刻蚀方法及三维存储器的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种刻蚀方法及三维存储器的制作方法，本发明专利技术技术方案，对于所述半导体结构，先形成覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分和所述侧壁的第一介质层，然后再形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层具有不同的刻蚀属性，故通过第一刻蚀，可以去除所述侧壁上的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层，然后通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的第一介质层，从而能够准确的刻蚀去除所述侧壁上的所述第一介质层和所述第二介质层，避免过刻蚀或是刻蚀不足的问题，同时能够使得所述第一平面部分和所述第二平面部分上均能够保留所述第一介质层以及部分所述第二介质层。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀方法及三维存储器的制作方法
本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体的说，涉及一种刻蚀方法及三维存储器(3DNAND)的制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作的当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。电子设备实现各种功能的控制中枢是控制芯片中的集成电路，而各种半导体器件是集成电路的重要组成单元。半导体器件需要通过刻蚀工艺实现图形化，以形成特定的功能结构。在半导体器件制作工艺中，基于器件结构以及功能实现需求，需要对覆盖侧壁的介质层进行刻蚀，以去除侧壁上的介质层。但是，现有的刻蚀方法不能精确的去除侧壁上的介质层，容易造成过刻蚀或是刻蚀不足的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种刻蚀方法及三维存储器的制作方法，方案如下：一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一半导体结构；所述半导体结构具有高度不同的第一平面部分和第二平面部分，以及连接所述第一平面部分和所述第二平面部分的侧壁；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：/n提供一半导体结构；所述半导体结构具有高度不同的第一平面部分和第二平面部分，以及连接所述第一平面部分和所述第二平面部分的侧壁；其中，所述第一平面部分和所述第二平面部分分别位于所述侧壁的两侧；/n形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分以及所述侧壁；/n形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；/n通过第一刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层表面的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层；/n通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层。/n

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：
提供一半导体结构；所述半导体结构具有高度不同的第一平面部分和第二平面部分，以及连接所述第一平面部分和所述第二平面部分的侧壁；其中，所述第一平面部分和所述第二平面部分分别位于所述侧壁的两侧；
形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分以及所述侧壁；
形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；
通过第一刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层表面的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层；
通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的所述第一介质层。


2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，将所述半导体结构浸没在第一试剂中，进行所述第一刻蚀，所述第一试剂对所述第二介质层的刻蚀速率大于对所述第一介质层的刻蚀速率。


3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，将所述半导体结构浸没在第二试剂中，进行所述第二刻蚀，所述第二试剂对所述第一介质层的刻蚀速率大于对所述第二介质层的刻蚀速率。


4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一介质层为氮化硅层，所述第二介质层为二氧化硅层。


5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一试剂为氟化氢试剂，所述第二试剂为磷酸试剂。


6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法包括：
通过沉积工艺形成所述第二介质层，所述第二介质层包括位于所述第一平面部分上的第一部分、位于所述第二平面部分上的第二部分以及位于所述侧壁上的第三部分；所述第三部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗兴安，张高升，董洪旺，陈松超，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42