材料层的制造系统及偏光片的制造系统技术方案

本实用新型专利技术披露了一种材料层的制造系统，包括延伸设备。延伸设备包括设置于其中的多个喷雾装置以及多个延伸装置。当材料层在延伸设备中输送时，多个喷雾装置用以喷出处理液至材料层的上表面上及相对于上表面的下表面上。之后，多个延伸装置用以依照延伸倍率对材料层执行延伸操作。本实用新型专利技术还披露了一种偏光片的制造系统，用以制备该偏光片的偏光基体层。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种材料层的制造系统，尤其是涉及一种适用 于偏光片的偏光基体层的制造系统。
技术介绍
请参阅图1。图1示出了现有^支术的偏光片1的剖面一见图。偏光片1包4舌聚乙晞醇(polyvinyUlcoho1, PVA)偏光基体层10、凌占着层 11、保护层12、感压胶层13、离形膜14及保护膜15。 PVA偏光基 体层10的制造过程需经过膨润、染色、延伸及干燥等步骤。由于 千燥过后的PVA偏光基体层10容易脆化，因此必须通过黏着层11 连接保护层12来支撑，以增强PVA偏光基体层10的强度。接下来， 贴上1呆护力菱15。最后，涂布感压"交层13与离形"莫14以完成整个偏 光片1的制造过程。传统上，PVA偏光基体层10的制作方式分为两种 一种为干 式延伸方式，另一种则为湿式延伸方式。关于干式延伸，请参阅台 湾专利案号1272409、美国专利案号US20060177606A1及日本专利 案号JP-57-212025A与JP-63-261201 。其中，日本专利案号 JP-57-212025A与及JP-63-261201中4皮露了通过加热滚專仑来才丸4亍干 式延伸。湿式延伸方式一4i是将膨润后的PVA偏光基体层10浸泡至含 有石與、硪化钾以及硼酸的水溶液中染色。染色后的PVA偏光基体层接着经过延伸槽，利用两侧滚轮速度或是张力的差异，将PVA偏光 基体层10做延伸拉长。其中，延伸槽内含有碘化钾与交联剂(如硼 酸)等相关化学药剂，在温度50 60°C下做延伸。一4殳来i兌，干式延伸的优点是节省药液及PVA偏光基体层10 可得到好的穿透率和偏光度。但是，干式延伸的缺点如下(l)碘容 易挥发，导致光学均匀性较差；(2)机台承受张力较大；以及(3)药液 容易残留在PVA偏光基体层10上。湿式延伸的优点是PVA偏光基 体层10的延展性及光学均匀度较好。然而，湿式延伸的缺点如下 (l)PVA偏光基体层10容易因槽体温度不均而有断膜的风险，造成 成本的亏损；以及(2)PVA偏光基体层10在洗净后会有药液残留的 问题，导致膜面产生结晶颗粒或是压点。因此，本技术的目的在于4是供一种材津+层的制造系统，以 解决上述问题。
技术实现思路
本技术的一个目的在于提供一种材料层的制造系统。在根 据本技术的 一 个具体实施例中，材津+层可以是偏光片的偏光基体层。该制造系统包括延伸设备，并且延伸设备包括设置于其中的多 个喷雾装置以及多个延伸装置。当材料层在延伸设备中输送时，多的下表面上。之后，多个延伸装置用以依照延伸倍率对材料层执行 延伸动作。根据本技术的制造系统，进一步包括洁净设备，该材料层 在一皮施以该延伸动作后^T送至该洁净i殳备中，该洁净i殳备包4舌多个第二喷雾装置，用以喷出清洁液至该材冲+层的该上表面^/或该下表 面上以进4于清洗。根据本技术的制造系统，角的范围介于12 115度。根据本技术的制造系统， 量的范围介于0.1 47升/分。根据本技术的制造系统, 为每米设置1 10个喷雾装置。其中，每一个第一喷雾装置的喷 其中，每一个第一喷雾装置的喷其中，所述第一喷雾装置的安排根据本技术的制造系统，其中，每一个第一喷雾装置是扇 形喷嘴、圆锥形喷嘴或直线形喷嘴。才艮据本技术的制造系统，其中，该延伸4咅率的范围介于 1.1 4.0倍。根据本技术的制造系统，其中，该延伸动作的持续时间介 于10秒 10分。根据本技术的制造系统，进一步包括恒温装置，设置于 该延伸设备中并用以-使该延伸动作保持在预定温度范围下进行。根据本技术的制造系统，其中，在该延伸设备中残留的处 理液由该延伸设备的底部承接后导引至回收槽。根据本技术的制造系统，其中，该延伸设备的该底部设置 有一4牛道连向i亥回q欠冲曹。8根据本技术的制造系统，其中，该处理液从该回收槽再度 导引至该多个第一喷雾装置。才艮据本技术的制造系统，其中，该材料层是偏光片的偏光 基体层。本技术还4是供了 一种偏光片的制造系统，用以制备该偏光片的偏光基体层，该制造系统包括延伸设备，所述延伸设备包括 多个第一喷雾装置，设置于该延伸设备中，当该偏光基体层在该延伸设备中llr送时，该多个第一喷雾装置用以喷出处理液至该偏光基置，设置于该延伸设备中，用以依照延伸倍率对该偏光基体层执行 延伸动作。根据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，进一步包 括洁净设备，该偏光基体层在被施以该延伸动作后输送至该洁净设 备中，该洁净设备包括多个第二喷雾装置，用以喷出清洁液至该偏 光基体层的该上表面及/或该下表面上以进4于清洗。才艮据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，每一个第一喷雾装置的喷角的范围介于12 115度。根据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，每一个第 一喷雾装置的喷量的范围介于0.1 47升/分。根据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，所述第一 喷雾装置的安排为每米设置1 10个喷雾装置。才艮据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，每一个第 一喷雾装置是扇形喷嘴、圓锥形喷嘴或直线形喷嘴。才艮据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，该延伸倍率的范围介于Ll 4.0倍。才艮据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，该延伸动 作的持续时间介于10秒 10分。才艮据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，进一步包 括恒温装置，设置于该延伸设备中并用以〗吏该延伸动作保持在一预 定温度范围下进行。根据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，在该延伸 设备中残留的处理液由该延伸设备的底部承接后导引至回收槽。根据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，该延伸设 备的该底部i殳置有一4牛道连向该回收冲曹。根据本技术的制造系统，在一个具体实施例中，该处理液 从该回收槽再度导引至该多个第 一喷雾装置。关于本技术的优点与^青神可以通过以下的技术详述及附图得到进一 步的了解。附图说明图1示出了现有技术的偏光片的剖面视图。图2示出了根据本技术的一个具体实施例的偏光片的制造 系统的示意图。图3示出了根据本技术的一个具体实施例的洁净设备的结 构示意图。具体实施方式本技术提供一种材料层的制造系统。在 一 个具体实施例 中，本技术的制造系统可应用于制造偏光片，但不限于此。本 技术的数值范围均包括端点值。请参阅图2。图2绘示根据本技术的一个具体实施例的偏 光片的制造系统的示意图。制造系统2包括膨润设备20、染色设备 21、延伸设备22、洁净设备23、烘干设备(24、 25)、放巻装置(26、 29)、滚轮夹轮27、导角轮28以及收巻装置30。首先，偏光片中的偏光基体层3由放巻装置26放巻。在实际 应用中，偏光基体层3可以由PVA所制成。本技术的PVA材 料的聚合度范围可以介于500 10000，优选1000 6000，而更优选 1400 4000。 PVA的皂化度的范围可以介于75 100%,以97 100% 佳，而以98.5 99.8%为最佳。另夕卜，PVA的厚度范围可以介于 10~100,,优选30 80拜，而更优选40 65,。由放巻装置26放巻后，偏光基体层3浸泡至膨润设备20中泡 水清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种材料层的制造系统，其特征在于，包括：　延伸设备，包括：　多个第一喷雾装置，设置于所述延伸设备中，当所述材料层在所述延伸设备中输送时，所述多个第一喷雾装置用以喷出处理液至所述材料层的上表面上及相对于所述上表面的下表面上；以及　 　多个延伸装置，设置于所述延伸设备中，用以依照延伸倍率对所述材料层执行延伸操作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖柏东，杨昆炫，郑智鸿，
申请(专利权)人：达信科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]