发光装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光装置以及发光装置的制作方法，该发光装置包括一基板与形成在所述基板上的至少一发光单元。所述发光单元包括一容置洞以及一第一发光二极管。所述第一发光二极管与所述容置洞互相分隔，且所述容置洞是用来设置一第二发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制作方法
本专利技术涉及一种发光装置及其制作方法，特别是涉及一种包括修补线的发光装置及其制作方法。
技术介绍
近年来，随着科技进步，信息产品成为不可缺乏的日常生活用品。其中，信息产品的关键元件包括显示设备、光源装置及/或各种可以产生光线的发光装置。当发光装置的元件积极度较高时，其制造难度也相对较高，因此如何提高发光装置的合格率仍为业界需要持续努力的议题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种发光装置及其制作方法。根据本专利技术发光装置的结构与制作方法，可以较有效的对有缺陷的发光单元进行修补，以提高制程合格率。本专利技术的一实施例提供一种发光装置，其包括一基板与位于所述基板上的至少一发光单元。所述发光单元包括一容置洞以及一第一发光二极管。所述第一发光二极管与所述容置洞互相分隔，且所述容置洞是用来设置一第二发光二极管。本专利技术的一实施例另提供一种发光装置的制作方法，其包括提供一基板，在所述基板上形成一电路层，然后在所述基板上设置一发光单元的一第一发光二极管，以及制作所述发光单元的一容置洞。其中所述容置洞是用来设置一第二发光二极管，且所述容置洞与所述第一发光二极管互相分隔。附图说明图1为本专利技术发光装置的第一实施例的俯视示意图。图2为图1所示发光装置沿着剖面线A-A’与剖面线B-B’的局部剖面示意图。图3到图6为本专利技术发光装置的制作方法的第一实施例的流程示意图。图7为本专利技术发光装置的制作方法的第一实施例的流程方块图。图8为本专利技术发光装置的第一实施例的第一变化实施例的局部剖面示意图。图9为本专利技术发光装置的第一实施例的第二变化实施例的局部剖面示意图。图10为本专利技术发光装置的第一实施例的第三变化实施例的局部剖面示意图。图11为本专利技术发光装置的第二实施例的局部剖面示意图。图12为本专利技术发光装置的第三实施例的结构示意图。图13为本专利技术发光装置的第四实施例的结构示意图。图14为本专利技术发光装置及制作方法的第五实施例的局部剖面俯视示意图。图15到图16为本专利技术发光装置及制作方法的第六实施例的制程示意图。图17为本专利技术发光装置的第七实施例的俯视示意图。图18为图17所示发光装置沿着剖面线C-C’的剖面示意图。附图标记说明：100-发光装置；102-基板；104、104a、104b-发光单元；106-像素定义层；1061-开口；110-电路层；112-缓冲层；114-第一绝缘层；116-第二绝缘层；118-第三绝缘层；120-保护层；122、124、126-等效电路线；130-芯片；132-导电胶；134-喷嘴；AH、AH1、AH2-容置洞；AHa-底部表面；CE1、ce1、ce1'--第一电极；CE2、ce2、ce2'-第二电极；CL1-第一导线；CL2-第二导线；CM、CML-共享电极导线；CME-共享电极；CN-连接导线；CP-连接电极；CT、CT'-开路制程；DE-汲极；Dx、Dy、Dz-方向；GE-闸极；GI-闸极绝缘层；LD1-第一发光二极管；LD2、LD2’-第二发光二极管；ML1-第一导电层；ML2-第二导电层；ML5-第五导电层；MQL-多重量子井层；PL1-第一平坦层；PL2-第二平坦层；PL3-第三平坦层；PTL-封装层；RE-反射电极；RL1、RL1'-第一修补线；RL2-第二修补线；RL21-第一部分；RL22-第二部分；RLa、RLb-部分；SC-半导体层；SE-源极；SE1-第一半导体层；SE2-第二半导体层；SL-信号导线；SP1、SP2-间隔；SZ1、SZ2-尺寸；TFT-薄膜晶体管；TH1、TH2、TH3、TH4、th1、th2、th3、th4、th1'、th2'、th3'、th31'、th32'、th33'、th4'-穿孔；Wt1、Wt2-宽度。具体实施方式下文结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本专利技术中的多张图式只绘出装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本专利技术的范围。本专利技术通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。当在本说明书中使用术语「包含」、「包括」和/或「具有」时，其指定了所述特征、区域、步骤、操作和/或元件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、区域、步骤、操作、元件和/或其组合的存在或增加。当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层「上」或「连接到」另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层。相反地，当元件被称为「直接」在另一个元件或膜层「上」或「直接连接到」另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。虽然诸如「第一」、「第二」、「第三」等术语可用来描述或命名不同的构件，而此些构件并不以此些术语为限。此些术语仅用以区别说明书中的一构件与其他构件，无关于此些构件的制造顺序。权利要求中可不使用相同术语，并可依照权利要求中元件宣告的顺序，以「第一」、「第二」、「第三」等来取代。据此，在以下说明书中，第一构件在权利要求中可能为第二构件。须知悉的是，在不脱离本专利技术的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。请参考图1到图2，图1为本专利技术发光装置的第一实施例的俯视示意图，图2为图1所示发光装置沿着剖面线A-A’与剖面线B-B’的局部剖面示意图。本专利技术第一实施例的发光装置100可以为一光源装置、一显示设备、一背光装置、一感测装置或一拼接装置，但不以此为限。发光装置可为可弯折或可挠式发光装置。发光装置可例如包括发光二极管，发光二极管可例如包括无机发光二极管(inorganiclightemittingdiode，iLED)、有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)、次毫米发光二极管(miniLED，mini-meter-sizedLED)、微发光二极管(microLED，micro-meter-sizedLED)或量子点发光二极管(quantumdot，QD，可例如为QLED、QDLED)，荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合之材且其材料可任意排列组合，但不以此为限。拼接装置可例如是拼接发光装置，但不以此为限。需注意的是，发光装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。下文将以显示设备做为发光装置或拼接装置以说明本
技术实现思路
，但本专利技术不以此为限。再者，发光装置100可以应用于任何需要光源或发光设备的电子产品或电子装置中，例如但不限于电视、平板计算机、笔记本电脑、手机、相机、穿戴式装置、电子娱乐装置等。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：/n一基板；以及/n至少一发光单元位在所述基板上，所述发光单元包括：/n一容置洞；以及/n一第一发光二极管，所述第一发光二极管与所述容置洞互相分隔；/n其中所述容置洞是用来设置一第二发光二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
一基板；以及
至少一发光单元位在所述基板上，所述发光单元包括：
一容置洞；以及
一第一发光二极管，所述第一发光二极管与所述容置洞互相分隔；
其中所述容置洞是用来设置一第二发光二极管。


2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述至少一发光单元包含设置在所述容置洞中的所述第二发光二极管。


3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二发光二极管是用来取代所述第一发光二极管。


4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一发光二极管包含一第一电极以及一第二电极，所述第一电极与所述第二电极位于所述第一发光二极管的上表面。


5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述第二发光二极管为覆晶型发光二极管。


6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述第一发光二极管，且所述容置洞位于所述第一平坦层中。


7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，还包括一导线设置在所述第一平坦层上，且所述导线通过所述第一平坦层中的一穿孔而电连接到所述第一发光二极管。


8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，还包括一修补线，所述修补线的至少一部分与所述容置洞在所述基板的一厚度方向上部分重迭，且所述修补线电连接于所述导线。


9.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，还包括一保护层，其部分覆盖所述第一平坦层且部分填入所述容置洞中。


10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，还包括一修补线，所述修补线的一部分设置在所述第二平坦层上，且所述修补线的另一部分沿着所述基板的一厚度方向延伸于所述第二平坦层中。


11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述修补线的所述另一部分与所述容置洞的底部具有一间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉源，蔡宗翰，李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71