一种充电电路制造技术

本申请公开了一种充电电路包括：栅极电压电路、栅极电压保护电路、电流限制电路、反向保护电路、过压保护电路和通路电路；所述栅极电压电路与所述电流限制电路、通路电路、栅极电压保护电路以及反向保护电路连接；所述电流限制电路与所述反向保护电路、栅极电压保护电路、过压保护电路以及通路电路连接；所述栅极电压保护电路与所述过压保护电路和通路电路连接；所述通路电路与所述过压保护电路连接。通过电流限制电路限制电流大小，能够减小电路的功耗，防止电路损坏；过压保护电路能够保护充电电路不因过压而损坏；反向保护电路能够防止电流从输出端反向流到输入，使充电电路正常且稳定的工作。

【技术实现步骤摘要】
一种充电电路
本申请涉及电路领域，尤其涉及一种充电电路。
技术介绍
现有的充电电路，在刚起电的时候，由于输出端的电压比较小，如果不限流，充电电流会很大，不稳定，并且大电流会导致内部电路产生很大功耗，进而可能损坏充电电路。并且，当输出电压参考地缓慢上升，输出电压比电源电压只有高出几毫伏时，反向保护往往不起作用，导致输出向电源放电，使输出相对输出电压参考地的电位差降低，使后面电路不能正常工作。综上所述，需要提供一种能够进行稳定的充电工作、功耗小且不会损坏充电电路的充电电路。
技术实现思路
为解决以上问题，本申请提出了一种充电电路，包括：栅极电压电路、栅极电压保护电路、电流限制电路、反向保护电路、过压保护电路和通路电路；所述栅极电压电路与所述电流限制电路、通路电路、栅极电压保护电路以及反向保护电路连接；所述电流限制电路与所述反向保护电路、栅极电压保护电路、过压保护电路以及通路电路连接；所述栅极电压保护电路与所述过压保护电路和通路电路连接；所述通路电路与所述过压保护电路连接。优选地，所述栅极电压电路，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；所述第一MOS管的源端和第二MOS管的源端连接，所述第一MOS管的漏端和栅端均与所述第二MOS管的栅端连接，所述第一MOS管的漏端还与第三MOS管的源端连接；所述第二MOS管的漏端与所述第四MOS管的源端连接；所述第三MOS管的栅端和漏端均与所述第四MOS管的栅端连接，所述第三MOS管的漏端还与所述第六MOS管的漏端连接；所述第四MOS管的漏端与所述电流限制电路、栅极电压保护电路、通路电路以及反向保护电路连接；所述第六MOS管的栅端与工作电压端连接，源端与所述第五MOS管的漏端连接；所述第五MOS管的栅端与所述电流限制电路连接，源端与接地端连接。优选地，所述栅极电压保护电路，包括：第七MOS管和第八MOS管；所述第七MOS管的源端与所述栅极电压电路的第四MOS管的漏极、过压保护电路以及通路电路连接，漏端和栅端均与所述第八MOS管的源端连接；第八MOS管的漏端和栅端均连接所述通路电路。优选地，所述通路电路，包括：第九MOS管和第十MOS管；所述第九MOS管的栅端与所述第七MOS管的源端、第十MOS管的栅端以及第四MOS管的漏端连接，源端与所述第八MOS管的漏端和栅端、第十MOS管的源端以及电流限制电路连接，漏端与所述过压保护电路连接。优选地，所述反向保护电路，包括：第一电阻、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管；所述第一电阻的一端与所述第十MOS管的漏端连接，另一端与第十二MOS管的栅端和源端连接；所述第十一MOS管的漏端和栅端均与所述第四MOS管的漏端连接，源端与所述第十三MOS管的源端以及栅端连接；所述第十二MOS管的漏端与所述十三MOS管的漏端以及第十四MOS管的漏端连接；所述第十四MOS管的栅端与工作电压端连接，源端与所述第十五MOS管的漏端连接；所述第十五MOS管的源端和第十六MOS管的源端均连接接地端；所述第十六MOS管的漏端还输入偏置电流。优选地，所述电流限制电路包括：第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管和第二十二MOS管；所述第十七MOS管的源端与所述第十MOS管的栅端、第十九MOS管的源端、第七MOS管的源端以及所述过压保护电路连接，栅端与所述第二十MOS管的栅端和漏端，以及第二十一MOS管的漏端连接，漏端与所述第十八MOS管的漏端以及栅端连接；所述第十八MOS管的源端与所述第十MOS管的源端以及第九MOS管的源端连接；所述第十九MOS管的栅端和漏端均与第二十MOS管的源端连接；所述第二十一MOS管的源端与第二十二MOS管的漏端连接，栅端输入启动信号。优选地，所述过压保护电路包括：第二电阻、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第二十三MOS管、第二十四MOS管、第二十五MOS管、第二十六MOS管、第二十七MOS管、第二十八MOS管、第二十九MOS管和第三十MOS管；所述第二电阻与所述第九MOS管的漏端以及输出端连接，另一端与所述第二稳压二极管的负极连接；所述第二稳压二极管的正极与第三十MOS管的漏端以及栅端连接；所述第三十MOS管的源端与所述第二十三的漏端和栅端以及第二十四MOS管的栅端连接；第二十三MOS管的源极与第二十四MOS管的源端以及第二十九MOS管的源端连接；所述第二十四MOS管的漏端与所述第一稳压二极管的正极以及第二十七MOS管的漏端和栅端连接；所述第二十五MOS管的漏端和栅端与所述第十九MOS管的源端连接，源端与所述第二十六MOS管的栅端和漏端连接；所述第二十六MOS管的源端与第一稳压二极管的负极连接；所述第二十七MOS管的源端与所述第二十八MOS管的漏端以及栅端连接；所述第二十八MOS管的源端与所述第二十九MOS管的漏端以及栅端连接。优选地，还包括第一电容；所述第一电容的一端与所述输出端连接，另一端与第二十三MOS管的源极连接。优选地，所述第五MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第二十二MOS管、第二十三MOS管、第二十四MOS管、第二十五MOS管、第二十六MOS管、第二十七MOS管、第二十八MOS管、第二十九MOS管和第三十MOS管，均为N型MOS管；所述第四MOS管为P型高压MOS管；所述第六MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管和第二十一MOS管均为N型高压MOS管。优选地，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第十九MOS管、和第二十MOS管均为P型MOS管。本申请的优点在于：通过电流限制电路限制电流大小，能够减小电路的功耗，防止电路损坏；过压保护电路能够保护充电电路不因过压而损坏；反向保护电路能够防止电流从输出端反向流到输入，使充电电路正常且稳定的工作。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选事实方案的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用同样的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1是本申请提供的一种充电电路的模块示意图；图2是本申请提供的一种充电电路的原理图。附图标记说明101栅极电压电路102栅极电压保护电路103电流限制电路104反向保护电路105过压保护电路106通路电路R1第一电阻R2第二电阻D1第一稳压二极管D2第二稳压二极管Q1第一MOS管Q2第二MOS管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充电电路，其特征在于，包括：栅极电压电路、栅极电压保护电路、电流限制电路、反向保护电路、过压保护电路和通路电路；/n所述栅极电压电路与所述电流限制电路、通路电路、栅极电压保护电路以及反向保护电路连接；/n所述电流限制电路与所述反向保护电路、栅极电压保护电路、过压保护电路以及通路电路连接；所述栅极电压保护电路与所述过压保护电路和通路电路连接；/n所述通路电路与所述过压保护电路连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种充电电路，其特征在于，包括：栅极电压电路、栅极电压保护电路、电流限制电路、反向保护电路、过压保护电路和通路电路；
所述栅极电压电路与所述电流限制电路、通路电路、栅极电压保护电路以及反向保护电路连接；
所述电流限制电路与所述反向保护电路、栅极电压保护电路、过压保护电路以及通路电路连接；所述栅极电压保护电路与所述过压保护电路和通路电路连接；
所述通路电路与所述过压保护电路连接。


2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述栅极电压电路，包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；
所述第一MOS管的源端和第二MOS管的源端连接，所述第一MOS管的漏端和栅端均与所述第二MOS管的栅端连接，所述第一MOS管的漏端还与第三MOS管的源端连接；
所述第二MOS管的漏端与所述第四MOS管的源端连接；
所述第三MOS管的栅端和漏端均与所述第四MOS管的栅端连接，所述第三MOS管的漏端还与所述第六MOS管的漏端连接；
所述第四MOS管的漏端与所述电流限制电路、栅极电压保护电路、通路电路以及反向保护电路连接；
所述第六MOS管的栅端与工作电压端连接，源端与所述第五MOS管的漏端连接；
所述第五MOS管的栅端与所述电流限制电路连接，源端与接地端连接。


3.如权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述栅极电压保护电路，包括：第七MOS管和第八MOS管；
所述第七MOS管的源端与所述栅极电压电路的第四MOS管的漏极、过压保护电路以及通路电路连接，漏端和栅端均与所述第八MOS管的源端连接；
第八MOS管的漏端和栅端均连接所述通路电路。


4.如权利要求3所述的充电电路，其特征在于，所述通路电路，包括：第九MOS管和第十MOS管；
所述第九MOS管的栅端与所述第七MOS管的源端、第十MOS管的栅端以及第四MOS管的漏端连接，源端与所述第八MOS管的漏端和栅端、第十MOS管的源端以及电流限制电路连接，漏端与所述过压保护电路连接。


5.如权利要求4所述的充电电路，其特征在于，所述反向保护电路，包括：第一电阻、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管；
所述第一电阻的一端与所述第十MOS管的漏端连接，另一端与第十二MOS管的栅端和源端连接；
所述第十一MOS管的漏端和栅端均与所述第四MOS管的漏端连接，源端与所述第十三MOS管的源端以及栅端连接；
所述第十二MOS管的漏端与所述十三MOS管的漏端以及第十四MOS管的漏端连接；
所述第十四MOS管的栅端与工作电压端连接，源端与所述第十五MOS管的漏端连接；
所述第十五MOS管的源端和第十六MOS管的源端均连接接地端；
所述第十六MOS管的漏端还输入偏置电流。


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【专利技术属性】
技术研发人员：丁齐兵，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44