刻蚀方法及三维存储器的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种刻蚀方法及三维存储器的制作方法，本发明专利技术技术方案，对于所述半导体结构，先形成覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分和所述侧壁的第一介质层，然后再形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层具有不同的刻蚀属性，故通过第一刻蚀，可以去除所述侧壁上的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层，然后通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的第一介质层，从而能够准确的刻蚀去除所述侧壁上的所述第一介质层和所述第二介质层，避免过刻蚀或是刻蚀不足的问题，同时能够使得所述第一平面部分和所述第二平面部分上均能够保留所述第一介质层以及部分所述第二介质层。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀方法及三维存储器的制作方法
本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体的说，涉及一种刻蚀方法及三维存储器(3DNAND)的制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作的当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。电子设备实现各种功能的控制中枢是控制芯片中的集成电路，而各种半导体器件是集成电路的重要组成单元。半导体器件需要通过刻蚀工艺实现图形化，以形成特定的功能结构。在半导体器件制作工艺中，基于器件结构以及功能实现需求，需要对覆盖侧壁的介质层进行刻蚀，以去除侧壁上的介质层。但是，现有的刻蚀方法不能精确的去除侧壁上的介质层，容易造成过刻蚀或是刻蚀不足的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种刻蚀方法及三维存储器的制作方法，方案如下：一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一半导体结构；所述半导体结构具有高度不同的第一平面部分和第二平面部分，以及连接所述第一平面部分和所述第二平面部分的侧壁；其中，所述第一平面部分和所述第二平面部分分别位于所述侧壁的两侧；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分以及所述侧壁；形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；通过第一刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层表面的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层；通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层。优选的，在上述刻蚀方法中，将所述半导体结构浸没在第一试剂中，进行所述第一刻蚀，所述第一试剂对所述第二介质层的刻蚀速率大于对所述第一介质层的刻蚀速率。优选的，在上述刻蚀方法中，将所述半导体结构浸没在第二试剂中，进行所述第二刻蚀，所述第二试剂对所述第一介质层的刻蚀速率大于对所述第二介质层的刻蚀速率。优选的，在上述刻蚀方法中，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为二氧化硅层。优选的，在上述刻蚀方法中，所述第一试剂为氟化氢试剂，所述第二试剂为磷酸试剂。优选的，在上述刻蚀方法中，所述第二介质层的形成方法包括：通过沉积工艺形成所述第二介质层，所述第二介质层包括位于所述第一平面部分上的第一部分、位于所述第二平面部分上的第二部分以及位于所述侧壁上的第三部分；所述第三部分的致密性小于所述第一部分和所述第二部分的致密性。优选的，在上述刻蚀方法中，所述第一介质层的形成方法包括：通过沉积工艺形成所述第一介质层，所述第一介质层包括位于所述第一平面部分上的第一部分、位于所述第二平面部分上的第二部分以及位于所述侧壁上的第三部分；所述第三部分的致密性小于所述第一部分和所述第二部分的致密性。优选的，在上述刻蚀方法中，所述第一平面部分高于所述第二平面部分，所述侧壁垂直于所述第一平面部分和所述第二平面部分；通过所述第二刻蚀，使得第二平面部分上的所述第一介质层和所述第二介质层与所述侧壁之间具有沟槽。优选的，在上述刻蚀方法中，所述半导体结构的制作方法包括：在半导体衬底上沉积堆叠结构，所述堆叠结构包括多层交替层叠的第三介质层和第四介质层；在所述堆叠结构上刻蚀形成至少两个台阶结构，所述至少两个台阶结构包括：所述第一平面部分、所述第二平面部分以及所述侧壁。本专利技术还提供了一种三维存储器的制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成堆叠结构；在所述堆叠结构上形成至少两个台阶结构，形成半导体结构；所述至少两个台阶结构包括：高度不同的第一平面部分和第二平面部分，以及连接所述第一平面部分和所述第二平面部分的侧壁；其中，所述第一平面部分和所述第二平面部分分别位于所述侧壁的两侧；基于上述任一项所述的刻蚀方法，在所述半导体结构上形成所述第一介质层和所述第二介质层。通过上述描述可知，本专利技术技术方案提供的刻蚀方法及三维存储器的制作方法中，对于所述半导体结构，先形成覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分和所述侧壁的第一介质层，然后再形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层具有不同的刻蚀属性，故通过第一刻蚀，可以去除所述侧壁上的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层，然后通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的第一介质层，从而能够准确的刻蚀去除所述侧壁上的所述第一介质层和所述第二介质层，避免过刻蚀或是刻蚀不足的问题，同时能够使得所述第一平面部分和所述第二平面部分上均能够保留所述第一介质层以及部分所述第二介质层。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。图1-图3为一种侧壁介质层刻蚀方法的工艺流程图；图4-图6为3DNAND制作过程中侧壁介质层刻蚀方法的工艺流程图；图7-图11为本专利技术实施例提供的一种刻蚀方法的工艺流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1-图3所示，图1-图3为一种侧壁介质层刻蚀方法的工艺流程图，该刻蚀方法包括：步骤S11：如图1所示，提供一半导体结构10。所述半导体结构10包括堆叠结构，所述堆叠结构可以为两种不同材料的介质层交替层叠形成。所述半导体结构10包括两个高度不同的平面部分11和平面部分12，两个平面部分之间具有侧壁13。其中，所述第一平面部分11和所述第二平面部分12分别位于所述侧壁13的两侧，如图1所示，两个平面部分分别位于侧壁13的左右两侧。步骤S12：如图2所示，在半导体结构10表面形成介质层14。所述介质层14覆盖所述平面部分11、平面部分12和侧壁13。步骤S13：如图3所示，去除所述侧壁13上的介质层14。通过刻蚀工艺，刻蚀去除所述侧壁13上的介质层14，保留所述平面部分11和所述平面部分12上的所述介质层14。3DNAND将存储单元在垂直于衬底的方向上堆叠，能够在较小的面积上形成更多的存储单元，相对于传统二维存储器，具有更大的存储容量，是当前存储器领域的一个主要发展方向。3DNAND制作工程中，需要在堆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：/n提供一半导体结构；所述半导体结构具有高度不同的第一平面部分和第二平面部分，以及连接所述第一平面部分和所述第二平面部分的侧壁；其中，所述第一平面部分和所述第二平面部分分别位于所述侧壁的两侧；/n形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分以及所述侧壁；/n形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；/n通过第一刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层表面的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层；/n通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
提供一半导体结构；所述半导体结构具有高度不同的第一平面部分和第二平面部分，以及连接所述第一平面部分和所述第二平面部分的侧壁；其中，所述第一平面部分和所述第二平面部分分别位于所述侧壁的两侧；
形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分以及所述侧壁；
形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；
通过第一刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层表面的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层；
通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层。


2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，将所述半导体结构浸没在第一试剂中，进行所述第一刻蚀，所述第一试剂对所述第二介质层的刻蚀速率大于对所述第一介质层的刻蚀速率。


3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，将所述半导体结构浸没在第二试剂中，进行所述第二刻蚀，所述第二试剂对所述第一介质层的刻蚀速率大于对所述第二介质层的刻蚀速率。


4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为二氧化硅层。


5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一试剂为氟化氢试剂，所述第二试剂为磷酸试剂。


6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法包括：
通过沉积工艺形成所述第二介质层，所述第二介质层包括位于所述第一平面部分上的第一部分、位于所述第二平面部分上的第二部分以及位于所述侧壁上的第三部分；所述第三部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗兴安，张高升，董洪旺，陈松超，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42