一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层；S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层；S3、在薄膜层上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在薄膜层上刻蚀图案；S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于薄膜层和衬底的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。本发明专利技术与现有技术相比的优点在于：制备的带有图形结构的薄膜可以应用到多个领域，如耳机，麦克风等，且薄膜厚度可控，在薄膜上可以刻蚀多种图形，工艺步骤简单合理，刻蚀效果好，大大降低了人力物力投入，提高了加工效率和精度，符合目前半导体加工需求，便于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法
本专利技术涉及半导体工艺领域，具体是指一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法。
技术介绍
随着科技的发展，对于各类精密器件，微型化已成为一种趋势，我们需要更加精密的各类器件，来不断提高器件的功能和性能。薄膜应用越来越广泛，无论是在声学器件还是在光学器件，例如：耳机、麦克风等。为了提高各类器件的性能，我们对薄膜的工艺要求不断提高，薄膜厚度的减少，还是需要在薄膜上进行图形刻蚀，都已经成为一种发展趋势。因此，高质量的薄膜图形工艺将会成为其重要的推动力，设计出一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法势在必行。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是现有的薄膜工艺因其设计上的不足，导致薄膜成型效果差，制作工艺繁琐，耗用大量人力物力，不适用于目前半导体加工需求。为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层；S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层；S3、在薄膜层上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在薄膜层上刻蚀图案；S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于薄膜层和衬底的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。本专利技术与现有技术相比的优点在于：制备的带有图形结构的薄膜可以应用到多个领域，如耳机，麦克风等，且薄膜厚度可控，在薄膜上可以刻蚀多种图形，工艺步骤简单合理，刻蚀效果好，大大降低了人力物力投入，提高了加工效率和精度，符合目前半导体加工需求，便于推广。作为改进，衬底选用GaAs衬底。作为改进，牺牲层可选用AlAs或AlGaAs牺牲层。作为改进，薄膜层选用SiO2薄膜层。作为改进，S5步骤中的腐蚀液原料配制为H2O2：H2SO4：H2O。作为改进，S4步骤中的湿法腐蚀加工工艺可换用ICP加工工艺。附图说明图1是一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法的加工示意图。如图所示：1、衬底，2、缓冲层，3、牺牲层，4、薄膜层。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明。本专利技术在具体实施时，一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底1上生长缓冲层2和牺牲层3；S2、在所述牺牲层3上生长或溅镀与牺牲层3化学性质不同的薄膜层4；S3、在所述薄膜层4上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在所述薄膜层4上刻蚀图案S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于所述薄膜层4和衬底1的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。所述衬底1选用GaAs衬底。所述牺牲层3可选用AlAs或AlGaAs牺牲层。所述薄膜层4选用SiO2薄膜层。所述S5步骤中的腐蚀液原料配制为H2O2：H2SO4：H2O。所述S4步骤中的湿法腐蚀加工工艺可换用ICP加工工艺。本专利技术的工作原理：采用生长牺牲层和薄膜层的方式，首先在薄膜层上光刻图形，再经过ICP或者湿法腐蚀方式，在薄膜上刻图形，最终在湿法腐蚀条件下，腐蚀掉牺牲层，剥离下带有图形的薄膜。本方法使得带有图形的薄膜工艺制造更为便利，使用该方法，可以制造更薄的薄膜，在薄膜上的图形工艺也相对成熟。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”，“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。尽管上面已经示出和描述了本专利技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本专利技术的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本专利技术的原理和宗旨的情况下在本专利技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，其特征在于包括以下具体步骤：/nS1、在衬底(1)上生长缓冲层(2)和牺牲层(3)；/nS2、在所述牺牲层(3)上生长或溅镀与牺牲层(3)化学性质不同的薄膜层(4)；/nS3、在所述薄膜层(4)上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；/nS4、利用湿法腐蚀的加工工艺在所述薄膜层(4)上刻蚀图案；/nS5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于所述薄膜层(4)和衬底(1)的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，其特征在于包括以下具体步骤：
S1、在衬底(1)上生长缓冲层(2)和牺牲层(3)；
S2、在所述牺牲层(3)上生长或溅镀与牺牲层(3)化学性质不同的薄膜层(4)；
S3、在所述薄膜层(4)上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；
S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在所述薄膜层(4)上刻蚀图案；
S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于所述薄膜层(4)和衬底(1)的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。


2.根据权利要求1所述的一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，其特征在于：所述衬底(1)选用GaAs衬底。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑶，丁颖，苏向斌，倪海桥，陈鹏，赵涛，
申请(专利权)人：南京信光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32