一种IGBT短路保护电路及装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种IGBT短路保护电路及装置，所述电路包括采样电阻R1、运算放大器U1、比较器U2、MOS管、自锁电路、与门电路和IGBT驱动电路，其中：所述采样电阻R1一端与IGBT驱动电路连接，所述采样电阻R1另一端接地；所述运算放大器U1与采样电阻R1并联，所述运算放大器U1的同相输入端与采样电阻R1的一端连接，所述运算放大器U1的反相输入端与采样电阻R1的另一端连接；所述比较器U2与运算放大器U1连接，所述比较器U2的反相输入端连接运算放大器U1的输出端；所述自锁电路包括二极管D1，所述二极管D1的正极连接比较器U2的输出端。本实用新型专利技术保证了整个控制环路走线尽可能小，从而保证了在发生短路时整个环路控制的响应时间最短。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT短路保护电路及装置
本技术属于电子设备
，特别涉及一种IGBT短路保护电路及装置。
技术介绍
随着汽车制造行业的发展，尤其是新能源汽车行业的发展，使得功率器件在新能源汽车上使用越来越广泛，其中高压大功率的功率控制器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管)在新能源汽车控制领域的使用变得举足轻重。故此，对IGBT功率控制器件的保护也变得尤为重要，一种简单可靠，成本低廉的保护电路便应运而生。现有产品中，当IGBT所控制的高压回路出现短路时，此时流过IGBT的C极到E极的电流Ic剧烈增大，IGBT的功率损耗剧烈加大，发热严重，若此时不对IGBT快速关断，则IGBT会因为过热发生热击穿，导致IGBT击穿损坏。为此，设计一种反应迅速、可靠关断的保护电路对保护IGBT尤为重要。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供了一种IGBT短路保护电路，所述电路包括采样电阻R1、运算放大器U1、比较器U2、MOS管、自锁电路、与门电路和IGBT驱动电路，其中：所述采样电阻R1一端与IGBT驱动电路连接，所述采样电阻R1另一端接地；...

【技术保护点】
1.一种IGBT短路保护电路，其特征在于，所述电路包括采样电阻R1、运算放大器U1、比较器U2、MOS管、自锁电路、与门电路和IGBT驱动电路，其中：/n所述采样电阻R1一端与IGBT驱动电路连接，所述采样电阻R1另一端接地；/n所述运算放大器U1与采样电阻R1并联，所述运算放大器U1的同相输入端与采样电阻R1的一端连接，所述运算放大器U1的反相输入端与采样电阻R1的另一端连接；/n所述比较器U2与运算放大器U1连接，所述比较器U2的反相输入端连接运算放大器U1的输出端；/n所述自锁电路包括二极管D1，所述二极管D1的正极连接比较器U2的输出端，所述二极管D1的负极连接比较器U2的反相输入端；...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT短路保护电路，其特征在于，所述电路包括采样电阻R1、运算放大器U1、比较器U2、MOS管、自锁电路、与门电路和IGBT驱动电路，其中：
所述采样电阻R1一端与IGBT驱动电路连接，所述采样电阻R1另一端接地；
所述运算放大器U1与采样电阻R1并联，所述运算放大器U1的同相输入端与采样电阻R1的一端连接，所述运算放大器U1的反相输入端与采样电阻R1的另一端连接；
所述比较器U2与运算放大器U1连接，所述比较器U2的反相输入端连接运算放大器U1的输出端；
所述自锁电路包括二极管D1，所述二极管D1的正极连接比较器U2的输出端，所述二极管D1的负极连接比较器U2的反相输入端；
所述MOS管的栅极与比较器U2的输出端连接，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极接入电压；
所述与门电路包括与门AND，所述与门AND的输入端2接入电压，且与MOS管的漏极连接，所述与门AND的输入端1连接微控制单元MCU，所述与门AND的输出端与IGBT驱动电路连接。


2.根据权利要求1所述的IGBT短路保护电路，其特征在于，所述IGBT驱动电路包括IGBT和驱动模块，所述IGBT的门极与驱动模块连接，所述驱动模块连接与门AND的输出端，所述IGBT的发射极连接采样电阻R1的一端。


3.根据权利要求2所述的IGBT短路保护电路，其特征在于，所述IGBT的集电极连接有PTC电阻R7，所述PTC电阻R7的一端连接IGBT的集电极，所述PTC电阻R7的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文臣，崔石磊，冯新建，徐进峰，
申请(专利权)人：上海金脉电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31