地铁站台门电磁锁升压提升模块电路制造技术

本实用新型专利技术涉及电磁锁电路领域，尤其是地铁站台门电磁锁升压提升模块电路。该电路包括升压芯片、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、保险丝F1、三极管Q7、场效应管Q3和电源VCC4。该实用新型专利技术避免线圈中反向电动势对电路造成伤害。用升压芯片支持5V‑40V DC范围电压输入，升压芯片最高输出电压为60V。输出电压采样电压和SW内置过压保护。取消固态继电器，三极管Q7和场效应管Q3级联代替继电器开关功能，降低损坏率，提高能源利用率。

【技术实现步骤摘要】
地铁站台门电磁锁升压提升模块电路
本技术涉及电磁锁电路领域，尤其是地铁站台门电磁锁升压提升模块电路。
技术介绍
站台门电磁锁控制方案需要控制线圈（感性元件），原有的方案是通过固态继电器来控制电磁锁的动作，然而当初因为线圈中的反向电动势会对其他电路产生冲击设计了相关过滤等保护性措施导致了正常输出到负载两端电压跌落，造成部分电磁锁抬升动作无力，影响门体无法正常解锁。同时，原电路使用的固态继电器容易发生电气损坏，工作性能可靠性极低，故障频发。
技术实现思路
为了克服现有的电路容易发生电气损坏，可靠性低的不足，本技术提供了地铁站台门电磁锁升压提升模块电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种地铁站台门电磁锁升压提升模块电路，包括升压芯片、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、保险丝F1、三极管Q7、场效应管Q3和电源VCC4，所述电源VCC4分别连接电感L1的一端、电容C2的一端、电容C5的一端、升压芯片，电容C2的另一端和电容C5的另一端连接在三极管Q7的发射极，电感L1的另一端分别连接升压芯片和二极管D1的正极，二极管D1的负极分别与电容C4的一端、电阻R1的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C1的一端、电阻R2的一端、场效应管Q3的源极连接，电容C4的另一端连接升压芯片，电阻R1的另一端连接升压芯片和电阻R3的一端，电阻R3的另一端、电容C6的另一端、电容C7的另一端、电容C1的另一端分别连接三极管Q7的发射极，电阻R2的另一端和电阻R5的一端分别连接场效应管Q3的栅极，场效应管Q3的漏极连接保险丝F1，电阻R5的另一端连接三极管Q7的集电极，三极管Q7的基极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极分别连接电阻R8的一端和电容C3的一端，电容C3的另一端分别连接二极管D3的负极和电阻R9的一端，二极管D3的正极连接分别连接电阻R8的另一端和三极管Q7的发射极，电阻R9的另一端、电容C8的一端、电阻R4的一端分别连接升压芯片，电容C8的另一端、电阻R4的另一端、升压芯片分别连接三极管Q7的发射极。根据本技术的另一个实施例，进一步包括所述三极管Q7为NPN型三极管。根据本技术的另一个实施例，进一步包括所述电源VCC4为24V。根据本技术的另一个实施例，进一步包括所述电阻1、电阻4、电阻8、电阻9的阻值为20K，电阻2、电阻3、电阻5的阻值为1K，电阻6的阻值为10K。根据本技术的另一个实施例，进一步包括所述升压芯片的型号为XL6019。根据本技术的另一个实施例，进一步包括所述升压芯片最高输出电压为60V。根据本技术的另一个实施例，进一步包括所述场效应管Q3为P沟道硅MOS场效应晶体管。本技术的有益效果是，该技术能够通过二极管D1和保险丝F1，避免了线圈中的反向电动势对电路造成的不可修复的伤害。使用XL6019升压芯片支持5V-40VDC范围电压输入，1.25V输出电压采样电压和SW内置过压保护。取消了固态继电器的使用，三极管Q7和场效应管Q3级联代替继电器开关功能，从而降低损坏概率，提高了能源利用率。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术的电路图。具体实施方式如图1是本技术的电路图，一种地铁站台门电磁锁升压提升模块电路，包括升压芯片、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、保险丝F1、三极管Q7、场效应管Q3和电源VCC4，所述电源VCC4分别连接电感L1的一端、电容C2的一端、电容C5的一端、升压芯片，电容C2的另一端和电容C5的另一端连接在三极管Q7的发射极，电感L1的另一端分别连接升压芯片和二极管D1的正极，二极管D1的负极分别与电容C4的一端、电阻R1的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C1的一端、电阻R2的一端、场效应管Q3的源极连接，电容C4的另一端连接升压芯片，电阻R1的另一端连接升压芯片和电阻R3的一端，电阻R3的另一端、电容C6的另一端、电容C7的另一端、电容C1的另一端分别连接三极管Q7的发射极，电阻R2的另一端和电阻R5的一端分别连接场效应管Q3的栅极，场效应管Q3的漏极连接保险丝F1，电阻R5的另一端连接三极管Q7的集电极，三极管Q7的基极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极分别连接电阻R8的一端和电容C3的一端，电容C3的另一端分别连接二极管D3的负极和电阻R9的一端，二极管D3的正极连接分别连接电阻R8的另一端和三极管Q7的发射极，电阻R9的另一端、电容C8的一端、电阻R4的一端分别连接升压芯片，电容C8的另一端、电阻R4的另一端、升压芯片分别连接三极管Q7的发射极。所述三极管Q7为NPN型三极管。所述电源VCC4为24V。所述电阻1、电阻4、电阻8、电阻9的阻值为20K，电阻2、电阻3、电阻5的阻值为1K，电阻6的阻值为10K。所述升压芯片的型号为XL6019。升压芯片最高输出电压为60V。场效应管Q3为P沟道硅MOS场效应晶体管。如附图1所示，VCC4:外部24V电源，GND_1:外部地，Vout_3:负载输出。该整体模块共有4个外部接口，一对24V电源和地，一个信号控制接口，一个负载接口，可支持8~24V电压输入。信号来到的300ms后，输出电压升至27V。一般电路输出电压会跌落，而这个电路的负载回路电压会升到27V，并在信号断开后稳定在24V。Sin_2:一般电路会直接使用三极管作电子开关，但是在设计的此电路中由于三极管的导通压降比MOS管大，会拉低输出电压，在此电路中这个现象与我们设计电路的初衷相悖，所以我们选择MOS管作开关，三极管起控制作用。当按键按下，控制信号输入后，首先导通三极管Q7，场效应管Q3的栅极和源极产生压降从而导通，于是负载马上开始工作（欠电压状态，工作不稳定）。另一边，Sin_2信号电流流经二极管D2,电阻R8,二极管D3,电阻R9，使能升压芯片，升压芯片的4脚拉高负载那条线路的电压，大约达到27V，从而负载得到理想工作点，进入稳定工作状态。对于升压芯片，5脚是输出电压采样引脚，用于稳定输出电压。信号断开后，对于负载端：电容C1,电容C6,电容C7中存储的电压释放，降低场效应管Q3的关闭速度，减少EMI。升压芯片使能端失能，电容C3,电容C8快速放电，负载电压回到24V继续稳定工作。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种地铁站台门电磁锁升压提升模块电路，其特征是，包括升压芯片、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、保险丝F1、三极管Q7、场效应管Q3和电源VCC4，所述电源VCC4分别连接电感L1的一端、电容C2的一端、电容C5的一端、升压芯片，电容C2的另一端和电容C5的另一端连接在三极管Q7的发射极，电感L1的另一端分别连接升压芯片和二极管D1的正极，二极管D1的负极分别与电容C4的一端、电阻R1的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C1的一端、电阻R2的一端、场效应管Q3的源极连接，电容C4的另一端连接升压芯片，电阻R1的另一端连接升压芯片和电阻R3的一端，电阻R3的另一端、电容C6的另一端、电容C7的另一端、电容C1的另一端分别连接三极管Q7的发射极，电阻R2的另一端和电阻R5的一端分别连接场效应管Q3的栅极，场效应管Q3的漏极连接保险丝F1，电阻R5的另一端连接三极管Q7的集电极，三极管Q7的基极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极分别连接电阻R8的一端和电容C3的一端，电容C3的另一端分别连接二极管D3的负极和电阻R9的一端，二极管D3的正极连接分别连接电阻R8的另一端和三极管Q7的发射极，电阻R9的另一端、电容C8的一端、电阻R4的一端分别连接升压芯片，电容C8的另一端、电阻R4的另一端、升压芯片分别连接三极管Q7的发射极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种地铁站台门电磁锁升压提升模块电路，其特征是，包括升压芯片、电感L1、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、保险丝F1、三极管Q7、场效应管Q3和电源VCC4，所述电源VCC4分别连接电感L1的一端、电容C2的一端、电容C5的一端、升压芯片，电容C2的另一端和电容C5的另一端连接在三极管Q7的发射极，电感L1的另一端分别连接升压芯片和二极管D1的正极，二极管D1的负极分别与电容C4的一端、电阻R1的一端、电容C6的一端、电容C7的一端、电容C1的一端、电阻R2的一端、场效应管Q3的源极连接，电容C4的另一端连接升压芯片，电阻R1的另一端连接升压芯片和电阻R3的一端，电阻R3的另一端、电容C6的另一端、电容C7的另一端、电容C1的另一端分别连接三极管Q7的发射极，电阻R2的另一端和电阻R5的一端分别连接场效应管Q3的栅极，场效应管Q3的漏极连接保险丝F1，电阻R5的另一端连接三极管Q7的集电极，三极管Q7的基极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接二极管D2的正极，二极管D2的负极分别连接电阻R8的一端和电容C3的一端，电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：高萍，孙烨，陈钢，
申请(专利权)人：江苏明伟万盛科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32