一种直拉硅单晶用炉盖制造技术

技术编号:26751097 阅读:30 留言:0更新日期:2020-12-18 20:57
本实用新型专利技术提供一种直拉硅单晶用炉盖,包括盖体,在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬,所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置。本实用新型专利技术提出的炉盖,是在盖体内侧涂覆一叠层内衬,即能保护炉盖内壁结构,又能防止炉盖内壁形成一层金属离子,提高炉盖的使用寿命,提高直拉单晶晶体品质。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉硅单晶用炉盖
本技术属于直拉硅单晶设备制造
,尤其是涉及一种直拉硅单晶用炉盖。
技术介绍
现有单晶炉设备的炉盖及炉桶、副室都是不锈钢材料,并且在设备运行过程中炉盖、炉桶、副室的内壁都是暴露在炉体内部的一个高温状态下。尤其是单晶炉炉盖,与炉体内的气氛接触的空间及结构更多,使得在炉盖内壁被高温气体连续喷射接触,就会导致金属离子的游走、扩散在炉盖内壁表面,长时间接触会把炉盖内壁氧化腐蚀一层膜,形成金属物,金属物被气流带动极易从晶体与导流筒之间的空隙处落入熔硅中,进而导致熔硅中含有的金属杂质增加,致使晶体品质受到影响,性能参数不佳,成本加大。因此如何解决防止炉盖内壁在高温环境下极易被氧化形成游走的金属离子的技术问题,同时提高单晶晶体质量、提高生产效率是高质量、低成本加工直拉单晶生产的关键。
技术实现思路
本技术提供一种直拉硅单晶用炉盖,解决了现有技术中炉盖内壁在高温环境下极易被氧化形成游走的金属离子的技术问题,本技术提出的炉盖,能保护炉盖内壁结构,防止炉盖内壁形成一层金属离子,提高炉盖的使用寿命,提高直拉单晶晶体品本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直拉硅单晶用炉盖,包括盖体,其特征在于,在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬,所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置;所述叠层内衬包括内涂层和外涂层,所述内涂层靠近所述盖体设置,所述外涂层置于所述内涂层远离所述盖体一侧设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种直拉硅单晶用炉盖,包括盖体,其特征在于,在所述盖体靠近晶体一侧设有用于防止所述盖体直接长时间暴露在高温环境下形成游离的金属离子的叠层内衬,所述叠层内衬设置在所述盖体内壁并沿所述盖体径向圆周设置;所述叠层内衬包括内涂层和外涂层,所述内涂层靠近所述盖体设置,所述外涂层置于所述内涂层远离所述盖体一侧设置。


2.根据权利要求1所述的一种直拉硅单晶用炉盖,其特征在于,所述叠层内衬至少包括所述盖体位于水冷套上端口正上方一侧的区域。


3.根据权利要求2所述的一种直拉硅单晶用炉盖,其特征在于,所述叠层内衬还包括置于导流筒斜上方且沿水冷套外壁方向与所述盖体交叉的区域。


4.根据权利要求3所述的一种直拉硅单晶用炉盖,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:李晓东韩凯景吉祥赵志远钟旭卢佳锋康学兵田鑫阳贾国华
申请(专利权)人:内蒙古中环光伏材料有限公司
类型:新型
国别省市:内蒙古;15

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