一种具有高比电容的负极、制备方法及锂离子电池技术

一种具有高比电容的负极，包括网状玻璃碳基体，在网状玻璃碳基体上形成有一层导电聚合物膜，导电聚合物膜为PEDOT或者掺杂的PEDOT。在本发明专利技术中，PEDOT具有很多互相连通的大孔，并且在PEDOT上嵌入了含有大量中空和微孔的网状玻璃碳壁。PEDOT含有的大孔，能够作为离子的缓冲库，也就是说离子可以储存在PEDOT的大孔内，这样能够减小离子的扩散距离。在本发明专利技术中，PEDOT上含有的大孔能够增加负极材料的表面积，从而增加负极的比电容器，同时PEDOT内嵌入的网状玻璃碳壁能够对PEDOT起到支撑作用，提高PEDOT的循环性能。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高比电容的负极、制备方法及锂离子电池
本专利技术涉及一种锂离子电池，尤其涉及一种具有高比电容的负极及制备方法。
技术介绍
如今，许多研究人员致力于新型碳材料的开发，例如活性炭，碳气凝胶，碳纳米管，石墨烯，有序介孔碳，及其复合材料，使电极具有高比表面积，高电导率，合理微孔结构，电吸附能力强。另外，导电聚合物已经被与此类碳材料结合使用可改善碳电极的性能和性能，因为它们具有高电导率和高表面积。所有这些电极被制造成没有明显厚度的二维结构电极。但是，有限电吸附能力的提高仍然远远小于理论值，这主要是由于诸如低有效表面积等缺点。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种具有高比电容的负极、制备方法及锂离子电池。为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：一种具有高比电容的负极，包括网状玻璃碳基体，在所述网状玻璃碳基体上形成有一层导电聚合物膜，所述导电聚合物膜为PEDOT或者掺杂的PEDOT。上述的具有高比电容的负极的制备方法，优选的，包括以下步骤：1)网状玻璃碳基体的处理；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高比电容的负极，其特征在于：包括网状玻璃碳基体，在所述网状玻璃碳基体上形成有一层导电聚合物膜，所述导电聚合物膜为PEDOT或者掺杂的PEDOT；PEDOT具有很多互相连通的空洞，并且在PEDOT上嵌入了含有大量微孔的网状玻璃碳壁。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有高比电容的负极，其特征在于：包括网状玻璃碳基体，在所述网状玻璃碳基体上形成有一层导电聚合物膜，所述导电聚合物膜为PEDOT或者掺杂的PEDOT；PEDOT具有很多互相连通的空洞，并且在PEDOT上嵌入了含有大量微孔的网状玻璃碳壁。


2.根据权利要求1所述的具有高比电容的负极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)网状玻璃碳基体的处理；
①将网状玻璃碳且成预设尺寸；
②将步骤①切下来的网状玻璃碳侵入到1.5-2.5mol/L的HNO3溶液中，时间在12小时以上；
③用去离子水将步骤②的网状玻璃碳进行清洗，直到清洗用的去离子水变成中性；
④将步骤③处理后的网状玻璃碳放入到乙醇溶液中，至少6小时；
⑤将步骤④处理后的网状玻璃碳在惰性气体的氛围中干燥；得到网状玻璃碳基体；
2)采用电化学沉积法或者溶液聚合法在网状玻璃碳基体上形成一层PEDOT膜；
所述电化学沉积法包括以下步骤：
I将步骤1)得到的网状玻璃碳基体浸入到电解液中12小时以上，所述电解液包括EDOT单体、FeCl3和乙腈溶液；所述EDOT单体和FeCl3均加入到乙腈溶液中，所述EDOT单体的浓度为0.02-0.1mol/L，所述FeCl3的浓度为0.1-0.5mol/L；
II在电解液中通...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晨，贾明，蒋冬初，邓杨保，潘振炎，刘晓明，
申请(专利权)人：湖南艾华集团股份有限公司，湖南城市学院，
类型：发明
国别省市：湖南;43