一种无机发光二极管显示装置的结构及制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种无机发光二极管显示装置的电极结构及制作方法，像素发光器件有效显示区域的公共电极所在区域具有高度不同的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。

【技术实现步骤摘要】
一种无机发光二极管显示装置的结构及制作方法
本专利技术涉及无机发光二极管显示装置的结构及制作方法，特别是无机发光二极管显示装置的电极结构及制作方法。
技术介绍
现有的微型显示技术(Microdisplay)主要包括硅上液晶技术(Liquidcrystalonsilicon，即LCOS)、数字光处理技术(Digitallightprocessing，即DLP)和硅基OLED微显示器技术(Micro-OLED)。最近出现了一种新型的微型无机发光二极管显示技术(Micro-LED)，Micro-LED的单元像素尺寸一般在10微米左右，但是现在Micro-LED依然面临着提高效率和显示分辨率的问题。Micro-LED像素一般采用干法刻蚀制作，但是干法刻蚀被认为是产生Micro-LED缺陷的主要原因，干法刻蚀刻蚀深度越深，Micro-LED产生的缺陷越多。
技术实现思路
本专利技术提出一种无机发光二极管显示装置的电极结构及制作方法。根据本专利技术的一个方面，在像素发光器件有效显示区域具有高度不同的台阶，公共电极区域位于不同高度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：在像素发光器件有效显示区域具有不同高度的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。/n

【技术特征摘要】
1.一种无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：在像素发光器件有效显示区域具有不同高度的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。


2.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的高度低的台阶位于对角连接线的相邻像素之间。


3.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的高度高的台阶位于相邻像素之间。


4.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：所述的高度低的台阶位于相邻像素之间。


5.根据权利要求1-4任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：在像素发光器件有效显示区域的公共电极位于不同高度的台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。


6.根据权利要求1-4任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于：在像素发光器件有效显示区域的公共电极位于不同高度的台阶中的任意一个台阶，所述的不同高度是相对于像素发光器件所在衬底。


7.根据权利要求1-6任一项所述的无机发光二极管显示装置的器件结构，其特征在于像素发光器件结构包括以下方法制作：
(1)将包括N型半导体层、发光半导体层、P型半导体层的外延衬底转移到第一个衬底上，将外延衬底去除；
(2)再转移到第二个衬底上，将第一个衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙润光，刘宏宇，
申请(专利权)人：孙润光，刘宏宇，
类型：发明
国别省市：上海;31