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本发明公开了一种基于湿法腐蚀的薄膜图形刻蚀方法，包括以下具体步骤：S1、在衬底上生长缓冲层和牺牲层；S2、在牺牲层上生长或溅镀与牺牲层化学性质不同的薄膜层；S3、在薄膜层上进行光刻工艺，刻蚀所需要的图形；S4、利用湿法腐蚀的加工工艺在薄膜层...
该专利属于南京信光半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京信光半导体科技有限公司授权不得商用。

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