一种用于提高晶体利用率的保温结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于提高晶体利用率的保温结构，包括外壳和保温组件，通过在内保温罩的外壁用金刚砂钻头钻出一定数量的钻孔，能够破坏内保温罩的外壁致密层，让内保温罩的微量杂质在晶体本体高温提拉过程，能够在后热室以外的区域挥发，能一定数量上减少后热室杂质浓度，以提高晶体本体的可利用率，在外壳的内部设置有外保温罩和内保温罩，外保温罩采用一种氧化锆材料制成的构件，有较好的保温性能，通过设置有保温棉层、保温砂浆层和聚氨酯保温板，使得后热室更稳定，有利于提高晶体本体的质量，操作人员通过利用连接杆和固定螺栓能将上保温盖固定安装在外壳的上端，在连接杆的表面设置有密封圈，能够提高密封效果，防止影响保温效果。

【技术实现步骤摘要】
一种用于提高晶体利用率的保温结构
本技术涉及提拉式晶体生长设备
，具体为一种用于提高晶体利用率的保温结构。
技术介绍
晶体是由大量微观物质单位（原子、离子、分子等）按一定规则有序排列的结构，因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。提拉炉所用的保温材料为高纯氧化铝制备，在保温材料高温制作及后期高温处理中，保温材料中的微量杂质还是没办法完全处理干净，在晶体的高温提拉过程中，有害杂质在后热室挥发后，后热室内杂质浓度逐渐加大，如果杂质分凝系数极小，杂质将富集在晶体的生长界面附近，浓度达到过饱和状态，杂质将在界面成核，并成长，将以包裹物的形式进入晶体，这些包裹物都是光散射或光吸收的中心；严重影响晶体的可利用率。针对上述问题，本技术提出了一种用于提高晶体利用率的保温结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于提高晶体利用率的保温结构，具备减少保温组件自身所有的杂质在后热室中的浓度，提高晶体的可利用率，保温效果好的优点，从而解决了
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于提高晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提高晶体利用率的保温结构，包括外壳（1）和保温组件（2），保温组件（2）设置在外壳（1）的内部，其特征在于：所述外壳（1）包括支撑座（11）、后热室（12）、出气口（13）、晶体本体（14）和上保温盖（15），支撑座（11）固定安装在外壳（1）的下端，后热室（12）设置在外壳（1）的内部，出气口（13）设置在外壳（1）的下端，晶体本体（14）设置在后热室（12）的内部，上保温盖（15）设置在外壳（1）的上端；/n所述保温组件（2）包括外保温罩（21）、内保温罩（22）和钻孔（23），外保温罩（21）设置在外壳（1）的内部，内保温罩（22）设置在外保温罩（21）的内侧，钻孔（23）设...

【技术特征摘要】
1.一种用于提高晶体利用率的保温结构，包括外壳（1）和保温组件（2），保温组件（2）设置在外壳（1）的内部，其特征在于：所述外壳（1）包括支撑座（11）、后热室（12）、出气口（13）、晶体本体（14）和上保温盖（15），支撑座（11）固定安装在外壳（1）的下端，后热室（12）设置在外壳（1）的内部，出气口（13）设置在外壳（1）的下端，晶体本体（14）设置在后热室（12）的内部，上保温盖（15）设置在外壳（1）的上端；
所述保温组件（2）包括外保温罩（21）、内保温罩（22）和钻孔（23），外保温罩（21）设置在外壳（1）的内部，内保温罩（22）设置在外保温罩（21）的内侧，钻孔（23）设置在内保温罩（22）的外壁。


2.根据权利要求1所述的一种用于提高晶体利用率的保温结构，其特征在于：所述后热室（12）的内部设置有底板（121），晶体本体（14）设置在底板（121）的上端。


3.根据权利要求1所述的一种用于提高晶体利用率的保温结构，其特征在于：所述上保温盖（15）包括连接杆（151）、密封圈（152）...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈基平，王魁光，陈志辉，
申请(专利权)人：福建科彤光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35