晶圆测试系统及晶圆测试方法技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆测试系统及测试方法，该系统包括：依次连接的探针卡、ARM处理器及主控单元，探针卡具有至少两个接点；ARM处理器监控每个接点的测试状态信息，并将其传输至主控单元；同时接收主控单元的启停命令，以控制每个接点的开启、暂停或结束；主控单元根据测试状态信息获得启停命令；启停命令包括：控制已完成前一测试项的接点暂停，直至所有接点完成该前一测试项的测试，所有接点开启进行当前测试项；控制已完成当前测试项的接点暂停，直至所有接点完成当前测试项的测试，所有接点开启进行下一测试项；控制所有接点结束测试。通过不同接点间测试项的同步完成，保证不同接点在同一时间处于同一测试项，增强晶圆测试的精度，提高测试良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆测试系统及晶圆测试方法
本专利技术涉及半导体测试领域，特别是涉及一种晶圆测试系统及晶圆方法。
技术介绍
半导体生产制造的流程一般包括集成电路设计、晶圆制造、晶圆测试、晶元切割、芯片封装及成品芯片测试。其中，晶圆测试是晶圆制造完成之后的一道测试，用于验证晶圆上的每个芯片(DIE)是否满足器件特征以及其他设计规格，在晶圆测试之后，可以将晶圆中有功能缺陷的芯片提前挑选出来，避免这些芯片进入到后期的芯片封装步骤中。晶圆是指半导体集成电路制作所用的晶片，其形状为圆形，故称为晶圆，在晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为具有特定电性功能的IC产品。晶圆的技术测试十分严格，主要是验证产品电路是否良好，验证驱动晶圆的功能是否符合终端应用的需求。驱动晶圆的测试主要是使用专属的测试机来测试，并且在测试中，通常会用到具有多根探针的探针卡，芯片上设置有测试焊垫，将探针卡的探针与晶圆上的芯片的测试焊垫相互接触，形成电性连接以进行电性测试，从而通过探针卡(probecard)上的多个接点(site)分别实现对晶圆中多个芯片的测试。现有常规方法是晶圆测试中所有接点同时各自独立按顺序完成测试，不同接点之间不会考虑彼此在做什么测试项，会不会彼此干扰造成测量偏差。因为不同的被测芯片生产质量不同和/或被测芯片所属测试接点的进程运行速度不同，所以晶圆测试的不同接点的测试时间差别较大，这样不同接点在测试不同的测试项时，会出现相互干扰，造成良率损失。例如，晶圆部分接点测试高电压大电流的测试项，部分接点正在测试小电压小电流的测试项时，即同一时刻不同的节点处于不同的测试项，这时小电压小电流的测试项信号会受到大电压大电流的测试项信号的EMI影响，出现测量误差导致晶圆测试结果overkill，也就是本该测试通过的芯片被测试为测试不通过，造成良率损失。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种晶圆测试系统及晶圆测试方法，用于解决现有技术的晶圆测试中，由于探针卡上的所有接点同时各自独立按顺序完成对被测芯片的测试，出现测量误差导致晶圆测试结果过度良率误判(overkill)，良率损失等的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种晶圆测试系统，所述晶圆测试系统包括：探针卡、ARM处理器及主控单元；所述探针卡具有至少两个接点(site)，每个接点分别与不同的被测芯片相连；所述ARM处理器与所述探针卡相连，用于监控每个所述接点对应的所述被测芯片的测试状态信息，并将该测试状态信息传输至所述主控单元；同时接收所述主控单元的启停命令，以根据该启停命令控制每个所述接点的开启、暂停或结束；所述主控单元与所述ARM处理器相连，用于接收所述ARM处理器传输的所述测试状态信息，并根据该测试状态信息计算获得所述启停命令；所述启停命令包括：通过所述ARM处理器控制已完成前一测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成该前一测试项的测试，所有所述接点开启进行当前测试项；通过所述ARM处理器控制已完成所述当前测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成所述当前测试项的测试，所有所述接点开启进行下一测试项；当所述被测芯片的所有测试项均测试结束时，所述启停命令通过所述ARM处理器控制所有接点结束测试。可选地，所述前一测试项为低压测试项，所述当前测试项为高压测试项，所述下一测试项为低压测试项。进一步地，高压测试项的高压大于8伏。可选地，所述被测芯片包括运算逻辑芯片、闪存芯片或传感器芯片；所述探针卡包括至少一个驱动电路板，每个所述驱动电路板上具有至少一个所述接点。进一步地，所述探针卡包括32个驱动电路板，每个所述驱动电路板上具有2个所述接点。本专利技术还提供一种晶圆测试方法，所述晶圆测试方法包括：提供待测晶圆及上述任意一项所述的晶圆测试系统，所述待测晶圆上具有至少两个所述被测芯片；将所述探针卡与所述被测芯片相连，其中，每个所述接点分别与不同的所述被测芯片相连；开启所述晶圆测试系统，所述主控单元发出开启的启停命令至所述ARM处理器，所述ARM处理器接收该开启的启停命令，以控制所有所述接点开启以开始对所述被测芯片进行测试；所述ARM处理器监控每个所述接点对应的所述被测芯片的测试状态信息，并将该测试状态信息传输至所述主控单元，所述主控单元根据该测试状态信息计算获得所述启停命令，所述启停命令通过所述ARM处理器控制已完成前一测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成该前一测试项的测试，所有所述接点开启进行当前测试项，然后通过所述ARM处理器控制已完成所述当前测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成所述当前测试项的测试，所有所述接点开启进行下一测试项；循环上一步骤直至所述被测芯片的所有测试项均测试结束时，所述启停命令通过所述ARM处理器控制所有接点结束测试。可选地，所述前一测试项为低压测试项，所述当前测试项为高压测试项，所述下一测试项为低压测试项。进一步地，所述高压测试项的高压大于8伏。可选地，所述被测芯片包括运算逻辑芯片、闪存芯片或传感器芯片；所述探针卡包括至少一个驱动电路板，每个所述驱动电路板上具有至少一个所述接点。进一步地，所述探针卡包括32个驱动电路板，每个所述驱动电路板上具有2个所述接点。如上所述，本专利技术的晶圆测试系统及晶圆测试方法，可实现晶圆测试过程中，不同接点间测试项的同步完成，保证不同接点在同一时间处于同一测试项，从而降低不同接点在同一时间处于不同的测试项产生的EMI影响，增强晶圆测试的精度，提高测试良率。附图说明图1显示为一片待测晶圆中被测芯片的MAP图。图2显示为探针卡上的两个接点上的若干个探针位置关系图。图3显示为本专利技术的晶圆测试方法的一实施例的流程示意图。图4显示为本专利技术的晶圆测试方法中当被测芯片处于某一高压测试项时，不同接点的高压测试项运行状态示意图。元件标号说明10待测晶圆11被测芯片12探针13支撑层14电气层具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可根据实际需要进行改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。现有晶圆测试常规方法是通过探针卡(probecard)上的所有接点(site)同时各自独立按顺序完成对被测芯片的测试，不同接点之间不会考虑彼此在做什么测试项，会不会彼此干扰造成测量偏差，因为不同的被测芯片生产质量不同和/或被测芯片所属测试接点的进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆测试系统，其特征在于，所述晶圆测试系统包括：探针卡、ARM处理器及主控单元；/n所述探针卡具有至少两个接点每个接点分别与不同的被测芯片相连；/n所述ARM处理器与所述探针卡相连，用于监控每个所述接点对应的所述被测芯片的测试状态信息，并将该测试状态信息传输至所述主控单元；同时接收所述主控单元的启停命令，以根据该启停命令控制每个所述接点的开启、暂停或结束；/n所述主控单元与所述ARM处理器相连，用于接收所述ARM处理器传输的所述测试状态信息，并根据该测试状态信息计算获得所述启停命令；所述启停命令包括：通过所述ARM处理器控制已完成前一测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成该前一测试项的测试，所有所述接点开启进行当前测试项；通过所述ARM处理器控制已完成所述当前测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成所述当前测试项的测试，所有所述接点开启进行下一测试项；当所述被测芯片的所有测试项均测试结束时，所述启停命令通过所述ARM处理器控制所有接点结束测试。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试系统，其特征在于，所述晶圆测试系统包括：探针卡、ARM处理器及主控单元；
所述探针卡具有至少两个接点每个接点分别与不同的被测芯片相连；
所述ARM处理器与所述探针卡相连，用于监控每个所述接点对应的所述被测芯片的测试状态信息，并将该测试状态信息传输至所述主控单元；同时接收所述主控单元的启停命令，以根据该启停命令控制每个所述接点的开启、暂停或结束；
所述主控单元与所述ARM处理器相连，用于接收所述ARM处理器传输的所述测试状态信息，并根据该测试状态信息计算获得所述启停命令；所述启停命令包括：通过所述ARM处理器控制已完成前一测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成该前一测试项的测试，所有所述接点开启进行当前测试项；通过所述ARM处理器控制已完成所述当前测试项的所述接点暂停等候，直至所有所述接点完成所述当前测试项的测试，所有所述接点开启进行下一测试项；当所述被测芯片的所有测试项均测试结束时，所述启停命令通过所述ARM处理器控制所有接点结束测试。


2.根据权利要求1所述的晶圆测试系统，其特征在于：所述前一测试项为低压测试项，所述当前测试项为高压测试项，所述下一测试项为低压测试项。


3.根据权利要求2所述的晶圆测试系统，其特征在于：高压测试项的高压大于8伏。


4.根据权利要求1所述的晶圆测试系统，其特征在于：所述被测芯片包括运算逻辑芯片、闪存芯片或传感器芯片；所述探针卡包括至少一个驱动电路板，每个所述驱动电路板上具有至少一个所述接点。


5.根据权利要求4所述的晶圆测试系统，其特征在于：所述探针卡包括32个驱动电路板，每个所述驱动电路板上具有2个所述接点。


6.一种晶圆测试方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱本强，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42