光模块以及光发送器制造技术

光模块构成为具有半导体光调制元件(9)和板状的金属管座(1)，该半导体光调制元件(9)安装于在金属管座(1)的一面侧配备的电介体基板(8)，金属管座具有金属管座贯通部(30)，向在金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚(2)与贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部(30)在引线管脚的外周设置有将贯通孔填埋的电介体部件(3)，从金属管座(1)的另一面侧经由金属管座贯通部(30)而向并联地连接有终端匹配电路(200)的半导体光调制元件(9)供给用于调制的信号，终端匹配电路(200)由第二电阻(24)和电容(25)的并联体与第一电阻(23)的串联连接体构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光模块以及光发送器
本申请涉及搭载有半导体光调制元件的光模块。
技术介绍
在中继站与用户之间的光通信系统即接入系统中，当前大多使用适用于低速调制的直接调制型半导体激光发送器(DML：DirectlyModulatedLaser)，但在进行10Gb/s或者更高的高速通信的情况下，集成有适用于高速调制的电场吸收型半导体光调制器(EAM：Electro-absorptionModulator)和分布反馈型半导体激光器(DFB-LD：DistributedFeedbackLaserDiode)的半导体光集成元件即EAM-LD(Electro-absorptionModulatorintegratedLaserDiode)是适用的。通过将以对光进行调制的频率反复通断的信号施加至EAM，从而能够对通过EAM的光(激光)进行调制。在高速通信中，施加通过DC电压而偏移后的高频信号。高频信号是大于或等于10GHz的高频，因此供电线使用同轴线路等考虑了高频特性的线路。作为对用于调制的高频进行传输的结构，存在同轴型的半导体光调制装置(例如专利文献1、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光模块，其构成为，具有：/n板状的金属管座；以及/n半导体光调制元件，其安装于在所述金属管座的一面侧配备的电介体基板，/n所述金属管座具有金属管座贯通部，向在所述金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚与所述贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部在所述引线管脚的外周设置有将所述贯通孔填埋的电介体部件，/n从所述金属管座的另一面侧经由所述金属管座贯通部而向并联地连接有终端匹配电路的所述半导体光调制元件供给用于调制的信号，/n该光模块的特征在于，/n所述终端匹配电路由第二电阻和电容的并联体与第一电阻的串联连接体构成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光模块，其构成为，具有：
板状的金属管座；以及
半导体光调制元件，其安装于在所述金属管座的一面侧配备的电介体基板，
所述金属管座具有金属管座贯通部，向在所述金属管座形成的贯通孔将金属制的引线管脚与所述贯通孔同轴地插入，该金属管座贯通部在所述引线管脚的外周设置有将所述贯通孔填埋的电介体部件，
从所述金属管座的另一面侧经由所述金属管座贯通部而向并联地连接有终端匹配电路的所述半导体光调制元件供给用于调制的信号，
该光模块的特征在于，
所述终端匹配电路由第二电阻和电容的并联体与第一电阻的串联连接体构成。


2.根据权利要求1所述的光模块，其特征在于，
所述第一电阻具有与所述金属管座贯通部的特性阻抗实质上相等的电阻值。


3.根据权利要求2所述的光模块，其特征在于，
所述第二电阻具有与所述金属管座贯通部的特性阻抗实质上相等的电阻值。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的光模块，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：大谷龙辉，白崎昭生，冈田规男，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP