一种硅片高温氧化设备制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种硅片高温氧化设备，包括组成设备整体外形的设备外板，设备外板内架设有腔体，腔体内部下方位置水平并排设置有多个陶瓷轴，陶瓷轴从腔体的一侧延伸到另一侧垂直于设备的长度方向设置，陶瓷轴的一端连接传动系统；设备沿长度方向依次包括入料段、升温段、恒温段、冷却段、出料段，恒温段腔体下方设有氧气发生器，氧气发生器向恒温段腔体内供氧，恒温段腔体内部上方设置红外加热管以对腔体加热；冷却段的设备上方装有风扇，风扇下方装多孔透风板，风从上往下吹从而对硅片进行风冷；传动系统、氧气发生器、红外加热管、风扇均电性连接工控电脑和PLC控制系统，该设备氧化所得的硅片氧化一致性好。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片高温氧化设备
本技术涉及半导体
，具体公开了一种硅片高温氧化设备。
技术介绍
随着国内晶硅太阳能电池片生产工艺不断升级，为了防止SE硅片在抛光时，其正面磷硅玻璃层受到破坏，需要在抛光前，在硅片表面增加SiOx掩膜辅助抛光。申请号为CN201110446243.4的中国技术专利中给出了一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺，包括以下步骤：(1)进舟：将晶体硅片装舟后推进氧化炉管内；(2)温度稳定：调整氧化炉管内的温度；(3)氧化：在氧化炉内注入氧气和氮气对硅片进行氧化；(4)稳定：氧化完成后停止向氧化炉内供氧，调节氮气的流量和氧化炉内的温度；(5)退舟：把装有氧化后硅片的石英舟或石墨舟从氧化炉管中退出。该工艺成本低，工艺设备要求简单，且无需增加额外的设备，其通过在镀钝化膜前将晶体硅片置于氧化炉管中高温干法氧化生长一层氧化膜，与氮化硅薄膜形成性能优异的双层膜，该双层膜具备优异的钝化和减反射性能。然而该工艺其实隐含了需要打开舟盖子将硅片放入舟内后盖住盖子和拿出舟以及打开盖子拿取硅片的步骤，这个动作虽然简单，但对于工厂大规模生产而言工序还是挺复本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片高温氧化设备，其特征在于，包括组成设备整体外形的设备外板，设备外板内架设有腔体，腔体内部下方位置水平并排设置有多个陶瓷轴(12)，陶瓷轴(12)从腔体的一侧延伸到另一侧垂直于设备的长度方向设置，陶瓷轴(12)的一端连接传动系统；设备沿长度方向依次包括入料段(1)、升温段(2)、恒温段(3)、冷却段(4)、出料段(5)，恒温段(3)腔体下方设有氧气发生器(14)，氧气发生器(14)向恒温段(3)腔体内供氧，恒温段(3)腔体内部上方设置红外加热管(13)以对腔体加热；冷却段(4)的设备上方装有风扇，风扇下方装多孔透风板，风从上往下吹从而对硅片进行风冷；传动系统、氧气发生器(14)、红外...

【技术特征摘要】
1.一种硅片高温氧化设备，其特征在于，包括组成设备整体外形的设备外板，设备外板内架设有腔体，腔体内部下方位置水平并排设置有多个陶瓷轴(12)，陶瓷轴(12)从腔体的一侧延伸到另一侧垂直于设备的长度方向设置，陶瓷轴(12)的一端连接传动系统；设备沿长度方向依次包括入料段(1)、升温段(2)、恒温段(3)、冷却段(4)、出料段(5)，恒温段(3)腔体下方设有氧气发生器(14)，氧气发生器(14)向恒温段(3)腔体内供氧，恒温段(3)腔体内部上方设置红外加热管(13)以对腔体加热；冷却段(4)的设备上方装有风扇，风扇下方装多孔透风板，风从上往下吹从而对硅片进行风冷；传动系统、氧气发生器(14)、红外加热管(13)、风扇均电性连接工控电脑和PLC控制系统。


2.根据权利要求1所述的硅片高温氧化设备，其特征在于，氧气发生器(14)设置在恒温段(3)腔体下方，氧气发生器(14)的氧气喷嘴穿设在腔体的底部和侧面。


3.根据权利要求1所述的硅片高温氧化设备，其特征在于，入料段(1)的长度为100mm，升温段(2)的长度为1000mm，恒温段(3)从入到出依次分为第一恒温段(3)、第二恒温段(3)、第三恒温段(3)和第四恒温段(3)，第一恒温段(3)的长度为1100mm，第二恒温段(3)的长度为1100m...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔水炜，程建，万肇勇，吴章平，
申请(专利权)人：苏州昊建自动化系统有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32