一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层；S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层；S3、在薄膜层上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在薄膜层上刻蚀图案；S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于薄膜层和衬底的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。本发明专利技术与现有技术相比的优点在于：制备的带有图形结构的薄膜可以应用到多个领域，如耳机，麦克风等，且薄膜厚度可控，在薄膜上可以刻蚀多种图形，工艺步骤简单合理，刻蚀效果好，大大降低了人力物力投入，提高了加工效率和精度，符合目前半导体加工需求，便于推广。

【技术实现步骤摘要】
一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法
本专利技术涉及半导体工艺领域，具体是指一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法。
技术介绍
随着科技的发展，对于各类精密器件，微型化已成为一种趋势，我们需要更加精密的各类器件，来不断提高器件的功能和性能。薄膜应用越来越广泛，无论是在声学器件还是在光学器件，例如：耳机、麦克风等。为了提高各类器件的性能，我们对薄膜的工艺要求不断提高，薄膜厚度的减少，还是需要在薄膜上进行图形刻蚀，都已经成为一种发展趋势。因此，高质量的薄膜图形工艺将会成为其重要的推动力，设计出一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法势在必行。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是现有的薄膜工艺因其设计上的不足，导致薄膜成型效果差，制作工艺繁琐，耗用大量人力物力，不适用于目前半导体加工需求。为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层；S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层；S3、在薄膜层上进行光刻工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，其特征在于包括以下具体步骤：/nS1、在衬底(1)上生长缓冲层(2)和牺牲层(3)；/nS2、在所述牺牲层(3)上生长或溅镀与牺牲层(3)化学性质不同的薄膜层(4)；/nS3、在所述薄膜层(4)上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；/nS4、利用湿法腐蚀的加工工艺在所述薄膜层(4)上刻蚀图案；/nS5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于所述薄膜层(4)和衬底(1)的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，其特征在于包括以下具体步骤：
S1、在衬底(1)上生长缓冲层(2)和牺牲层(3)；
S2、在所述牺牲层(3)上生长或溅镀与牺牲层(3)化学性质不同的薄膜层(4)；
S3、在所述薄膜层(4)上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；
S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在所述薄膜层(4)上刻蚀图案；
S5、调配一定比例的腐蚀溶液，用于所述薄膜层(4)和衬底(1)的分离，最终得到带图案的薄膜工艺。


2.根据权利要求1所述的一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，其特征在于：所述衬底(1)选用GaAs衬底。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑶，丁颖，苏向斌，倪海桥，陈鹏，赵涛，
申请(专利权)人：南京信光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32