【技术实现步骤摘要】
一种p型晶体硅太阳能电池、生产方法
本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种p型晶体硅太阳能电池、一种p型晶体硅太阳能电池生产方法、一种p型晶体硅太阳能电池生产设备、一种计算机可读存储介质。
技术介绍
异质结太阳能电池具有生产工艺温度低、光电转换效率高等优势，因此应用前景广泛。目前，异质结太阳能电池中，异质结的设置，通常会减少进入硅基底的有效入射光，造成较大的光学损失，因此需要配合透明导电膜、低温导电银浆等以维持较高的光电转换效率。由于透明导电膜、低温导电银浆等成本较高，导致异质结太阳能电池成本居高不下。
技术实现思路
本专利技术提供一种p型晶体硅太阳能电池、一种p型晶体硅太阳能电池生产方法、一种p型晶体硅太阳能电池生产设备、一种计算机可读存储介质，旨在解决异质结太阳能电池成本高的问题。根据本专利技术的第一方面，提供了一种p型晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅
【技术保护点】
1.一种p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅基底；/n局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；/n正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；/n正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反层并与所述局域p++型掺杂区接触；/n钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种；/nn型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；/n背面钝化层，沉积于所述n型掺...
【技术特征摘要】
1.一种p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅基底；
局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；
正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反层并与所述局域p++型掺杂区接触；
钝化隧穿层；形成于所述P型晶体硅基底的背面；所述钝化隧穿层为掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素的隧穿基体；所述隧穿基体包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅中的任意一种；
n型掺杂硅膜层，形成于所述钝化隧穿层的背面；
背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述背面金属电极为栅线电极。
2.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述局域p++型掺杂区的宽度，大于等于所述正面金属电极的宽度。
3.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反射层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域；所述p+型掺杂层的掺杂浓度，介于所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度与所述p型晶体硅基底的掺杂浓度之间。
4.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述Ⅲ族元素包括：硼元素；所述Ⅴ族元素包括：磷元素。
5.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述钝化隧穿层厚度为0.5～3nm。
6.根据权利要求3所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述p型晶体硅基底的掺杂浓度为：1.3×1015～1×1017；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度为：1019～1021cm-3，所述P+掺杂层的掺杂浓度为：1018～1020cm-3。
7.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述p型晶体硅基底的厚度为50～300μm。
8.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述n型掺杂硅膜层的厚度为10nm～500nm。
9.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述正面减反层与所述背面钝化层的材质各自独立选自：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、非晶硅中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的p型晶体硅太阳能电池，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：李华，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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