之间形成的外部连接端子，并与通孔相连，从而实现相互电气连接。


4.如权利要求1所述的3D芯片封装，其特征在于，该芯片封装包括：
一个半导体器件和支撑转接板之间形成的外部连接端子，并与通孔连接，从而实现相互电气互连。


5.如权利要求1所述的3D芯片封装，其特征在于：所述主转接板包括：一个电路层，所述电路层内层有电路形状；所述支持转接板...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱琳，
申请(专利权)人：天津津航计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12