一种半导体晶体生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内，所述提拉装置提拉所述硅晶棒在竖直方向上穿过所述导流筒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加磁场；其中，在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。根据本发明专利技术的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布的均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶体生长装置
本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种半导体晶体生长装置。
技术介绍
直拉法(Cz)是制备半导体及太阳能用硅单晶的一种重要方法，通过碳素材料组成的热场对放入坩埚的高纯硅料进行加热使之熔化，之后通过将籽晶浸入熔体当中并经过一系列(引晶、放肩、等径、收尾、冷却)工艺过程，最终获得单晶棒。使用CZ法的半导体单晶硅或太阳能单晶硅的晶体生长中，晶体和熔体的温度分布直接影响晶体的品质和生长速度。在CZ晶体的生长期间，由于熔体存在着热对流，使微量杂质分布不均匀，形成生长条纹。因此，在拉晶过程中，如何抑制熔体的热对流和温度波动，是人们广泛关注的问题。在磁场发生装置下的晶体生长(MCZ)技术通过对作为导电体的硅熔体施加磁场，使熔体受到与其运动方向相反的洛伦兹力作用，阻碍熔体中的对流，增加熔体中的粘滞性，减少了氧、硼、铝等杂质从石英坩埚进入熔体，进而进入晶体，最终使得生长出来的硅晶体可以具有得到控制的从低到高广范围的氧含量，减少了杂质条纹，因而广泛应用于半导体晶体生长工艺。一种典型的MCZ技术是磁场晶体生长(HMCZ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：/n炉体；/n坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；/n提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；/n导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；/n磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；/n其中，/n在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：
炉体；
坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；
提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；
导流筒，所述导流筒呈桶状并沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔体的上方；
磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；
其中，
在所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体液面之间的距离小于垂直于所述磁场的方向上的所述导流筒底部与所述硅熔体之间的距离。


2.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述导流筒底部具有向下突出的波浪形表面。


3.根据权利要求2所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，
在沿着所述磁场的方向上，所述导流筒的底部位于所述波浪形的波谷，以使在沿着所述磁场的方向上所述导流筒的底部与所述硅熔体液面之间的距离最小；
在垂直于所述磁场的方向上，所述导流筒的底部位于所述波浪形的波峰，以使在垂直于所述磁场的方向上所述导流筒的底部与所述硅熔体液面之间的距离最大。


4.根据权利要求3所述的半导体晶体生长装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈伟民，王刚，邓先亮，黄瀚艺，陈伟德，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31