有机发光二极管和显示面板制造技术

本公开提供了一种有机发光二极管以及显示面板，该有机发光二极管，包括：基底；微纳结构层，其位于所述基底的一侧；第一电极，其位于所述微纳结构层远离所述基底的一侧；电致发光层，其位于所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧；以及第二电极，其位于所述电致发光层远离所述第一电极的一侧。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和显示面板
本公开涉及显示技术，尤其涉及一种有机发光二极管以及一种显示面板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)由于其自发光、高亮度、高对比度、响应时间快等优点，已经成为高端显示器的标配。OLED器件根据光子出射面可分为底发射器件和顶发射器件。由于底发射器件应用至显示面板时存在开口率小问题，因此中小尺寸、便携式设备等主要应用顶发射器件。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种有机发光二极管，包括：基底；微纳结构层，其位于所述基底的一侧；第一电极，其位于所述微纳结构层远离所述基底的一侧；电致发光层，其位于所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧；以及第二电极，其位于所述电致发光层远离所述第一电极的一侧。可选地，所述微纳结构层包括第一光栅和/或光子晶体。可选地，所述有机发光二极管还包括保护层，其位于所述电致发光层与所述第二电极之间。可选地，所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧、所述电致发光层远离所述第一电极的一侧、所述第二电极靠近所述保护层的一侧均具有光栅结构，所述光栅结构的周期与所述第一光栅或所述光子晶体的周期相同，并且所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧的光栅结构的凸起和凹陷在所述基底上的正投影以及所述电致发光层远离所述第一电极的一侧的光栅结构的凸起和凹陷在所述基底上的正投影分别与所述第一光栅或所述光子晶体的凸起和凹陷在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二电极靠近所述保护层的一侧的光栅结构中的凸起在所述基底上的正投影与所述第一光栅或所述光子晶体的凹陷在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二电极靠近所述保护层的一侧的光栅结构中的凹陷在所述基底上的正投影与所述第一光栅或所述光子晶体的凸起在所述基底上的正投影至少部分重叠。可选地，所述第一电极包括沿远离所述基底方向上依次设置的第一氧化铟锡层、第一银层和第二氧化铟锡层。可选地，所述第二电极包括第一氧化铟锌层。可选地，所述保护层包括沿远离所述基底方向上依次设置的第一无机介电层、第一有机半导体层和第二无机介电层。可选地，所述第一无机介电层和所述第二无机介电层的材料包括三氧化钼；以及所述第一有机半导体层的材料包括N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺。可选地，所述有机发光二极管还包括封装层，其位于所述第二电极远离所述电致发光层的一侧。根据本公开的另一方面，还提供了一种显示面板，其包括以上所述的有机发光二极管以及用于驱动所述有机发光二极管的驱动电路。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为根据本公开的实施例的有机发光二极管的结构示意图；图2为根据本公开的实施例的保护层的结构示意图；图3为根据本公开的实施例的保护层中的电荷迁移示意图；图4为根据本公开的实施例的第一电极的结构示意图；图5为根据本公开的实施例的显示面板的结构示意图；以及图6为根据本公开的实施例的显示面板的结构示意图。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。顶发射OLED器件的阴极通常采用金属Mg(镁):Ag(银)薄膜。该阴极光透过率低，大量光子无法出射，只能通过微腔增益提高器件效率。但是，由于微腔不仅对各波段颜色增益效果不一致，而且会导致严重的视角色偏，因此在显示中需要对OLED器件的光学腔进行精确设计和统筹考虑。另外，顶发射OLED器件的阴极还可以采用氧化铟锌(IndiumZincOxide，IZO)。IZO阴极的光透过率高(>90％)，且不存在金属薄膜的微腔问题(反射率低)，对器件光学设计(尤其是白光OLED)要求不高。但将IZO作为阴极材料存在以下两个问题：(1)IZO阴极制备过程采用溅射(Sputter)工艺，其工艺条件恶劣，磁控溅射导致的高能粒子容易对下层电致发光有机薄膜造成物理损伤，导致器件漏电甚至短路；(2)IZO阴极反射率低，无法形成强的微腔增益，器件效率可能偏低。由此，本公开提供了一种有机发光二极管(OLED)，图1为根据本公开的实施例的有机发光二极管的结构示意图。如图1所示，该OLED包括：基底10；微纳结构层11，其位于基底10的一侧；第一电极12，其位于微纳结构层11远离基底10的一侧；电致发光(electroluminescence，EL)层13，其位于第一电极12远离微纳结构层11的一侧；以及第二电极15，其位于EL层13远离第一电极12的一侧。在本公开中，在OLED的基底10上设置微纳结构层11，该微纳结构层11可以破坏OLED器件内部的波导效应和反射阳极(如第一电极12)的表面等离子体极化基元(SurfacePlasmonPolariton，SPP)效应，缓解光子在器件内部的耗散和显示中的视角色偏问题。具体地，该微纳结构层11可包括第一光栅和光子晶体中的任意一种，即该微纳结构层11可为光栅结构或光子晶体，如图1所示。光子晶体是指具有光子带隙特性的人造周期性电介质结构，具有波长选择功能，可以有选择地使某个波段的光通过而阻止其它波长的光从其通过。光栅是由大量等宽等间距的平行狭缝构成的光学器件，其具有相应的周期，可以对相应波长的光进行选择而使选择的光从其通过。由于设置第一光栅或光子晶体，使得OLED发出的由于在器件内部发生全反射(或波导效应)导致的不能从器件出射的光能够从器件射出，从而提高光子出射效率，缓解了光子在器件内部的耗散。并且，由于第一光栅或光子晶体的衍射作用，还可以增大显示面板的视角，缓解显示面板的色偏。第一光栅和光子晶体的周期及其制作材料，可以基于其出射光线的颜色进行设置。可选地，该有机发光二极管的发光结构除了包括EL层13之外，还可以包括在微纳结构层11的远离基底10的一侧依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，EL层13设置在空穴传输层和电子传输层之间。作为有机发光二极管的阴极的第二电极15通常设置在电子注入层的远离基底10的一侧，电子注入层可采用掺杂锂离子+Li的NPB((N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺))材料制成。在一些实施例中，如图1所示，该有机发光二极管还包括保护层14，其位于EL层13与第二电极15之间，用于对其下的各层进行保护。图2为根据本公开的实施例的保护层的结构示意图。如图2所示，该保护层14包括沿远离基底10方向依次设置的第一无机介电层141、第一有机半导体层142和第二无机介电层143。该三层结构的保护层14可防止采用溅射工艺制备材料为IZO的第二电极15(例如IZO阴极)时对下层电致发光层的损伤，缓解IZO阴极严重的漏电问题。通过采用这种无机介电层/有机半导体层/无机介电层的层叠排布，使得IZO阴极损伤缓解效果明显(可将漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，包括：/n基底；/n微纳结构层，其位于所述基底的一侧；/n第一电极，其位于所述微纳结构层远离所述基底的一侧；/n电致发光层，其位于所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧；以及/n第二电极，其位于所述电致发光层远离所述第一电极的一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，包括：
基底；
微纳结构层，其位于所述基底的一侧；
第一电极，其位于所述微纳结构层远离所述基底的一侧；
电致发光层，其位于所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧；以及
第二电极，其位于所述电致发光层远离所述第一电极的一侧。


2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述微纳结构层包括第一光栅和/或光子晶体。


3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，还包括保护层，其位于所述电致发光层与所述第二电极之间。


4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其中，所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧、所述电致发光层远离所述第一电极的一侧、所述第二电极靠近所述保护层的一侧均具有光栅结构，所述光栅结构的周期与所述第一光栅或所述光子晶体的周期相同，并且所述第一电极远离所述微纳结构层的一侧的光栅结构的凸起和凹陷在所述基底上的正投影以及所述电致发光层远离所述第一电极的一侧的光栅结构的凸起和凹陷在所述基底上的正投影分别与所述第一光栅或所述光子晶体的凸起和凹陷在所述基底上的正投影至少部分重叠，所述第二电极靠近所述保护层的一侧的光栅结构中的凸起在所述基底上的正投影与所述第一光栅或所述光子晶体的凹陷在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福栋，焦志强，黄清雨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11