III族氮化物系半导体激光元件制造技术

本发明专利技术的III族氮化物系半导体激光元件具备GaN基板、和设置于GaN基板之上的活性层，GaN基板的氧浓度为5×10

【技术实现步骤摘要】
III族氮化物系半导体激光元件
本专利技术涉及III族氮化物系半导体激光元件。
技术介绍
GaN等III族氮化物系结晶被期待应用于照明用的高输出功率LED(发光二极管)、激光显示器、激光加工机用LD(激光二极管)这样的下一代光学器件、搭载于EV(电动汽车)、PHV(插电式混合动力汽车)等的高输出功率的功率晶体管等下一代电子器件。为了提高使用III族氮化物系结晶的光学电子器件的性能，期望由GaN等高品质的III族氮化物单晶基板构成作为母材的基板。为了制作高品质的III族氮化物单晶基板，正在研究开发氢化物气相外延(HydrideVaporPhaseEpitaxy，HVPE)法、Na助熔剂法、氨热法等。另外，正在考虑以III族氧化物为原料的氧化物气相外延(OxideVaporPhaseEpitaxy，OVPE)法(例如，参照专利文献1。)。该OVPE法中的反应体系如下所示。(1)首先，对液体Ga进行加热，在该状态下，导入作为反应性气体的H2O气体。导入的H2O气体与Ga反应生成Ga2O气体(下述式(I))。(2)然后，导入NH本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种III族氮化物系半导体激光元件，/n其具备GaN基板、和设置于所述GaN基板之上的活性层，/n所述GaN基板的氧浓度为5×10

【技术特征摘要】
20190703 JP 2019-1246621.一种III族氮化物系半导体激光元件，
其具备GaN基板、和设置于所述GaN基板之上的活性层，
所述GaN基板的氧浓度为5×1019cm-3以上，
所述GaN基板对所述活性层的振荡波长的吸收系数大于所述活性层对所述振荡波长的吸收系数。


2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥明彦，大野启，泷野淳一，隅智亮，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP